芯耀
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1. CUSCRB
全称：Copper Scrubbing
含义：指铜互连制程中使用机械或化学方法清除铜表面氧化层或微颗粒的工艺，确保铜互连层的表面洁净，改善导电性能。
应用：用于铜化学机械抛光（CMP）后或氧化清洗后，防止界面污染，提升后续接触电阻性能。
2. ULKCD
全称：Ultra-Low-k Chemical Deposition
含义：指超低介电常数（k值）材料的化学沉积工艺。这些材料用于降低芯片的寄生电容，从而提升信号传输速度并减少功耗。
关键技术：常采用 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）或 spin-coating（旋涂法）。
应用：在先进工艺（如5nm、3nm节点）中，为满足高性能要求，ULK材料广泛用于互连层间的绝缘。
3. HDPCVD
全称：High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition
含义：高密度等离子体化学气相沉积工艺，用于沉积薄膜（如SiO₂或SiN）。此工艺结合高能量等离子体和化学反应沉积薄膜，具有低应力、高密度的特性。
优势：
沉积速率快，均匀性好。
适用于深沟槽结构（如隔离层填充）。
应用：用于铜互连中的隔离层（如ULK材料沉积前的基底钝化）。
4. CUHET
全称：Copper Heat Treatment
含义：铜热处理工艺，用于优化铜互连结构的晶体质量和导电性。通过加热使铜晶粒生长，减少晶界，从而降低电阻并提升电迁移耐性。
应用：在铜互连完成后，通常配合退火工艺，改善铜层性能并提升可靠性。
5. CUCMP
全称：Copper Chemical Mechanical Polishing
含义：铜化学机械抛光工艺，专为铜互连制程开发，用于平整化表面并去除过多的铜沉积。
关键点：
结合机械抛光和化学腐蚀作用。
需精确控制以避免铜过度去除。
应用：用于多层铜互连的表面平整化，确保后续工艺的成功进行。
6. CUSPUT
全称：Copper Sputtering
含义：铜溅射沉积工艺，用于沉积铜薄膜以形成互连结构。此工艺通过物理气相沉积（PVD）在晶圆表面溅射一层均匀的铜薄膜。
优势：
可沉积高纯度铜膜。
配合电镀（Electroplating）使用。
应用：用于先进节点中铜互连的种子层沉积。
7. ALSPUT
全称：Aluminum Sputtering
含义：铝溅射沉积工艺，用于沉积铝薄膜以形成互连层或金属接触层。通过PVD技术将铝薄膜均匀覆盖在基材上。
优势：
铝具有优异的导电性能。
成本较低，适合传统制程节点。
应用：主要用于较老节点（如90nm及以上）的互连金属层，但在先进节点中逐渐被铜替代。
