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技术干货丨高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

07/24 10:45
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Gabriele Clapier,Power System Marketing Manager

随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高,功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿,为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里,我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战,并探讨一些行业用例。

GaN和Cascode D-Mode架构的优势

与传统的硅基器件相比,GaN具有许多优势,包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷,这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率,从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。

GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置,通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对,以创建常闭器件。

这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性,同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性,使其成为高效电源应用的首选解决方案。在D-Mode架构白皮书中阅读更多内容。

主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车

可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用,因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统,通过提供更快的充电和更高的能源转换率,实现便携性的设计目标。

有关更多详细信息,请参阅240W USB PD AC/DC适配器解决方案,并查看电源适配器充电器解决方案页面了解更多资源。

随着电动汽车的加速采用,智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面,了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。

现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用,可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能,同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度,正在彻底改变功率转换,这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计,并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。

GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能,在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如,在上述EV系统中,将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中,可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率,减小了尺寸和重量,最终延长了行驶里程和可靠性,这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。查看其他EV充电基础设施解决方案以了解更多信息。

在不断增长的电动两轮车市场中,高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数,RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能,从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统,延长电池寿命并改善加速性能。

总结

GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术,瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步,这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。

要了解有关瑞萨电子GaN和MOSFET解决方案的更多信息并获取数据手册和样品,请查看我们的GaN功率分立器件和功率MOSFET网页。要了解我们所有的系统解决方案和框图并加快您的开发周期,请访问应用解决方案页面。

D-Mode架构白皮书

https://www.renesas.cn/zh/document/whp/fundamental-advantages-normally-d-mode-gan?r=25574515

电源适配器和充电器

https://www.renesas.cn/zh/applications/consumer-electronics/power-adapters-chargers

电机驱动和机器人

https://www.renesas.cn/zh/applications/industrial/motor-drives-robotics

 EV充电基础设施 

https://www.renesas.cn/zh/applications/industrial/renewable-energy-grid

GaN功率分立器件

https://www.renesas.cn/zh/products/power-discretes/gan-power-discretes

功率MOSFET

https://www.renesas.cn/zh/products/power-discretes/power-mosfets

应用

https://www.renesas.cn/zh/applications

瑞萨电子

瑞萨电子

(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司(日本20家,日本以外24家)年度销售额2006财年(截止至2007年3月):9526亿日元(约83亿美元)从业人员:26000人(全世界20个国家、43家公司)瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨集成电路设计(北京)有限公司苏州分公司(RDB-SU)是瑞萨科技全资子公司,2004年1月成立以来,现已拥有150多名优秀工程师,承担着家电和汽车电子领域MCU的一系列设计工作,并在2006年4月开始开发面向中国市场的MCU。

(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司(日本20家,日本以外24家)年度销售额2006财年(截止至2007年3月):9526亿日元(约83亿美元)从业人员:26000人(全世界20个国家、43家公司)瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨集成电路设计(北京)有限公司苏州分公司(RDB-SU)是瑞萨科技全资子公司,2004年1月成立以来,现已拥有150多名优秀工程师,承担着家电和汽车电子领域MCU的一系列设计工作,并在2006年4月开始开发面向中国市场的MCU。收起

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