MRF8S21172HR3, MRF8S21172HSR3 2110-2170 MHz, 42 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF8S21172HR3, MRF8S21172HSR3 2110-2170 MHz, 42 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

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恩智浦NXP主要提供MCU、MPU、SoC、汽车处理器、连接芯片，核心产品/技术包括Kinetis MCU；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、存储与接口芯片、计算与控制芯片、模拟与电源芯片。

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MRF8S21172HR3, MRF8S21172HSR3 2110-2170 MHz, 42 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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