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在半导体产业向先进制程与3D集成深度迈进的当下，量检测设备作为芯片制造良率保障的核心环节，技术要求持续升级。
SEMICON 2026期间，中安半导体隆重发布了新品-晶圆缺陷检测设备 ZP8以及覆盖先进封装、衬底量化的全流程解决方案，展现了国产半导体量检测设备的硬核实力。
来源：与非网摄制
中安半导体市场应用VP初新堂在发布会现场表示，半导体技术的持续微缩与3D集成的普及，让芯片制造对缺陷检测的灵敏度、晶圆几何量测的精度提出了更高要求。
从先进逻辑制程的GAA到CFET，再到DRAM、NAND、HBM等存储与封装技术的三维升级，“微型化+键合”成为器件架构演进的主流方向，更小的制程节点需要更精准的颗粒与缺陷检测能力，而晶圆键合、背面供电网络（BSPDN）、3D-DRAM等新工艺，则对晶圆形变、键合对准精度的控制提出了严苛挑战。
在此背景下，中安半导体精准把握行业趋势，在颗粒检测设备与晶圆几何量测领域持续深耕，形成了技术与产品的双重突破。
ZP8：挑战10.5nm物理探测精度
在颗粒检测领域，中安半导体的ZP系列产品一路突破灵敏度极限，构建了清晰且可落地的技术演进路线。
来源：与非网摄制
- 2024年6月推出ZP3，实现了26nm最佳灵敏度；
- 2024年9月ZP6 面世，灵敏度提升至17nm；
- 2025年6月ZP7发布，将灵敏度进一步压缩至5nm；
- 2026年6月的ZP8，成功实现5nm的最佳检测灵敏度，成为国产颗粒检测设备的新高度。
来源：与非网摄制
根据初新堂的介绍，ZP8的突破并非偶然，而是依托多维度工程协同来实现性能跃迁：包括对激光系统的优化设计、针对高分辨率需求定制的特殊物镜结构、具备极高稳定性的高精度转台系统，以及图像传感器与深度学习算法的融合应用。在这些关键使能技术的共同作用下，ZP8在性能指标上实现了对10.5nm级缺陷的稳定检测，这意味着ZP8不仅在实验室条件下具备先进节点检测能力，更在量产环境中具备可落地的稳定性与可靠性。
在关键层验证结果上，ZP8同样给出了较为有说服力的实测表现，对比传统TOR检测结果可以看到，在多个典型工艺层中，ZP8在缺陷分布识别与一致性上均展现出较高可靠性：在裸片层上匹配率与相关性均超过95%；用于先进工艺的HKMG材料 （如TiAl，TaN，TiN）等关键薄膜层中，这意味着其检测结果与参考标准之间已具备高度一致性。
与此同时，中安半导体已规划下一代ZP-Next产品研发，公司计划于明年推出面向15nm HVM（大规模量产）的新一代设备。
良率守护：中安在3D IC与硅片厂的产品布局
此外，针对3D集成带来的晶圆键合与几何量测难题，中安半导体的WGT300系列晶圆几何量测设备形成了全流程、多场景的覆盖能力，针对IC制造/HBM/键合环节推出WGT300-M系列产品，针对晶圆制造环节布局WGT300-W系列产品，可覆盖从线切、研磨/双抛、蚀刻，到制程检测、出货检测的全工艺步骤，且已实现大规模装机落地。
在复杂的制造流程中，晶圆在历经 Edge Trim、研磨、等离子活化及 CMP 等多道工序后，会累积显著的形貌畸变。而这些“过程变量”最终都会在键合后的Overlay误差中被放大体现。正如中安半导体市场应用VP初新堂所指出，在键合环节中，“Bonding Overlay”与“Post-Bonding Litho Overlay”是两个必须重点关注的关键节点，它们分别对应过程控制与结果验证的核心抓手。
面对上述挑战，中安半导体打破了“事后检测”的传统范式，创新性地引入了IPD（in plane displacement）算法，其核心逻辑在于：通过ZAS WGT量测系统对晶圆全局形变与厚度分布进行高精度采集，并将这些真实工艺数据引入键合环节以及后续光刻环节的Overlay分析模型中，从而实现对键合后以及光刻后Overlay偏差的提前预判。
从结果来看，其IPD预测结果与实际Overlay测量数据之间的相关性远超行业传统方案。
特别值得一提的是，针对 5nm/3nm 制程对位置精度的更高要求，中安也在规划 WGT300 系列产品的进一步升级，以满足超平晶圆在空间精度上的需求。
此次发布的系列新品与解决方案，不仅是中安技术研发实力的集中体现，也让业内清楚的看到了他们从颗粒检测到晶圆几何量测，从先进逻辑制程到 3D 封装、衬底制造的全流程良率解决方案，可全面支撑先进逻辑、3D 器件、HBM 及下一代封装技术的发展。
先进制程与封装浪潮下，量测设备作为“工艺之眼”至关重要。中安半导体凭借深厚的技术积淀，正通过精准的产品布局，持续驱动芯片产业进化。
来源: 与非网，作者: 夏珍，原文链接: https://www.eefocus.com/article/1985588.html
