MOSFET栅极驱动器_MOSFET栅极驱动器是什么意思

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上海雷卯电子

04/22 14:55

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耗尽型MOS FET产品目录选型手机

集芯微电科技 141.59 KB
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03/10 12:55
MOS场效应管 MOSFET栅极驱动器磁损耗

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杰盛微JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反逻辑功率预驱动芯片
在功率电子领域，驱动芯片是连接控制信号与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与稳定性。今天要为大家介绍的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率预驱动芯片 —— 一款专为高压、高速场景设计的 1.5A/250V 三相高同低反逻辑芯片，凭借单芯片集成、宽适配性、强防护等优势，已成为电机控制、逆变器等领域的优选方案。一、产品概述 JSM6287是一款高压、

杰盛微半导体JSMSEMI

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2025/08/26

驱动芯片功率
MOSFET栅极驱动器电路中VCC电源的去耦电容容值怎么计算？
在MOSFET栅极驱动器电路中，给VCC电源加去耦电容Decoupling Capacitor，这事儿可不能乱来。容值咋算，不是拍脑袋的事儿，得看电路需求和实际应用场景。今天就讲讲咋算VCC去耦电容的容值。

硬件那点事儿

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2025/03/05

VCC MOSFET栅极驱动器
【测试案例分享】如何评估热载流子引导的MOSFET衰退
随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而导致器件失效。用于测量HCI的仪器必须提供以下三个关键功能：自

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1994

2024/09/19

软件编辑器
替代 LMG1210 60V半桥MOSFET和GaN FET驱动器
产品特性（替代LMG1210） ➢ 工作频率高达 10MHz ➢ 20ns 典型传播延迟 ➢ 5ns 高侧/低侧匹配 ➢ 两种输入控制模式 ➢ 具有可调死区时间的单个 PWM 输入、独立输入模式 ➢ 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 ➢ 内置 5V LDO ➢ 欠压保护 ➢ 过热保护 ➢ 总剂量（TID）耐受： ≥100k rad(si) ➢ 单粒子锁定及烧毁对线性能量传输（LET）的抗

集芯微电科技

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2024/06/11

隔离式栅极驱动器 MOSFET栅极驱动器
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGB

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2024/05/22

电动汽车电路设计

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