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303
韩国半导体行业协会发布报告
首次量化中韩技术差距
NAND差距约1年
DRAM差距约2年
HBM差距约3年
9月15日，韩国半导体产业协会发布的报告指出，中韩两国在存储芯片领域的技术差距已从早前评估的“超5年”收缩至“一代”左右，NAND Flash差距收窄至约1年，DRAM约2年，HBM约3年。
图片来源：Korea JoongAng Daily官网
NAND差“1年”，主要对应堆叠层数与量产节奏；
DRAM差“2年”，主要对应制程与产品平台；
HBM差“3年”，则是“存储—封装—算力”复合能力的差距，横跨DRAM基底、TSV、微凸点、中介层、CoWoS类先进封装、热管理与GPU/ASIC系统验证。
这份报告，似乎让韩国官方与产业界形成了一种共识：中国存储已不再是赛道上的跟跑者，而是必须被正面计入竞争格局的变量。韩国产业通商资源部长金正官坦言对中国半导体发展速度感到“紧迫和焦躁”；TechInsights高级副总裁崔正东直言，应将中国视为“竞争对手而非追随者”。
行业测算背后的全球存储格局
2026年二季度，全球DRAM市场营收约1547亿美元，三星（38%）、SK海力士（25%）、美光（24%）三家合计占87%，呈“双韩主导、美系紧追”格局；同期长鑫科技DRAM全球份额约10%，位居第四。
同期，NAND市场按出货份额计，三星（25%）、SK海力士集团（22%）、长江存储（14%）、铠侠（14%）、美光（13%）前五家合计近九成，长江存储凭出货规模跻身全球第三，首次超越铠侠与美光，仅次于三星与SK海力士。
数据背后，是全球存储供给体系正在发生的结构性位移：韩美日头部原厂仍握有产能与定价主导权，但中国厂商已从产业链外围进入全球主流竞争场。更准确地说，中国存储探索的并非沿既有赛道全面对标，而是一种以自主创新为底色、以架构与系统为支点、以本土场景为牵引的非对称进阶路径。
长江存储：NAND市占率跻身全球第三
2014年，长江存储3D NAND闪存项目正式启动；2016年，国家存储器基地落地武汉光谷，长江存储科技有限责任公司成立。作为承担NAND自主可控国家战略任务的核心主体，长江存储从起步即肩负着打破国外垄断、建立国产3D NAND完整技术体系与产业生态的使命。
长江存储发展历程：
2014
长江存储3D NAND闪存项目正式启动
2015
9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证
2016
第一代3D NAND闪存测试芯片设计完成
长江存储科技有限责任公司成立
2017
第一代3D NAND闪存（X0-A030）设计完成并实现首次流片
2018
第二代3D NAND闪存（X1-9050）实现首次流片
在全球闪存峰会（FMS）上发布Xtacking™架构并获得Best of Show奖项
第一代3D NAND闪存（X0-A030）实现量产
2019
第二代3D NAND闪存（X1-9050）实现量产
第三代TLC 3D NAND（X2-9060）设计完成，并实现首次流片
2020
第三代QLC 3D NAND（X2-6070）设计完成
零售存储品牌致态SSD上市
eMMC/UFS嵌入式存储通过客户验证
2021
第三代TLC/QLC NAND（X2-9060/X2-6070）量产
eMMC/UFS量产
2022
基于第三代3D NAND的系统解决方案上市
第四代TLC 3D NAND（X3-9070）研发成功
晶栈® Xtacking® 3.0荣获世界闪存峰会（FMS 2022）最具创新存储技术奖
2023
第四代TLC/QLC NAND（X3-9070/X3-9060）量产
2024
第五代 TLC 3D NAND（X4-9060）研发成功并量产
2025
第五代 QLC 3D NAND（X4-6080）发布
晶栈® Xtacking® 4.0荣获未来内存与存储峰会（FMS 2025）最具创新存储技术奖
长江存储突破的关键在于架构换道。Xtacking将存储阵列与外围电路分晶圆制备，再通过垂直互联通道键合，使I/O速率、研发并行度与工艺选择自由度形成组合优势。2018年量产32层3D NAND；2019年基于Xtacking的64层产品量产；2020年推出全球首款128层QLC 3D NAND；2022年前后进入200层以上产品行列，跻身全球第一梯队。
据Counterpoint数据，2026年二季度长江存储全球NAND出货份额约14%，位列全球第三，首次超越铠侠与美光，仅次于三星与SK海力士。
更具标志性的是，据韩媒报道，三星电子与长江存储就3D NAND混合键合相关专利达成许可协议——这是中国企业首次在3D NAND核心架构层面向全球存储龙头输出知识产权，建立起其不得不正视的专利护城河。
长鑫存储：A股总市值第一
2016年，长鑫存储DRAM基地一期项目在合肥启动；2018年，完成验证投片并试产8Gb DDR4工程样品，2019年量产首款8Gb DDR4产品，填补国内自主DRAM供给空白。2026年7月，长鑫科技登陆科创板，首日总市值约3.28万亿元，成为A股首家登顶总市值榜首的半导体企业。
长鑫存储发展历程：
2016
长鑫存储（合肥）DRAM基地一期项目诞生
2017
长鑫存储（合肥）基地一期项目开工建设
2018
合肥基地一期厂房建设完成，开始设备搬入
验证投片，试产8Gb DDR4工程样品
2019
8Gb DDR4亮相世界制造业大会
获得首笔订单，产品销售由此启动
2020
长鑫（北京）DRAM项目一期启动
2021
长鑫（北京）DRAM项目二期启动
2022
长鑫（北京）DRAM项目一期试产线通线
长鑫（北京）DRAM项目二期主厂房顺利封顶
DRAM竞争不止制程微缩，而是低功耗、可靠性、平台适配、车规认证、客户生态的复合较量。长鑫存储以本土移动终端、服务器、信创与工业系统为验证场，先以成熟工艺平台稳住通用DRAM供给，再向DDR5、LPDDR5X、LPDDR6稳步进阶。2026年9月，长鑫存储公布第五代DRAM技术平台（G5）量产，基于该平台的24Gb LPDDR5X产品同步量产。更早的8月，长鑫存储宣布自研LPDDR6实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，使中国企业在高端移动内存标准落地中进入全球第一阵营。
按Counterpoint 2026年二季度营收口径，长鑫存储DRAM 全球份额约10%，位居全球第四。
结语
回望这条进阶之路，长江存储、长鑫存储的成长只是中国半导体产业突围的生动缩影，更关键的是，国家锚定战略方向，地方以十年不计产出的投入托底，产业资本以长周期耐力扛住亏损，企业则在外部封锁中坚定不移地走出自主创新之路。
它们证明了一件事：后发者并非只能永远做规则的接受者。当自主架构、系统协同与场景牵引形成合力，中国存储便有了从“追赶速度”走向“定义能力”的可能——而这条路，才刚刚开始。
