HBM

• 国产EDA工具链评估：哪家能同时覆盖芯片验证、可测性设计和高速IP？

  2025年5月，美国商务部工业和安全局（BIS）要求Synopsys、Cadence、Siemens EDA停止向中国提供服务，将国产EDA替代问题从战略备选推向了现实紧迫。据中国半导体行业协会数据，2024年中国EDA市场规模约135.9亿元，同比增长13.3%，但国际三巨头仍占据国内市场逾80%的份额，国产化率不足15%。在数字EDA细分赛道，国产替代缺口尤为突出，先进制程所需的数字验证工具目

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  06/06 11:21

  HBM 芯片测试
• 研报 | DRAM持续供不应求，预估2027年HBM合约价将倍数上涨

  TrendForce集邦咨询报告指出，自2H25以来，一般型DRAM价格上涨，三大原厂的HBM年度议价机制导致HBM合约价未能及时反映市场趋势。随着2Q26的到来，买卖双方开始就2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。预计三大原厂将在2027年大幅提高HBM报价，因为当前DRAM供不应求，且新旧世代HBM具有高制造难度和高成本。此外，HBM单片晶圆产值在1Q26被DDR5 64GB RDIMM反超，利润率也低于后者。因此，原厂将调整HBM与Conventional DRAM之间的产能配置，以确保HBM能继续作为AI训练及推理的基础部件，推动AI生态系统发展。2026年HBM需求主要来自AI ASICs的容量升级，而2027年则由Rubin Ultra和AI ASICs拉动。三大原厂预计2025-2027年HBM投片量分别占整体DRAM投片量的18%、22%及约30%，位元供给占比分别为8%、9%及约13%。

  TrendForce集邦咨询

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  06/03 14:39

  dram HBM

  
• DRAM持续供不应求，预估2027年HBM合约价将倍数上涨

  自2H25以来，一般型DRAM（Conventional DRAM）价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。 根

  与非网编辑

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  06/02 14:50

  NVIDIA dram

  
• 后摩尔时代的算力突围：从架构创新到系统协同，IC设计业的破局之道

  2026年5月27日，无锡国际会议中心，“架构之光——IC设计分论坛”在由未来半导体主办的半导体封装测试暨玻璃基板生态展期间举行。作为本届展会十大专题论坛之一，这场持续近五个小时的技术研讨，汇聚了来自天数智芯、光本位、光羽芯辰、硅芯科技、时擎科技、灵睿智芯、绍芯实验室及和弦产业研究中心等多位产业一线专家，围绕端侧智能、光电混合架构、大模型芯片、RISC-V、存储体系、光互连以及EDA协同等热点方向

  高扬

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  06/01 09:17

  RISC-V HBM
• 苔花与牡丹：谁吃透了存储超级周期的红利

  在AI加速芯片需求推动下，HBM芯片成为存储行业的焦点，但传统DRAM因供需错配价格飙升，利润大幅增长。尽管HBM具有高带宽优势，但其高昂的成本导致产能有限。传统DRAM因其巨大市场规模和供需紧张，利润空间广阔。AI需求结构的变化促使更多采用DDR5内存的CPU，进一步推动传统DRAM需求上升。国内存储企业在DRAM、NAND和利基存储器等领域取得进展，但需平衡不同市场的策略，以实现长期可持续发展。

  芯谋研究

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  05/25 19:04

  dram 存储
• HBM引爆产能争夺，内存市场火力全开！

  AI产业竞争转向内存带宽与容量需求，三大国际原厂受益于AI红利，HBM赛道产能争夺激烈。三星、SK海力士、美光积极布局HBM4E与HBM5，推动内存技术进步。新兴技术如CXL、MRDIMM、SOCAMM2提供性价比高的AI服务器内存解决方案，重构产业生态。

  全球半导体观察

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  05/22 15:04

  内存 HBM

  
• AMD、美光奔向万亿美元，CPU与HBM被重新定价还没结束

  AMD和美光有望冲击万亿美元市值，主要得益于AI资本开支重塑半导体产业权力结构。AMD通过CPU和AI GPU双线扩张，美光凭借HBM和数据中心存储的定价权，分别在AI硬件栈中占据重要位置。尽管面临市场提前交易和供需关系变化的风险，但若能有效应对，两者的万亿市值目标仍有实现的可能性。

  美股研究社

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  05/11 22:16

  CPU HBM
• SOCAMM2，引爆内存圈

  HBM和SOCAMM2是AI服务器领域的两大关键技术。HBM因其高带宽和低延迟特性，在AI训练和推理中发挥重要作用，但供应紧张且成本高昂。SOCAMM2作为一种模块化内存标准，基于LPDDR5X DRAM颗粒，具有较低的带宽但更高的总容量和更低的成本，适用于AI PC和服务器场景。随着AI算力需求的增长，SOCAMM2逐渐取代HBM成为主流选择。 英伟达作为SOCAMM2的最大推动者，已宣布将其作为未来AI产品的首选内存规格。多家存储巨头如三星、SK海力士和美光正在加速SOCAMM2的研发和量产。美光率先推出业界最高容量的256GB SOCAMM2低功耗内存，而SK海力士则启动了192GB SOCAMM2的大规模量产。这些举措表明SOCAMM2有望在未来几年内成为AI存储市场的主导技术。 此外，国内存储企业江波龙也推出了基于LPDDR5(x) DRAM Die的SOCAMM2产品，展示了中国企业在这一领域的参与和发展潜力。总体来看，SOCAMM2凭借其性能与成本的优势，以及适应高密度数据中心的特点，将在AI时代扮演重要角色。

  半导体产业纵横

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  05/08 16:38

  HBM SOCAMM

  
• 存储现货部分「闪崩」最全详解：该离场，还是该囤货？

  过去一年，存储行业经历了历史性上涨周期，DRAM和NAND Flash合约价显著攀升。然而，3月下旬开始，市场突然出现恐慌性抛售，DDR4和DDR5内存条现货价格急剧下跌。尽管AI算力需求旺盛，传统内存仍遭遇现货闪崩，引发市场困惑。多位存储产业链专业人士从渠道、客户和系统厂商视角解析了存储周期背后的真相。HBM产能紧张，导致DDR5和其他产品供需错配，推动整体价格上涨。然而，DDR4现货价格的闪崩反映了市场的真实供需情况，而非普遍上涨。 HBM产能受限，促使国产替代需求增加，但HBM路线选择各异，三星和SK海力士各有优劣。DDR4闪崩与磁带复兴形成对比，反映出存储市场多样化的应对策略。 AI需求的增长推动了DDR5和SSD的需求，但也带来了价格波动。磁带因其安全性和成本优势，在冷数据存储中焕发新生。DDR4价格波动体现了市场供需的弹性。 系统厂商如中科曙光和长虹佳华在AI时代面临存储需求的变革，从单纯卖容量转向卖效率。存储定价逻辑正在发生变化，客户更加注重存储系统的整体效能。 面对AI浪潮，存储行业商业模式正在重构，从卖容量转向卖效率，存储厂商的议价权也随之改变。渠道商的角色也从比价转变为保交付和稳供应，长虹佳华通过提供精细化解决方案提升了自身价值。 总体而言，AI需求虽强劲，但存储产品并非无差别上涨，每个环节和产品都有其独特的市场表现。

  雷峰网

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  05/06 10:19

  HBM 存储市场

  
• HBM引爆晶圆键合！一位CTO的复盘与预言

  吾拾微电子（苏州）有限公司（简称：吾拾微）专注于晶圆级临时键合解键合设备及永久键合设备的开发、销售，为客户提供flow设计在内的一站式服务，致力于为全球半导体客户提供高标准的系统解决方案。公司始终坚持自主研发，拥有一支20余年晶圆级键合经验的研发团队，先后荣获科技领军人才企业、国家级高新技术企业、专精特新中小企业和瞪羚企业等多项荣誉资质。

  芯片揭秘

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  04/29 11:02

  HBM 键合工艺
• 六成供给撑不起AI野心：内存行业进入“结构性短缺”新阶段

  全球DRAM市场面临严峻挑战，预计2027年前新增供给仅能满足大约六成需求。尽管多家企业计划大幅增加产能，但由于AI需求急剧增长，导致供需严重失衡。内存不再仅仅是标准件，而是成为AI基础设施的关键资源。随着AI需求推动价格上涨，传统的供需周期模式已被打破，供给端优先满足高利润和关键客户的订单。此外，AI需求不仅抢占了部分产能，还改变了行业分配优先级，使得消费电子厂商面临成本上升和利润压缩的压力。面对这一复杂局面，投资者应关注产能和技术瓶颈的转移，而非仅仅依赖涨价红利。

  美股研究社

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  04/21 19:32

  dram 存储
• 三星HBM4E下个月送样，SK海力士与台积电合作应对

  三星电子和SK海力士在高带宽内存（HBM）市场激烈竞争，三星计划本月交付第七代HBM4E样品进行性能验证，目标是保持市场领先地位；SK海力士则与台积电合作推进下一代产品的研发，预计2027年全面量产HBM4E。双方的竞争焦点在于即将到来的英伟达Rubin Ultra系列产品的性能表现。

  芯片说 IC TIME

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  04/21 18:38

  三星电子 SK海力士
• 下一代重磅存储技术，剑指2027年量产！

  随着人工智能大模型从训练阶段加速迈向推理应用，存储系统的性能瓶颈日益凸显：既要提供高带宽以匹配算力需求，又要具备海量容量以承载千亿级参数，同时还需严格控制功耗与成本。在这一背景下，一种名为HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）的新型存储技术正成为行业的关注焦点。近期，各大存储巨头及供应链企业正加速推动HBF的研发、标准化与商业化落地，目标直指2027年量产。

  全球半导体观察

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  04/15 13:51

  NAND HBM

  
• 【存储器】决战！HBM之巅

  HBM市场竞争激烈，SK海力士占据主导地位，三星和美光紧随其后。长鑫存储在国产内存领域取得进展，计划加速追赶国际领先水平。随着HBM4的市场需求激增，各大厂商积极布局，争夺市场份额。

  半导体产业研究

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  04/14 09:34

  存储器 HBM

  
• SiC迎来AI先进封装第二个“赛道”，规模不容小觑

  国外两家公司正在探索使用碳化硅衬底于HBM芯片的先进封装领域，这被视为继碳化硅中介层后的另一重要机遇。本文分析了为何HBM内存TCB键合设备需要碳化硅衬底，碳化硅在键合设备中的作用及其优势，并预测了碳化硅加热模块的潜在需求规模，估计到2030年，加热模块在HBM-TCB设备领域的市场规模将达到约7.83亿美元。

  行家说三代半

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  04/10 15:26

  SiC 先进封装

  
• 三星Q1利润超1800亿，HBM销量暴涨300%

  受益于全球人工智能（AI）投资热潮，三星电子（005930）今年第一季度的高带宽内存（HBM）销量已证实较去年同期增长超过三倍。通用DRAM明年的订单已全部售罄，HBM订单也呈爆炸式增长，市场普遍预测三星电子有望成为首家实现季度营业利润40万亿韩元（1824亿元人民币）的韩国公司。 一位熟悉三星电子的消息人士3月30日表示：“三星第一季度的HBM销量增长超过300%”，并补充说，“这主要归功于对英

  芯片说 IC TIME

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  04/04 18:01

  三星电子 HBM
• 深耕中国“多引擎”市场，库力索法加速封装版图扩张

  2026年3月24 SEMICON China前夕，与非网参加了库力索法（Kulicke & Soffa）在上海的一场媒体沟通会。与以往不同的是，这场发布会没有过多渲染宏大叙事，而是围绕AI带来的实际封装需求，将新品与工艺方案逐一落地到具体应用场景中。整场沟通会透露出一个明确信号：传统封装与先进封装之间的边界正在被重新定义，而K&S正试图用平台化、智能化的产品线覆盖这一变化。 中国

  曹顺程

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  04/01 08:58

  先进封装 HBM

  
• 海力士掀桌：HBM、EUV与美股定价权，一场存储战争正在爆发

  当存储厂商开始同时加杠杆、抢设备、重构估值体系，这就不再是一个行业周期，而是一场围绕 AI 核心资源的全面战争。 过去几十年，存储芯片行业给投资者的印象总是离不开“周期”二字。价格涨了就扩产，扩产多了就过剩，过剩了就降价，周而复始，像是一个永远走不出的圆圈。厂商们像是在海边捡贝壳的孩子，潮水来了就拼命装，潮水退了就只能等待。 但最近，风向变了。当 SK 海力士宣布要去美国募资 100 亿美元，转头

  美股研究社

  1061

  03/26 22:21

  存储 HBM
• 三星已开始量产SOCAMM2，供英伟达!

  三星电子已开始量产SOCAMM2，这是一种被称为“第二代高带宽内存（HBM）”的下一代人工智能（AI）内存。它是首家开始为NVIDIA量产SOCAMM2的公司。

  芯片说 IC TIME

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  03/06 13:48

  三星电子 HBM
• 佰维存储：2026年1至2月业绩爆了

  佰维存储真是将半导体存储周期演绎的淋漓尽致，其最新公布的2026年1至2月初步业绩数据，其关键经营指标增长迅速，用“超预期”来形容也不为过，要知道去年此时佰维存储还是属于亏损的状态。 核心亮点 这份业绩确实炸裂，盈利能力创纪录。首先是营收爆发式增长，预计实现营收40亿至45亿元，同比增长340%至395%。这意味着其两个月的营收规模已接近甚至超过部分同行全年的水平。 同时也净利润扭亏为盈，预计归母

  曹顺程

  1.8万

  03/04 08:51

  AI 存储

  

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