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双极型功率晶体管（bipolar power transistor）最普及的一种功率晶体管，通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。
1.双极型功率晶体管组成结构
如图是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区，4为发射结，5为集电结。
2.双极型功率晶体管工作原理
图是其工作原理（对于PNP型器件，则需要将两组电源极性反接），其中基极加0。6V左右的正向偏压，集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。
3.双极型功率晶体管的作用
功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路，工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时，GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管，GTR的开关频率较低（采用复合结构时，频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
