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英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列,内置集成的快速体二极管

11/08 07:00 作者:与非网编辑
阅读需 4 分钟
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为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列,为950V 超结(SJ)技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能和易用性,采用集成的快速体二极管,可确保器件的稳健性,同时降低了BOM(材料清单)成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造,主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源(SMPS)应用。

新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计,包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。通过集成具有超低反向恢复电荷(Qrr)的超快速体二极管,该系列产品实现了硬换向的稳健性和可靠性,并成为该电压级别中更稳健的超结 MOSFET,可适用于目标应用中的所有拓扑结构。此外,开关损耗(EOSS、QOSS和Qg)的大幅降低也提高了硬开关和软开关应用的使用效率,与900V CoolMOS C3 超结 MOSFET相比,MOSFET温度最高可降低4开尔文。相较以前,新产品更为绿色环保,其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上,同时可满足LLC效率要求。

新产品系列降低了各种采用SMD封装和THD封装的器件的导通电阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450 mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60 mΩ。设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间,降低BOM成本和生产成本。其柵极-源极阈值电压(V(GS),th)为3V,V(GS),th最低变化范围为±0.5V,可方便新器件的设计导入和驱动,提高了设计自由度;利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式,降低了驱动电压和闲置损耗。另外,与CoolMOS C3相比,新产品系列的栅极电荷改善了60%,大大降低了驱动损耗,而且能够达到人体放电模型(HBM)(2级静电放电敏感度)标准,保证了静电放电(ESD)的稳健性,进而减少了与ESD有关的设备故障,提高了产量。

供货情况

全新950 V CoolMOSTM PFD7系列提供高度精细化的产品组合并采用SMD和THD封装,外形尺寸更小,可帮助提高功率密度、节省BOM成本。所有产品型号现已开始供货。

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