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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

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    在高频应用中,选择RDS(on)最低的MOSFET可能会带来意想不到的问题,因为实际使用条件下的性能可能远低于预期。工程师应综合考虑栅极电荷、电容比值和封装热路径等因素,而不仅仅是依赖数据手册。
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  • 安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作,共同推进新一代电源技术发展
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  • MDD辰达半导体荣获“国产功率器件行业优秀奖”,聚焦高效能源发展
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    NOTE:Click here for the Chinese version. Remember Xiaomi's first-generation compact 33W GaN charger? With its small size and powerful performance, its biggest highlight was increasing the power densit
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  • Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
    新型X4级器件在简化热设计,提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200 V、480 A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低,仅为1.99 mΩ
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  • 安森美推出新型散热封装技术,提升高功耗应用能效
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  • Teardown of a Tesla-specific Expansion Dock
    NOTE:Click here for the Chinese version. Tesla Model 3/Y originally comes with a limited number of USB-C ports, making it difficult to meet the charging and data transfer needs of multiple devices sim
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  • 多通道PMIC用作单输出大电流PMIC
    作者:Sai Chaithanya Kaipa,产品营销 Ye Fan,产品应用 摘要 当今的电子器件,尤其是高性能处理器和FPGA,对电力的需求不断攀升。在此背景下,电源管理解决方案必须不断进化,以提供更高的电流并确保设计灵活性。本文探讨了如何将多通道电源管理集成电路(PMIC)用作单通道大电流电源。并联多个稳压输出可以提升总电流能力,同时保持严格的电压调节和热平衡。这种技术不仅简化了电源架构,
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  • “中国芯”再突破!爱仕特第四代SiC MOSFET斩获国家级大奖
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  • 华芯微国产汽车芯片MOSFET 驱动器系列(篇一)
    一、HRMD2110PMCC 型高低边MOSFET 驱动器 1.1产品介绍 HRMD2110PMCC 高压高速功率MOSFET 与IGBT 驱动器采用独立高低侧参考输出通道设计,搭载专有HVIC 技术及抗闩锁CMOS 工艺,实现模块化单片集成。逻辑输入兼容标准CMOS 或LSTTL 输出(低至3.3V 逻辑电平),输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级,有效抑制驱动器交叉导通现象。信号传输延迟经过精密匹配
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  • 贸泽电子授权代理安森美丰富的半导体和电子元器件产品组合
    专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售安森美 (onsemi) 的最新授权产品与解决方案。贸泽拥有超过22,000种授权元器件可供订购,其中包括超过17,000种现货库存可随时发货,并提供广泛的安森美技术帮助买家和工程师将产品推向市场。安森美的智能电源和传感解决方案可用于多种应用,包括车辆电气化和安全、工业自动化、可持
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  • MOSFET的栅极开启电压只有2V,那为什么要用10V去驱动它?
    文章主要解释了为何在实际应用中,即使MOSFET数据手册中标注的栅极开启电压仅为2V,却常采用10V甚至更高电压进行驱动的原因。首先,为了降低导通电阻RDS(on),提高开关效率;其次,为了缩短开关转换时间,减少开关损耗,尤其是在高频应用中。
  • Xiaomi Walkie-Talkie Teardown
    NOTE:Click here for the Chinese version. Earlier this year, Xiaomi launched the Xiaomi Walkie-Talkie 3 Chat Edition. Priced at an affordable 129 RMB and featuring the innovative "Quick Frequency Match
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  • 新能源汽车散热系统可靠守护
    新能源车散热核心部件需要应对高温挑战,我们推出DI100N10PQ-AQ MOSFET,具备低导通电阻、逻辑电平驱动、高结温及AEC-Q101认证,确保长期高效运行,防止电机散热元件先过热。
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  • ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2,以及需要电池保护的工业设备电源等应用。 RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装,与ROHM在2025年5月发售的DFN80
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    11/12 07:13
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  • 增强系统鲁棒性的三样法宝!
    本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件,对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说,压降不是问题,但在高电流应用中,各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是,MOSFET可以取代标准硅二极管,并提供意想不到的应用优势
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  • 发现一个奇怪的现象 | BOOST升压电路高边MOSFET体二极管方向分析
    高边MOSFET反接无法实现真正关断的原因在于续流机制失效、输出短路风险及驱动难度增加。续流依赖于体二极管方向,反接会破坏续流路径;反向体二极管会导致输出短路至地;反向体二极管还增加了驱动高边MOSFET的难度。因此,反接高边MOSFET会导致电路失效,应遵循电路工作原理设计。
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  • 安世停摆,国产MOSFET为何接不住订单
    2025年9月30日,荷兰政府对中国闻泰科技旗下全资子公司——安世半导体的一纸“禁令“限制了闻泰科技对安世半导体的控制权,直接导致了占安世半导体70%产能的中国工厂停摆。安世半导体作为全球功率半导体领域的领军企业之一,其产品覆盖MOSFET、IGBT、二极管等关键器件,广泛应用于新能源汽车的电机控制、车载电源管理、BMS电池管理系统、车灯控制等系统。 尤其在车规MOSFET领域,安世半导体与英飞凌
  • Car Vacuum Teardown: Chinese Chips Inside
    NOTE:Click here for the Chinese version. It's hard to say exactly when it started, but small appliances have become increasingly popular among contemporary consumers. Both traditional home appliance m
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    10/30 08:14
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