【新品发布】高性能、高可靠，佰维推出高品质DDR5内存模组

随着PC、服务器等应用终端不断升级迭代,其在数据存储上对低延迟、低功耗、高速度、大带宽等提出了越来越高的要求,导入拥有更高性能、更稳定可靠的DDR5内存模组或将成为更好的存储解决方案。近期,佰维新推出高品质DDR5 UDIMM、SODIMM内存模组,以更好应对市场挑战。

佰维DDR5内存产品特点

01 数据传输速率大幅提升,轻松实现多任务处理
佰维DDR5 UDIMM和SODIMM内存模组数据传输速率达4800Mbps,突发长度和预取长度扩展到16位,使得存储器单一读写指令可存取的数据量是DDR4的两倍;此外,DDR5每个模块均拥有两个独立的32位I/O子通道,双通道设计在保证大带宽的同时,可提高存储器存取效率,大幅缩短存取延迟,提高信号完整性,保障PC等终端轻松实现多任务处理。

02 更低电压与崭新电源架构,有效降低功耗
佰维DDR5模组工作电压从DDR4的1.2V降低至1.1V,将电源管理系统从主板拆分,集成IC至模组本身(PMIC),可更高效控制系统电源负载,调节电源纹波、电压和上下电时序,提升信号完整性与兼容性,并有效降低功耗。

03 芯片单元容量翻倍,提供更多容量选择
佰维DDR5采用八个Bank Group组成的32 Banks,相较于DDR4的16 Banks增加一倍,提升了单片芯片存储密度,单条容量相应提升,为内存模组容量提供8GB～32GB的多种选择。

04 On-Die ECC纠错+智能温感控制,高稳定、高可靠
佰维DDR5模组采用高品质晶圆颗粒,支持片内纠错(On-Die ECC)机制,每128位元数据就附带8位元纠错码;产品使用一组差分信号(DQS_t和DQS_c)来捕获数据,一组差分时钟(CK_t和CK_c)来捕获命令、地址和控制信号,差分时钟和数据选通确保了这些信号的特殊抗噪性,并提供精确的触发沿来捕获输入信号,大大提高了模组的数据传输可靠性;此外,佰维DDR5模组支持智能温感控制,可有效避免存储器因过度发热、温度过高造成数据丢失。

未来展望

当下,除传统应用终端(如手机、PC、服务器等)迅速更新迭代外,5G、AI等新兴技术亦不断发展,随之而生的各种应用终端迅速占领市场,对高效能运算提出要求。DDR5在性能上的巨大飞跃使其能广泛应用于上述领域(PC、服务器、AIoT、5G应用),并为AR/VR设备、边缘计算、工控等各种高性能、高可靠需求领域终端赋能。

佰维积极布局DDR5内存模组,构建全栈产品线,公司的全栈测试能力也为DDR5产品提供量产品质保证。未来,佰维将继续充分发挥研发封测一体化优势,在已量产的DDR5 UDIMM、SODIMM产品基础上,开发生产DDR5 RDIMM产品,全力推动DDR5时代的到来。