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与非网7月1日讯 上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”）发布公告称，公司自主研发的KrF（248nm）厚膜光刻胶产品近日已通过客户认证，并成功取得第一笔订单。
光刻胶材料作为集成电路制造领域的重要关键材料，被广泛应用于350nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。随着国内晶圆厂建设的不断增多，以及国外光刻胶巨头产能受限，供需紧张，国内对光刻胶产品的需求也将快速增长。
此次上海新阳光刻胶产品取得首笔订单订单可谓是意义重大。上海新阳表示，本次产品认证的通过及订单的取得，标志着“KrF（248nm）厚膜光刻胶产品的开发和产业化” 取得了成功，为上海新阳在光刻技术领域目标的全面完成奠定了坚实基础。
资料显示，上海新阳是国内知名的半导体材料厂商，形成了拥有完整自主可控知识产权的电子电镀和电子清洗两大核心技术，其开发研制出的140多种电子电镀与电子清洗系列功能性化学材料，产品被广泛应用于集成电路制造、3D-IC先进封装、IC传统封测等领域。
据悉，光刻技术是上海新阳正在加快开发的第三大核心技术，并且已经取得了重大突破。
此前的年报显示，上海新阳集成电路制造用ArF干法、KrF厚膜胶、I线等高端光刻胶验证工作正在稳步推进，部分光刻胶产品已取得优异的线外测试数据。
年报披露，上海新阳采购的用于I线光刻胶研发的Nikon-i14型光刻机，用于KrF光刻胶研发的Nikon-205C型光刻机，用于ArF干法光刻胶研发的ASML-1400型光刻机，以及用于ArF浸没式光刻胶研发的ASML XT 1900 Gi型光刻机已全部到厂。
上海新阳指出，光刻机设备的陆续到位，有助于加速推动公司在光刻技术的全产业链布局及开拓；同时公司加大在晶圆及先进封装湿制程设备领域的投资布局。
随着全球缺芯潮继续蔓延，晶圆代工厂的扩产势能已传导至产业链上游。而光刻胶作为半导体光刻工艺的核心材料，仍面临较大缺口。
当下国产光刻胶与国外差距较大，用于生产6英寸硅片的g/i线光刻胶自给率为20%，生产8英寸硅片的KrF光刻胶自给率不足5%，制程更高的ArF和EUV胶则尚无量产，中高端光刻胶的市场份额几乎被海外龙头垄断。
早前受福岛地震影响，全球光刻胶龙头之一的日本信越化学产能受限，并限制对华出口KrF光刻胶，进一步加剧了国内光刻胶供应紧张局面。目前KrF光刻胶在国内仅有彤程新材（603650.SH）的子公司北京科华实现量产，产能为10吨/年左右。
限供和缺货也加速了光刻胶在本土下游晶圆厂的验证。除此次发布公告的上海新阳外，南大光电（300346.SZ）自主研发的ArF光刻胶于近日通过第二家客户验证，并获小批量订单；晶瑞股份（300655.SZ）的KrF光刻胶亦进入客户验证尾期。据业内人士介绍，通常情况下，光刻胶研发投产后，需经12～18个月的客户验证周期。
在国产化良机推动下，上述公司也在加码半导体光刻胶的相关研发和产能建设。上海新阳和晶瑞股份都在今年上半年购入ASML光刻机，用于湿法ArF光刻胶的研发；彤程新材则在5月发布公告称，子公司彤程电子投资5.7亿元在上海建设年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目。
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