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RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。
凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低RDS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满足严苛的热插拔应用要求。此外，Nexperia还发布了一款80 V ASFET产品PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用48 V电源轨的增长趋势，在这些应用中，环境条件允许MOSFET采用较低的VDS击穿电压额定值。
在热插拔和软启动应用中，具有增强型SOA的ASFET越来越受市场欢迎。当容性负载引入带电背板时，这些产品强大的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少。当ASFET完全导通时，低RDS(on)对于最大限度地降低I2R损耗也同样重要。除了RDS(on)更低且封装尺寸更紧凑之外，Nexperia的第三代增强SOA技术与前几代D2PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进（在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为33 A和30 A）。
Nexperia的另一项创新在于，用于热插拔的新型ASFET完整标示了25°C和125°C下的SOA特性。数据手册中提供了经过全面测试的高温下SOA曲线，设计工程师无需进行热降额计算，并显著扩展了实用的高温下SOA性能。
到目前为止，适合热插拔和计算应用的ASFET通常采用较大尺寸的D2PAK封装(16x10 mm)。LFPAK88封装是D2PAK封装的理想替代选项，空间节省效率高达60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)仅为2.3 mΩ，相较于现有器件至少降低了40%。 LFPAK88不仅将功率密度提高了58倍，还提供两倍的ID(max)额定电流以及超低热阻和电阻。该产品结合了Nexperia先进的晶圆和铜夹片封装技术的功能优势，包括占用空间更小、RDS(on)更低以及SOA性能更优。Nexperia还提供采用5x6 mm LFPAK56E封装的25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列产品，并针对需要更小PCB管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。
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