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ARCHIVED - MRF8P9300HR6, MRF8P9300HSR6 920-960 MHz, 100 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25
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Designed for CDMA and multicarrier GSM base station applications with frequencies from 860 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

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LL4148-GS18 1 Vishay Intertechnologies Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R

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CIGT201610EHR47MNE 1 Samsung Electro-Mechanics General Purpose Inductor, 0.47uH, 20%, 1 Element, Metal Composite-Core, SMD, CHIP, 0806
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C0805C105K4RACTU 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 1uF, 16V, ±10%, X7R, 0805 (2012 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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