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一次性可编程存储器。eFuse的诞生源于几年前IBM工程师的一个发现：与更旧的激光熔断技术相比，电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程，不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V)，一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。

一次性可编程存储器。eFuse的诞生源于几年前IBM工程师的一个发现：与更旧的激光熔断技术相比，电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程，不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V)，一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。收起

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