一、概览
JSM5108G是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM5108G采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
JSM5108G其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。JSM5108G采用SOP-8封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250 V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从 5V到 20V
集成欠压锁定电路
-欠压锁定正向阈值 4.4V
-欠压锁定负向阅值 4.2V
防直通死区逻辑
-死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时 TonToff=150ns/140ns
--延迟匹配时间 50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 1.2AV1.5A
符合 RoSH 标准
SOP-8
三、应用范围
-电机控制
-空调/洗衣机
-通用逆变器
-微型逆变器驱动
四、技术参数详解:硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的,环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围:
为了正确地操作,器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的,无特殊说明的情况下,所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的,环境温度为25℃。
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