MOS场效应管_MOS场效应管资讯

国产30V SGT MOSFET在BMS锂电池管理中的机会：从LR015N03TL3/LR013N03TL2看低内阻趋势

锂离子电池在电动工具、电动两轮车、UPS、储能和动力电池组中的渗透率持续提升，BMS锂电池管理系统正在从“保护功能”走向“高效功率管理”。在这个过程中，充放电开关MOSFET的技术路线也在变化：过去关注耐压和开关速度，现在更关注导通电阻、并联一致性、热性能和雪崩耐受能力。尤其是在大电流BMS中，MOSFET长期导通，RDS(on)直接决定系统效率和温升。英飞凌OptiMOS™ 8和安森美Powe

福建龙夏电子

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09/12 14:54

半导体 MOSFET

龙夏电子LR013N10SM10：100V/380A SGT MOSFET

在电机驱动、电池管理和DC/DC变换等高功率工业应用场景中，功率MOSFET的导通损耗与热管理能力往往决定着系统性能的上限。龙夏电子最新推出的LR013N10SM10，采用先进的SGT（屏蔽栅沟槽）技术，以1.15mΩ的导通电阻和380A的持续电流承载能力，为100V耐压等级的大功率电力电子设计树立了全新标杆。一、SGT技术：在更高耐压上延续性能传奇 LR013N10SM10基于成熟的SGT工艺

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09/10 15:59

MOSFET bms电池管理系统

龙夏电子LR014N10XD10：100V SGT MOSFET

在高性能电机驱动、电池管理和DC/DC变换等应用中，功率MOSFET的设计选型始终是一场关于导通损耗与开关损耗的精密权衡。龙夏电子最新推出的LR014N10XD10，基于先进的SGT（屏蔽栅沟槽）技术，以1.17mΩ的导通电阻、323A的持续电流能力和优化的栅极电荷，在100V耐压等级上实现了效率与动态性能的出色平衡，为高功率密度设计提供了极具价值的解决方案。一、SGT技术：夯实性能基础 LR0

福建龙夏电子

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09/10 11:47

MOSFET bms电池管理系统

龙夏电子LR013N04SD8：40V SGT MOSFET

在电机驱动、电池管理和DC/DC变换等中低压功率应用场景中，MOSFET的导通损耗与开关损耗始终是工程师权衡的核心矛盾。龙夏电子推出的LR013N04SD8，凭借先进的SGT（屏蔽栅沟槽）技术，以1.11mΩ的极致导通电阻和254A的持续电流承载能力，为高性能电力电子设计提供了极具竞争力的解决方案。一、SGT技术：突破传统沟槽MOSFET的性能天花板 LR013N04SD8采用先进的SGT（Sh

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09/10 11:47

MOSFET bms电池管理系统

龙夏电子LR010N04SD10：40V/395A SGT MOSFET详解

福建龙夏电子推出一款适用于高可靠性大电流应用的SGT MOSFET LR010N04SD10，具备40V耐压、395A连续电流和0.85mΩ导通电阻，适用于电机驱动、电池管理系统等场景。SGT技术显著降低导通电阻和提高开关性能，同时提供优秀的体二极管特性。TOLL封装优化散热和电气性能，适合大电流功率转换应用。

福建龙夏电子

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09/10 11:47

MOSFET bms电池管理系统

超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体

微型逆变器，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方式是将所有的光伏电池在阳光照射下生成的直流电全部串并联在一起，再通过一个逆变器将直流电逆变成交流电接入电网；微型逆变器则对每块组件进行逆变。其优点是可以对每块组件进行独立的MPPT控制，能够大幅提高整体效率，同时也可以避免集中式逆变器具有的直流高压、弱光效应差、木桶效应等。

REASUNOS瑞森半导体

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2023/10/23

MOS场效应管微型逆变器

pmos和nmos的区别

在集成电路设计中，PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）和NMOS（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor）是两种基本的MOS场效应晶体管。它们在工作原理、电压极性、导通特性等方面有着明显的区别。

芯次元玩家

7442

2025/08/28

集成电路集成电路设计

增强型场效应管

增强型场效应管（Enhancement-Mode MOSFET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中以实现功率放大、信号调节和开关控制等功能。相比于功率晶体管，增强型场效应管具有更低的驱动电压、更小的输入电流，以及更快的开关速度和更好的频率响应。本文将深入介绍增强型场效应管的工作原理、结构特点、优势、应用范围。

芯次元玩家

786

2025/05/02

场效应管 MOS场效应管

MOS场效应管

MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）场效应管是一种半导体器件，主要用于放大电信号或开关电路。它的基本构造是由一片p型或n型硅晶片上形成极薄的氧化层和金属栅极而成。

xiaohongxiang

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2021/03/21

场效应管 MOS场效应管

MOS管选型主要关注哪些关键参数？Vds、Id、Rds(on)、Qg的含义是什么？

MOS场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是电子器件中常用的一种晶体管。在选择适当的MOS管时，需要关注一些关键参数以确保电路的性能和稳定性。本文将探讨MOS管选型的关键参数，以及Vds、Id、Rds(on)和Qg这几个重要参数的含义和作用。

芯次元玩家

658

04/09 16:30

MOS场效应管

MOS管的栅极G、源极S、漏极D的判断方法

MOS场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的器件。它由栅极（Gate）、源极（Source）、漏极（Drain）三个主要引脚组成。

芯次元玩家

5586

2024/11/06

场效应晶体管 MOS场效应管

MOS场效应管判断好坏及判断注意事项

金属氧化物半导体场效应管，简称MOS场效应管，是一种重要的电子元器件。判断MOS场效应管的好坏可以帮助我们更好地选择和使用这种元器件。