双红光技术破局，星钥半导体揭晓Micro LED全彩方案

在AR终端市场，Micro LED全彩化探索正成为全产业链的重点命题。

进入2026年，行业进入多技术路线并行突围，合光方案已实现规模化商用，持续优化体积、成本；量子点色转换技术落地验证、量产交付进程提速；三色垂直堆叠技术深耕工艺攻坚，不断突破技术上限。

在这场全彩化突围中，星钥半导体聚焦红光技术的核心关卡，亮出两张红光底牌——展出三元InGaN、四元AlGaInP双红光技术路线。

Si 衬底InGaN 三元红光方案：在芯片小型化、制程兼容性、长期温漂稳定性及规模化成本控制上优势显著，适配消费级大众AR 眼镜量产，助力终端轻量化、低成本普及；

GaAs 衬底AlGaInP 四元红光方案：在发光外量子效率、波长精准度、色彩还原饱和度上表现突出，满足高端显示场景的严苛显示标准。

一路线适配大众市场，另一路线聚焦高端旗舰，星钥半导体“双轨并行”的技术布局，不仅构筑了核心竞争力，更为下游终端厂商提供了多元化、差异化的技术解决方案。星钥半导体的全彩化探索不止于此，目前，星钥半导体已实现绿、蓝、红三原色全系列Micro LED微显示屏布局。同时，其单色Micro LED芯片已实现批量生产，正同步推进头部客户导入与产品验证工作。

总的来看，星钥半导体已形成单色+双红光+全彩Micro LED微显示屏的完整方案矩阵。