MOSFET

• 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 随着AI处理需求持续扩大，数据中心的功耗需求不断增加；同时，通信基础设施的发展也进一步提高了开关电源在高效率、小型化（高功率密度）和低电磁干扰（EMI）方面

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  06/30 10:06

  数据中心 MOSFET

  
• 特斯拉车身控制器拆解：元器件密密麻麻，看呆了

  与传统汽车按功能分散布置多个控制单元不同，特斯拉采用了按物理位置划分的前、左、右车身域控制器架构，这种做法的直接收益是缩减线束长度与复杂度、降低整车装配难度与成本，同时为后续的功能迭代预留了空间。本期内容与非网将拆解一个特斯拉的前车身控制器。 拆解 拆解后内部就单一一块主板，但是PCB板上元器件密密麻麻，大多数都是MOSFET，电路布局相当复杂。 但是与之反差的是PCB板背面，居然没有放置任何元器

  曹顺程

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  06/29 08:15

  拆解 MCU

  
• 三极管的饱和区和MOSFET的饱和区是一回事吗？

  在大学里刚开始学习模拟电子时，很多人都会被一个问题困扰：三极管有饱和区，MOSFET也有饱和区，那么它们是不是同一个概念？有些教材甚至会进一步造成误导，教材会告诉你MOSFET工作在线性区时，像一个电阻，MOSFET工作在饱和区时，像一个恒流源。

  硬件那点事儿

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  06/23 08:02

  MOSFET 三极管
• 符合ISO 21780标准，意法半导体48V车规预驱动器现已量产

  意法半导体 L98GD8E是一款48V车规预驱器，绝对最大额定电压为 75V，是为数不多的既符合ISO 21780汽车48V 电气系统标准又集成八路高低边驱动通道的车规预驱芯片。 该芯片的八路输出均可单独配置为驱动外接 N 沟道、P 沟道高边 MOS 开关管或 N 沟道低边 MOS 开关管，让开发者灵活地控制各种负载配置。一颗芯片最多可以控制两个H桥直流电机驱动电路，或者控制多路继电器、阻性负载或

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  06/17 16:15

  意法半导体 MOSFET

  
• ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 × 2.3mm）两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散

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  06/16 14:56

  MOSFET 封装

  
• 碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET

  摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介

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  06/16 10:25

  碳化硅 MOSFET

  
• 如何破解AI数据中心能效难题？

  功率半导体市场景气度回升，多家厂商调价。安森美推出T10 MOSFET技术，低损耗、高效率，适合数据中心、工业电源和云计算平台。

  安富利

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  06/12 10:09

  MOSFET 功率半导体

  
• JSM12N60C 600V N沟道增强型功率MOSFET

  在电力电子行业飞速发展的当下，开关电源、有源功率因数校正（PFC）等电路早已渗透到工业设备、智能家居、新能源配套等诸多领域。而功率MOSFET作为电能转换与电路开关的核心元器件，其性能、稳定性与使用寿命，直接决定了整套设备的效率、安全性与综合体验。今天，杰盛微为广大硬件工程师、电路设计师、采购从业者带来一款综合性能出众的N沟道高压功率MOSFET——JSM12N60C。这款600V等级MOSFET

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  06/09 09:47

  MOSFET
• JSM8N60F 600V N 沟道增强型 MOSFET

  在电源产业国产化加速的当下，高压 600V MOSFET 作为 AC-DC 电源、工控设备、智能家居电源的核心元器件，市场需求持续攀升。8N60 是电源行业经典通用型号，长久以来大量应用在各类开关电源产品中。杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率半导体研发制造，推出 TO‑220F 封装 N 沟道 MOSFET——JSM8N60F，依托稳定的工艺管控与出色的电气性能，成为众多电源厂商进口替代主力型

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  06/06 11:16

  MOSFET
• Li Auto L9 Headlight Driver Board Teardown

  Today we are disassembling a Li Auto L9 headlight driver board. Inside, there is a single PCB. Let's take a closer look at the specific components on it. Infineon 32-bit automotive-grade microcontroll

  曹顺程

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  06/04 13:55

  拆解 MOSFET

  
• 碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案

  摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。本文为第二篇，将介绍三种替代Si和SiC MOSFET的方案。 （一）SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cas

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  06/03 12:43

  碳化硅 MOSFET

  
• Diodes 公司单芯片同步降压控制器搭配 USB PD3.1 源控制器

  Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出 APK43070Q，这是一款高度集成、符合汽车标准的同步降压控制器，并集成 USB Type-C® PD3.1 源控制器。这种集成度减少了外部元件数量，降低了物料清单（BOM）成本，并简化了高功率USB Type-C充电端口的设计。典型应用包括车载单端口和多端口 USB Type-C 充电模块。 该器件工作输入电压范围为 4V

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  06/03 09:00

  MOSFET Diodes

  
• 理想L9大灯驱动板拆解：国产车灯供应链真相

  理想汽车算是中国新能源车企中极为特殊的一类，在互联网上的风评也褒贬不一，爱的爱死，骂的骂死，但不管怎样，理想汽车依旧是中国新能源汽车的第一梯队。因此，本期与非网准备拆解理想L9电动SUV上的矩阵式LED大灯驱动板，看看这个主打家庭概念的豪华汽车在LED照明方案中又是怎样选择的？ 从大灯驱动板零部件的商标信息上可以看到，供应商是科博达，照明控制系统算是它的核心业务之一，其它外观方面基本没进一步的信息

  曹顺程

  1622

  06/01 08:29

  拆解 汽车电子

  
• ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1，D

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  05/29 07:04

  MOSFET ROHM

  
• 异质外延金刚石MOSFET研究取得进展：导通电阻降低两个数量级

  韩国工学大学与日本Orbray合作，提出一种“选择性p+再生长”结构方案，成功实现超过800 V的击穿电压，并显著降低器件接触电阻，展示了异质外延金刚石MOSFET在高温、高功率和高频场景下的独特优势。

  DT半导体

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  05/27 18:07

  MOSFET 金刚石
• 光耦+MOSFET如何重塑信号开关？

  光伏输出光耦与功率MOSFET组合的“固态化”方案，以其无磨损、高速度和低功耗的优势，在现代工业控制、通信设备、智能电表及BMS领域逐渐取代传统机械继电器。该方案利用光伏输出光耦的光生伏特效应产生电压，配合功率MOSFET实现大电流、高电压的负载控制，显著提升系统性能并延长使用寿命。

  先进光半导体

  477

  05/25 07:50

  MOSFET 光耦
• 強茂 四十載 耀未來，揭下一個黃金十年成長佈局

  AI Ecosystem與全球車用智慧化雙引擎從台灣走向歐美日核心市場 全球 IDM 功率半導體廠商強茂（PANJIT）創立於 1986 年，深耕功率半導體四十載，現已發展為業務橫跨 50 餘國，並成為全球AI運算、雲端服務、車載應用與資通訊產業領導品牌長期信賴的關鍵供應夥伴，2025 年合併營收達新台幣 130.9 億元。功率半導體如同支撐現代科技產業運作的「工業之米」，廣泛應用於各式電子系統與

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  05/22 14:47

  AI MOSFET

  
• Wolfspeed 新推出两款 3.3 kV 碳化硅功率模块系列，助力应对能源需求的激增

  全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司（纽约证券交易所代码：WOLF）推出了两款全新的 3.3 kV 碳化硅（SiC）功率模块系列 — 采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块，以及可扩展的全桥无基板模块 — 旨在应对由人工智能（AI）数据中心及更广泛的能源转型所带来的迫在眉睫的电力瓶颈问题。为了应对当前这一挑战，需要开发出比纯硅（Si）技术更快速、更小型、更高效率、更具成本效益

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  05/22 09:48

  碳化硅 MOSFET

  
• 郑州大学发布：金刚石MOSFET研究新成果

  随着第三代、第四代半导体技术的发展，金刚石因其超宽禁带、高热导率、高击穿场强以及优异载流子迁移率，被认为是下一代高功率、高频电子器件的重要候选材料。尤其是在高温、高压和高功率密度应用场景中，金刚石器件展现出明显潜力。 相比传统硅基器件，氢终端金刚石（H-diamond）器件能够利用表面二维空穴气形成导电沟道，从而绕开金刚石掺杂激活能高的问题，因此近年来受到广泛关注。 近期，来自郑州大学单崇新研究团

  DT半导体

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  05/14 22:35

  MOSFET 金刚石
• 东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD系列IC样品

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。作为东芝“SmartMCD™”[1]电机控制器件系列的最新成员，TB9M040FTG集成了微控制器（MCU）与电机驱动电路，可直接驱动3相直流无刷电机，适用于控制车载设备中使用的小型电机。 随着车辆可动部件电动化持续推

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  05/14 10:58

  MOSFET 电机驱动

  

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