MOSFET

• 不含电阻分压器的调节环路

  作者：Frederik Dostal，电源管理专家 摘要 新设计的控制环路架构能够产生超低的噪声电压，并且可同时适用于线性稳压器与开关稳压器。除了实现低噪声外，这种架构还使得噪声水平与设定的输出电压无关。这也使得可以实现低至0 V的超低输出电压。 电源转换器通常包含控制环路，无论输入电压或负载电流如何变化，都能维持设定的输出电压。 电阻分压器常常被用于检测输出电压。图1展示了一个降压型稳压器电路。

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  02/06 09:57

  MOSFET ADI

  
• 南芯科技发布高性能全桥驱动芯片，驾驭汽车智能驱动未来

  南芯科技（证券代码：688484）发布 SC77870XQ 系列全桥电机驱动芯片，集成电流监测和全面的诊断功能，可输出最高 12A 电流，高效驱动 12V 汽车系统中的有刷电机和电磁阀应用，包括热管理系统、域控、底盘、门控、燃油车阀门等。SC77870XQ 符合 AEC-Q100 标准，基于全国产供应链，具有超小封装及过电流能力，助力客户推动下一代车身控制系统的升级。 高度集成，高效驱动 市场报告

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  02/04 14:23

  MOSFET 驱动芯片

  
• 散热设计不良会导致 MOSFET 过热失效？MDD辰达半导体一文讲透

  一、问题背景 在电源、BMS、车载电子、电机驱动等应用中，MDD辰达半导体的 MOSFET 常年工作在大电流、高频、高环境温度条件下。很多现场失效案例中，MOSFET 本身参数选型并不低，但仍然频繁烧毁，最终溯源发现，根本原因并非器件质量，而是散热设计不良。 散热问题往往是“隐性故障”，短期测试可能正常，但在长期运行或高温环境下极易暴露。 二、MOSFET 过热失效的典型机理 1、结温持续超标 M

  MDD辰达半导体

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  02/03 09:35

  半导体 MOSFET
• Xiaomi Air Pump 2 PRO Teardown

  I remember when I first disassembled the first-generation Xiaomi Air Pump, Xiaomi hadn't started making cars yet. Now, Xiaomi has launched two new energy vehicles, the SU7 and the YU7. Coincidentally,

  曹顺程

  2005

  01/29 08:52

  拆解 MOSFET

  
• 意法半导体推出微型高效同步整流控制器

  意法半导体日前推出了SRK1004系列同步整流控制器，在充电器、电源适配器、开关电源等产品设备中，新产品可以为有源钳位、谐振和准谐振反激式(ACF、AHB、QR)转换器的副边电路节省空间，提高能效。这款尺寸仅为2mm x 2mm的微型芯片取代SRK1001，采用一个新的能效和鲁棒性更高的关断算法。 SRK1004 系列共有六款产品，提供逻辑电平和标准电平两种MOSFET栅极驱动选择，关断延迟有25

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  01/27 13:04

  意法半导体 MOSFET

  
• 车载散热器风扇MOSFET热性能解析：热阻、封装与质量体系的协同作用

  车载散热器风扇是维持发动机正常工作的关键部件，其驱动电路中的MOSFET长期处于发动机舱60-120℃的高温环境，且需持续运行（如城市拥堵时可能连续工作数小时）。若MOSFET散热不良，结温（Tj）会快速上升至超过额定值（通常175℃），导致性能下降甚至失效。因此，针对散热器风扇的MOSFET热管理，需聚焦“降低热量产生”与“加快热量传导”两大核心——这正是热阻参数、封装技术与质量体系共同作用的领

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  01/26 16:19

  MOSFET 散热器
• 电动移门系统中车载MOSFET的选型关键：从电机控制需求看频繁开关与低损耗要求

  汽车电动移门作为提升用户便利性的核心配置，其电机控制的可靠性直接影响用户体验——每天多次开关门的高频场景下，负责电机驱动的MOSFET不仅要承受频繁的开关动作，还要尽可能降低导通损耗以避免过热失效。本文从电动移门的电机控制需求切入，拆解该场景下MOSFET的核心要求，帮你理清“频繁开关”“低导通损耗”等指标的实际意义与选型逻辑。 电动移门的开启/关闭依赖直流电机的正反转控制：当用户触发开门指令时，

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  01/26 16:18

  MOSFET 电机控制
• MOSFET栅极驱动电路分享

  本文介绍了三种常见的MOS管驱动电路：IC直接驱动型、图腾柱电路增强驱动和加速MOS管关断电路。IC直接驱动简单但需要考虑驱动电流和MOSFET寄生电容的影响。图腾柱电路能提高驱动能力，加快充电过程。加速关断电路则利用二极管和电阻降低关断时间和损耗，同时保持电路可靠性。这些方法有助于优化MOS管的驱动性能。

  时科

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  01/26 15:05

  MOSFET 栅极驱动电路
• Xiaomi Wireless Vacuum Cleaner Teardown

  In today's era of pursuing extreme convenience in home living, cordless vacuum cleaners have gradually evolved from high-end home appliances into mass consumer goods. Since its launch, the Xiaomi Miji

  曹顺程

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  01/23 08:37

  拆解 MCU

  
• 从选型到应用：MOSFET性能优化的核心之道

  随着电子技术的进步，MOSFET在电源管理、电机驱动和功率转换设备中的作用愈发重要。选择优质的MOSFET是提高系统可靠性和能效的关键。時科推出的SKQ80N03AD N-MOS产品以其低导通电阻、高耐压和高效率等特点，适用于低压大电流场景，如DC-DC转换器和低压电源管理。该产品在不同条件下的导通电阻分别为5.1mΩ和11.1mΩ，且具备±20V的栅-源电压和80A的连续漏电流，适用于高功率应用。此外，SKQ80N03AD采用PDFN5060封装，具有优异的散热性能和广泛的温度适用范围，是电源管理和功率应用的理想选择。

  时科

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  01/20 09:36

  MOSFET

  
• MOSFET和三极管ON状态有什么区别？

  MOSFET和三极管在ON状态下的参数使用有所不同，三极管通常用饱和Vce，而MOSFET则用Rds。三极管饱和区的Ice难以简单由Vce决定，故常用饱和Vce表示；MOSFET在ON状态处于线性区，Ids主要由Vgs和Vds决定，常采用Rds表示。此外，MOSFET的D和S端虽可互换，但在实际应用中，其特性仍取决于定义的D和S端，特别是对于功率MOS，有时会在D端做轻掺杂区耐压。

  时科

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  01/19 14:17

  MOSFET 三极管
• 小米无线吸尘器拆解：“适度设计”的精髓

  在如今这个追求极致便捷的家居时代，无线吸尘器已经从高端家电逐渐演变为大众消费品。小米米家随手无线吸尘器自上市以来，就以极高的性价比和紧凑的设计赢得了大量消费者的青睐。相比于市面上动辄数千元的高端无线吸尘器，小米这个随手吸尘器更像是一个“够用就好”理念的极致体现。它没有夸张的吸力参数，没有复杂的智能功能，却在有限的成本和体积约束下，实现了基础清洁功能的最大化。 从外观上看，小米随手无线吸尘器延续了生

  曹顺程

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  01/19 09:01

  拆解 MOSFET

  
• 辐射工业市场，南芯科技推出可并联大电流POL

  南芯科技（证券代码：688484）宣布推出面向工业市场的可并联大电流负载点电源 (POL, Point of Load) SC812C0，为边缘计算 SoC、通信设备、服务器、交换机等场景提供高效率、高瞬态性能的电源管理解决方案。SC812C0 尺寸仅 4mm*5mm，兼容 PMBus 接口，单芯片可支持 30A 输出电流，同时可扩展至最多 8 个模块的并联，实现最高 240A 的大电流供电应用。

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  01/19 07:08

  MOSFET DC-DC

  
• 菜鸟选择MOSFET的四步骤！

  一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的第一页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点

  时科

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  01/13 09:34

  MOSFET
• MOS管开关时的米勒效应！

  米勒平台是MOSFET栅极驱动过程中的一种现象，表现为在MOSFET开通初期，Vgs电压上升缓慢并形成平台。这是由于米勒效应导致的，即栅极电容Cgd在MOSFET开通瞬间通过漏极电容Cds进行充电，造成Vgs电压上升延迟。这种现象会导致开通损耗增加，并影响MOSFET的开关速度。为了减小米勒效应的影响，通常会在栅极和源极间添加额外电容，但这样做会延长开关时间。

  时科

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  01/13 09:26

  MOSFET MOS管
• 英飞凌 CoolMOS 8 为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）凭借其硅基功率 MOSFET 技术 CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET 产品系列，助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓

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  01/08 09:43

  英飞凌 碳化硅

  
• Diodes 公司推出超低 VCE(sat) NPN与 PNP 双极型晶体管

  Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列，扩充符合汽车规范的双极型（Bipolar）晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管，提供业界领先的传导效率与热性能，针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。 两个系列的十二款高性能器件支持广泛的电压范围，适用于12伏、24伏和48伏汽车系统。这些器件适用于栅极驱

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  01/06 10:00

  MOSFET 晶体管

  
• IGBT/SiC MOSFET 工业级并联设计准则：电流均衡四大核心维度实操指南

  IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 并联是提升功率系统输出能力的核心方案，但其核心痛点是静态 / 动态电流不均衡，可能引发器件热失控、寿命缩短甚至烧毁。工业级设计的关键的是通过 “器件参数匹配、电路拓扑对称、驱动同步控制、热管理均衡” 四大维度，将电流不均衡系数控制在 10% 以内，同时适配两者特性差异，确保高功率场景下的可靠性。

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  2025/12/31

  MOSFET IGBT
• 技术干货丨使用REXFET MOSFET降低RDS（on）

  瑞萨电子的REXFET-1工艺通过分离栅结构和超结技术改进，实现了更低的导通电阻和更高效的开关性能，适用于大电流应用。该工艺降低了导通损耗和散热，提高了功率密度，并且具备低栅极电荷和电容，优化了开关特性。REXFET-1器件在BLDC电机驱动系统中表现出了良好的性能，特别是在电压振荡和尖峰方面优于竞品器件，同时提供了多种封装选项以适应不同应用需求。

  瑞萨电子

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  2025/12/31

  MOSFET
• 专为12 V电池防反接设计的保护器件TPSMB非对称瞬态抑制二极管

  创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今天宣布推出TPSMB非对称系列 瞬态抑制二极管 (TPSMB2412CA, TPSMB2616CA, TPSMB2818CA, TPSMB3

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  2025/12/23

  MOSFET ESD

  

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