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ARCHIVED - MRF8S21140H, MRF8S21140HS 2110-2170 MHz, 34 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25
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Designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

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DF11-4DP-2DSA(24) 1 Hirose Electric Co Ltd Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Terminal, Locking Mech, Black Insulator, Receptacle, ROHS COMPLIANT

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MMBD7000LT1G 1 onsemi 100 V Switching Diode, Dual, Series, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

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4-1601237-1 1 TE Connectivity (4-1601237-1) WIRE2WIRE,FINE,SMZ

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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