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ARCHIVED - MRF6S21190HR3, MRF6S21190HSR3 2110-2170 MHz, 54 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25
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Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz.

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MDF7-22S-2.54DSA(56) 1 Hirose Electric Co Ltd Board Connector, 22 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle, ROHS COMPLIANT
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1658686-1 1 TE Connectivity SOCKET CONTACT,22 DF,STRIP,22-

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CRCW060347K0FKEA 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 47000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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