长江存储，破冰之战

【本文涉及的相关企业】三星、SK海力士、Sandisk、江波龙、佰维存储、美光、长江存储

踩对周期踏浪而上

2026年初电子圈最火热的话题莫过于存储芯片涨价，全球存储器市场迎来了一轮猛烈的价格上涨潮与供需重塑。尤其是消费电子存储产品市场需求旺盛，但供给严重不足导致价格持续上涨。首先三星和海力士宣布的减产并非有意为之，实际原因包括生产设备的升级换代导致产量下降，以及部分制造能力被转移到其他业务领域。从价格走势来看，2026年第一季度存储器合约价格较之前上涨了50%至60%，而预计第二季度的涨幅将放缓至20%至25%。

长江存储在需求和价格齐升的红利期，产能的多少直接决定了企业营收规模的上限，纵观长存的良率和产能爬坡史发现，近年来长存在产能爬坡上展现出了极强的韧性。首先，全球NAND芯片产能为200万片，而YMTC目前的产能约为20万片，从占比不到3%飙升至10%。根据各家晶圆厂商抛出的计划来看，2026年到2027年中旬供应能力显著增强，长存更是计划再增加7.5万片的生产能力，这些新增产能预计将在2027年第二季度开始投入使用。

目前来看，长江存储武汉三期将于2026年下半年试量产，规划月产能10万片12英寸晶圆，总产能达30+万片/月，纵观三期项目可谓是刚好踩在了风口。第一期于2016年启动，总投资为240亿美元，位于湖北省武汉市东湖高新区的光谷，从32层NAND起步，随后跳过96层直攻128层，这一阶段是Xtacking®架构从研发到量产的验证期，并且也是国内首次跑通大规模量产高端3D NAND闪存；第二期于2020年开工，在紧邻一期的光谷旁扩产，总投资约为100亿美元，目标主攻232层（V8）等先进技术，被业界视为正式跨入全球一梯队的扩产博弈，却在建设过程中遭遇了严格的外部设备限制，曾面临设备交付难题（半导体禁令和设备、关键材料供给中断），第二期顺势成为了供应链自主化、国产化的重要实验田。

第三期则由湖北国资出资103.2亿牵头，长存出资104亿，占比约50.2%，并于2025年9月5日公司注册并动工，计划于2026年年内建成投产；第三期最大的看点在于规划实现“100%采用国产半导体设备”，并且三期将承载更新一代（可能为第五代或更高）的Xtacking® 4.0及以上技术，进一步提升位元密度（存储容量）和读写速度，目标是满足AI服务器和高性能数据中心对大容量存储的需求。

长江存储三期投资汇总(图源：深芯盟)

长存在企业发展战略上走“技术突破 -> 规模效应 -> 供应链自主”的进化之路，更深层次来源于其工艺的底层创新，自主研发Xtacking®架构加国内设备和材料自主化的支持缺一不可。

底层创新弥补技术代差

在半导体存储领域，规模固然重要，但核心技术的代际直接决定了产品的定价权和利润率。客观来讲长江存储尽管在技术追赶速度惊人，但是仍旧存在不小的制程代差，目前新品技术研发相较于国际领先的三星和海力士来看，层数堆叠、制程节点存在着0.5至1代的差距。目前，长江存储正在生产232层的V8产品，而国际主流企业已经具备生产296层V9产品的能力。并且再叠加稼动率和良品率实际产出会有所减少，所以基本等同于其他厂商的V8和V7系列产品。

长江存储Xtacking架构(图源：长江存储)

虽然在堆叠层数上略逊一筹，但长江存储凭借自主研发的晶栈（Xtacking）架构，在全球存储技术路线上走出了独树一帜的道路，Xtacking架构将外围电路与存储单元分别在两片独立的晶圆上加工，最后进行键合从而大幅提升了I/O传输速度和存储密度。三星、铠侠等厂商采用传统晶圆加工路线，先在硅基板上制造外围逻辑电路（CMOS），然后再在这些电路之上层层堆叠存储单元（Array），这种一体化制造被称为COP（CMOS under Array），晶圆先制造逻辑控制单元，然后在存储单元时，下方区域要经历多次长时间的高温退火工艺，会带来热损伤，对于可靠性和电路极限性能产生一定影响。

而长存的Xtacking架构则另辟蹊径，是将两部分分家制造，在一片晶圆上独立制造存储单元（Array），在另一片晶圆上独立制造外围逻辑电路（CMOS），两片晶圆各自完工后，通过数百万根硅通孔（VIA），像“扣纽扣”一样通过金属键合技术将两片晶圆面对面接合在一起。由于是独立的工艺制程，外围控制电路和存储阵列电路可以并行开发，可以有效缩短研发周期；并且通过两片晶圆的堆叠，外围电路完全不占用存储单元的平面面积。这意味着在同样的芯片尺寸（Die Size）下，长江存储可以放入更多的存储单元，实现更高的存储密度和更快的I/O速度。

备胎逆袭成国产主力

2026年，全球半导体市场的马太效应进一步加剧,长存作为后起之秀正从一个破局者向重量级玩家转变，长江存储的占比为10%，预计到年底将增加到14%。相比于三星（60万片）、海力士（40万片）、美光（30万片），长江存储20万片的产能已经稳稳站住全球前六的阵营。

长江存储市占率(图源：深芯盟)

同样长存也抓住供需缺口带来的窗口期，NAND存储市场在2026年面临30万片的供需缺口，而2027年新增17.5万片产能后仍有约13万片缺口。这种持续的供应紧张，为长江存储的产能释放和市场份额抢占提供了契机，2025年的三期投资也正好踩在了绝佳的上升周期起点。

并且在中国的智能手机市场中，长江存储的市场占有率则约为15%到20%，并且根据调研显示，在2026年底长江存储在中国手机制造商存储器采购中的占比可能会达到30%。尤其是在国产替代浪潮中，长存和华为、OPPO等本土手机巨头深度绑定，通过更加稳健的供应链和较低的产品质量风险，使得其成为庞大内需市场的中流砥柱。逐步完善的国产半导体设备生态链，以及其底层Xtacking架构持续演进带来的成本与性能红利，长江存储在全球存储芯片的牌桌上，已经拿到了属于自己的关键筹码。