MOSFET

• 郑州大学发布：金刚石MOSFET研究新成果

  随着第三代、第四代半导体技术的发展，金刚石因其超宽禁带、高热导率、高击穿场强以及优异载流子迁移率，被认为是下一代高功率、高频电子器件的重要候选材料。尤其是在高温、高压和高功率密度应用场景中，金刚石器件展现出明显潜力。 相比传统硅基器件，氢终端金刚石（H-diamond）器件能够利用表面二维空穴气形成导电沟道，从而绕开金刚石掺杂激活能高的问题，因此近年来受到广泛关注。 近期，来自郑州大学单崇新研究团

  DT半导体

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  05/14 22:35

  MOSFET 金刚石
• 东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD系列IC样品

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。作为东芝“SmartMCD™”[1]电机控制器件系列的最新成员，TB9M040FTG集成了微控制器（MCU）与电机驱动电路，可直接驱动3相直流无刷电机，适用于控制车载设备中使用的小型电机。 随着车辆可动部件电动化持续推

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  05/14 10:58

  MOSFET 电机驱动

  
• 脉冲 I‑V 测试在 MOSFET 器件表征中的应用与实现

  在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。 相比连续直流测试，脉冲测试通过在极短时间内施加激励，可显著降低器件自发热（焦耳热）对测量结果的影响，从而更准确地表征器件的本征特性。这一优势使脉冲测量被广泛应用于纳米器件、功率器件及晶圆级测试等场景，尤其

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  04/30 12:26

  MOSFET IGBT

  
• 空间与性能的双重突破：瑞斯特半导体 RSTD60C40 双路 MOSFET 解决方案

  在2026年的今天，随着笔记本电脑、便携式医疗设备及高性能电池供电系统向极致轻薄化演进，电源管理工程师正面临着严峻的挑战：如何在寸土寸金的PCB板上，同时实现高效率与高可靠性？来自瑞斯特半导体（RSTTEK）的 RSTD60C40双路增强型MOSFET，凭借其独特的N/P沟道集成设计，为这一难题提供了完美的答案。 黄金组合：N/P沟道性能的极致平衡 瑞斯特半导体RSTD60C40 并非简单的元件堆

  eefocus_4229465

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  04/29 09:31

  MOSFET
• 意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能，缩减 PCB面积，适合配电应用

  意法半导体推出一系列低导通电阻 (RDS(on))的MOSFET功率开关管。系列产品采用智能 STripFET F8技术，其设计旨在实现最佳的导电性能和较小的芯片尺寸，面向汽车配电系统、电池管理系统等空间受限的应用场景。 新系列首款产品STL059N4S8AG是一款 40V/420A N 沟道增强型 MOSFET，导通电阻 RDS (on)为0.59mΩ，采用 PowerFLAT 5x6 封装。紧

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  04/28 07:14

  pcb 意法半导体

  
• MOSFET Datasheet关键参数详解与AON7544选型设计指南

  MOSFET datasheet参数详解及选型建议，涵盖绝对最大额定值、热特性和静态、动态参数。针对不同应用场景，重点关注Qg、Qgd、Crss、RDS(on)等参数。举例分析AON7544在DC-DC电源、电机驱动、反激同步整流和汽车工业中的应用选型。

  蜡笔小电芯

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  04/22 17:15

  MOSFET MOS管

  
• 从系统架构到功率元件：电机驱动核心技术详解

  如今许多常见的电机类型都需要依赖强大的微控制器来处理复杂算法，否则将难以实现高效运行；例如永磁同步电机 (PMSM) 和无刷直流电机 (BLDC) 都需要进行大量的数学计算才能高效运作。微控制器通常更擅长处理复杂的计算任务，而非提供精确的功率输出。尽管部分微控制器集成了能够提供一定驱动力的电路，但在大多数应用中仍需要专用的电源系统来确保稳定供电。 本文将介绍电机驱动的架构，以及其中各主要部件的作用

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  04/22 09:32

  MOSFET IGBT

  
• XZ1801H 是一款集成 650V MOSFET 的高效低成本离线式恒压调节器芯片

  一、产品概述 XZ1801H 是一款集成 650V MOSFET 的高效低成本离线式恒压调节器，专为 Buck 和 Buck-Boost 拓扑设计，默认输出电压为 12V/18V。该芯片外围器件需求少，可大幅降低系统 BOM 成本；轻载时自动进入绿色模式，通过降低电感峰值电流和开关频率提升能效，同时优化负载调节性能，广泛适用于对成本、效率和可靠性有高要求的电源系统。 二、核心特性 低成本设计：系统

  科芯创展

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  04/16 09:15

  MOSFET 调节器
• eFuse如何助力汽车电气化

  保险丝是汽车电路中历史悠久的一个存在。当电路系统出现故障时比如某个负载损坏，其后果可能是危险的，比如负载短路引起设备被整体毁坏，引发起火等更进一步的严重危害。保险丝是抵御这些危险过载和短路的重要元件。保险丝内含金属线或金属条，当电流过大时会熔断，切断电路并防止设备系统损坏或进一步危害发生。汽车电路中，传统设计采用可熔断型保险丝，很多保险丝密集设计在一个盒子内，其位置一般会放置在需要更换时方便打开的

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  04/14 10:46

  MOSFET SPI接口

  
• 9000V 突破之后，别再走碳化硅的老路！

  武汉九峰山实验室成功研制出击穿电压高达9.02kV的氧化镓横向MOSFET，标志着国内在超高压氧化镓功率器件领域达到国际先进水平。此次突破不仅展示了高性能的器件结构设计，还强调了使用国产材料的重要性，提升了自主可控能力。此外，九峰山实验室在氧化镓器件的专利申请量领先全球，并对外提供衬底、外延片和流片服务，推动行业共同发展。 然而，国内氧化镓产业仍面临诸多挑战，包括材料量产难题、器件研发滞后、产业链配套不足以及资本投入不足等问题。尽管如此，氧化镓具有巨大的市场潜力，尤其是在超高压领域的应用前景广阔。因此，应吸取碳化硅的经验教训，注重材料工艺、产业链配套和应用场景的全面发展，以实现氧化镓的商业化成功。

  碳化硅内参

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  04/11 09:55

  MOSFET 氧化镓

  
• 2026-Q2-海川HICHON产品目录

  海川半导体专注于高性能、高品质的数模混合集成电路芯片研发和销售，提供锂电池管理芯片、快充协议、DC-DC转换器、LDO线性稳压器、OVP保护芯片、触摸系列、LED驱动芯片、马达驱动芯片和MOSFET等多种芯片产品，服务于无线网络、移动设备、工业控制等领域。

  海川半导体

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  04/10 09:58

  MOSFET LED驱动芯片
• Audi headlight driver board teardown

  In the automotive industry, Audi is renowned as the "lamp manufacturer." This reputation comes not only from the futuristic and avant-garde design of its headlights but also from the extreme complexit

  曹顺程

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  04/03 15:22

  拆解 MCU

  
• Diodes推出行业领先的 100V PowerDI8080-5 封装 MOSFET

  Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行业领先的超低RDS（ON）100V MOSFET，扩充其PowerDI8080-5 汽车级*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8mm x 8mm海鸥翼引线器件均设计用于最大限度降低导通损耗、减少热量产生，并提升整体效率。其应用涵盖电池电动汽车（BEV）、混合动力汽车（HEV）及内燃机（ICE）平台中的无刷直

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  04/02 09:02

  MOSFET 电机驱动

  
• Vishay推出车规级光伏MOSFET驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本

  器件开路电压为20 V、短路电流20 μA、导通时间80 μs，采用SMD-4封装，模塑材料CTI达600，爬电距离8 mm 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款首度采用紧凑型SMD-4封装的全新车规级光伏MOSFET驱动器---VODA1275，爬电距离为8 mm，模塑材料相对漏电起痕指数（CTI）达600。Visha

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  04/01 09:03

  MOSFET 驱动器

  
• ADI 先进浪涌抑制器技术分析

  作者：David Zhang 公司：骏龙科技 对一名电源设计工程师而言，在设计电源方案时，总是希望前端输入是理想的，没有过冲、负压、短路等情况。然而实际的系统输入大多数不稳定，会存在过冲谐振、反压以及短路等风险，这些不稳定的因素会对后端器件或者设备造成严重的损害，因此我们急需一种保护电路来控制这些不稳定的输入因素。 相比于传统保护手段，ADI在该保护领域拥有领先的技术优势。ADI的浪涌抑制器件已经

  骏龙科技有限公司

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  03/30 14:54

  MOSFET ADI

  
• 小米SU7无线充电模块拆解：风冷压阵，国产芯上位

  小米SU7作为新能源汽车圈的现象级产品，其每一个细节都备受关注。之前与非网拆解过小米SU7前大灯驱动板、车载快充模块、车联网模块T-BOX等零部件，此次将拆解SU7的另一个代表性零部件——车载无线充电模块，与市面上常见的后装车载无线充电器不同，前装模块需要满足更为严苛的车规级要求。 具体产品如上图所示，这是一个50W功率的无线充电模块，模块上集成主动散热系统，可以通过散热风扇将充电过程中产生的热量

  曹顺程

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  03/30 07:41

  拆解 MCU

  
• Microchip推出全新BZPACK mSiC功率模块，专为恶劣环境下高要求应用而设计

  Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出BZPACK mSiC®功率模块，专为满足严苛的高湿、高电压、高温反偏（HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK模块可提供卓越可靠性、简化生产流程，并为最严苛的功率转换应用提供丰富的系统集成方案。该模块支持多种拓扑结构，包括半桥、全桥、三相及 PIM/CIB 配置，为设计人员提供优化性能、成本与系统架构的灵活空间。 BZPAC

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  03/20 11:32

  MOSFET Microchip

  
• BMW Headlight Driver Board Teardown

  From traditional halogen lamps and xenon lamps to today's LED matrix headlights, lighting technology is not only crucial for nighttime driving safety but has also become an important perception and ex

  曹顺程

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  03/20 09:09

  拆解 MCU

  
• 车载MOSFET的AEC-Q101认证深度解析：测试项目、标准差异与应用场景

  车载MOSFET作为汽车电子系统的核心功率开关，其环境适应性直接关系到整车电气系统的安全。AEC-Q101认证是车规分立半导体的行业准入门槛，明确了器件在极端物理与电气环境下的性能底线。本文将从认证标准、测试机理与具体场景约束出发，深度解析AEC-Q101的核心内涵。 一、 概念澄清：AEC-Q101认证的定义 AEC-Q101 是由汽车电子委员会制定的车规分立半导体可靠性测试标准，专门适用于 M

  eefocus_4067849

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  03/18 11:53

  MOSFET 车规级
• 【新品发布】圣邦微电子推出带电池反接保护的低静态电流车规级理想二极管控制器 SGM25733Q

  SGM25733Q 是一款专为汽车应用设计的理想二极管控制器，可作为理想二极管整流器使用。它搭配外部 NMOS 管，能够提供低损耗的反极性保护，其正向压降仅为 20mV。该器件拥有 3.2V 至 65V 的宽电源输入范围，能够轻松应对汽车电池系统中常见的各种直流总线电压，如 12V、24V 和 48V。它支持低至 3.2V 的输入电压，非常适合对冷启动条件要求严苛的汽车系统。此外，它还能保护连接的

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  03/17 11:19

  MOSFET NMOS

  

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