新唐科技发布高功率紫外激光二极管（379 nm，1.0 W）

新唐科技（以下称我公司）今日宣布开始量产其高功率紫外半导体激光器（379 nm，1.0 W）[1]，该产品在9.0 mm直径的CAN封装（TO-9）[2]中实现了业界领先（*）的光功率输出。该款产品通过我们专有的器件结构设计和先进的高散热封装技术，实现了短波长、高功率和长寿命这三个业界难以突破的技术课题。从而全面助力先进半导体封装[3]实现无掩模光刻[4]的图形化精密度和生产效率提升。

（*）截至2026年1月16日，基于我们对波长为379 nm、TO-9 CAN封装、在25°C壳温（Tc）下连续波（CW）运行的半导体激光器的研究。

该产品主要效果体现：

1.实现了379 nm波长下1.0 W级的光学输出功率，有助于在先进半导体封装的无掩模光刻中实现其图形化精密度和生产效率提升。

2.通过我们专有的器件结构和封装技术，改善了紫外半导体激光器的散热性能，抑制了由自热产生和紫外光照射导致的器件退化，从而延长了光学设备的使用寿命。

3.扩大了汞灯替代解决方案 [5]的产品线，增强了产品选择的灵活性，以适应不同场景的应用需求。

我公司新产品特点：

1. 在379 nm波长下实现1.0 W级光学输出功率，有助于在先进半导体封装的无掩模光刻中实现其图形化精密度和生产效率提升。

随着人工智能（AI）的发展推动信息处理能力需求增长，对半导体性能的要求较以往也在不断提高。另一方面，随着晶体管微型化发展接近其物理和经济极限，半导体后端封装技术和先进半导体封装技术（通过并排排列或垂直堆叠多个半导体芯片的集成方案）正引起广泛关注。

在先进半导体封装领域，多个半导体芯片之间形成布线连接的主流方法一直是使用汞光谱中的i线（365 nm）和掩模（电路原板掩模）的曝光技术。另一方面，近年来无掩模光刻技术引起了越来越多的关注，该技术基于设计数据直接曝光（绘制）布线图案，无需使用掩模。

这项技术被认为可以减少掩膜设计和生产所需的时间和成本。此外，由于可以直接根据绘制目标的表面形状印刷布线图案，因此对准和校正更加容易，目前正在考虑将其应用于先进半导体封装。

作为无掩模光刻技术中的关键光源之一，半导体激光器面临着向更短波长（接近i线365 nm）和更高输出功率发展的不断增长需求，以实现更精细的线路和提高设备产能。为满足这些要求，我们凭借40多年的激光设计和制造经验，成功开发并商业化了波长为379 nm、输出功率达1.0 W的紫外半导体激光器。

2. 通过我们专有的器件结构和封装技术改善了紫外半导体激光器的散热性能，抑制了由自热和紫外光引起的器件退化，从而延长了光学设备的使用寿命。

紫外半导体激光器通常存在由于低光电转换效率（WPE）[6]引起的显著热量产生问题，以及由紫外光引起的器件退化倾向，这使得在超过1.0 W的高输出水平下实现稳定运行变得困难。为解决这一问题，我们采取了双管齐下的方法，同时专注于"提高光电转换效率（WPE）的器件结构"和"有效散热的高热传导封装技术"，成功开发出一款兼具短波长、高功率和长寿命的产品：1.0 W紫外（379 nm）激光二极管器。达到了紫外光光学器件的寿命延长效果。