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东沃电子设计的USB2.0接口ESD静电浪涌保护方案，如下图：
从USB2.0接口ESD静电浪涌保护方案图中可以看出，选用了东沃自主研发、生产、销售的ESD静电保护二极管DW05DUCF-B（DFN1006-2L封装）、DW05MUC（DFN1006-3L）、DW05R（SOT-143封装）、DW05RXLC（SOT-143封装）。东沃USB2.0接口ESD静电浪涌保护方案符合IEC61000-4-2 4级，接触放电：8KV，空气放电：15KV。针对USB2.0接口ESD静电浪涌保护，有很多设计保护方案。具体选用哪种，还需要结合电路的保护需求来决定。
想了解更多有关USB2.0接口ESD静电浪涌保护方案、ESD静电保护二极管型号、参数、特性、规格书及应用，欢迎与东沃电子沟通交流：136 7581 6901（微信同号）朱工！方案设计、EMC测试、样品供应、器件定制，东沃电子一站式为您服务！
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD90P04P4L04ATMA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
|
$1.68 | 查看 | |
| 1803604 | 1 | Phoenix Contact | Barrier Strip Terminal Block, 8A, 1.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT |
|
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$7.61 | 查看 | |
| GCM155R71H104KE02J | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT |
|
|
$0.01 | 查看 |
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