MC68F333 32位模块化微控制器用户手册附录

MC68F333包含两个闪存可擦除可编程只读存储器（EEPROM）模块：一个16 K字节模块和一个48 K字节模块。 闪存EEPROM模块用作非易失性、快速访问的可擦写和可编程ROM仿真内存。这些模块可以包含程序代码（例如操作系统内核和标准子程序），这些代码必须以高速执行或经常执行，或者包含频繁读取的静态数据。闪存EEPROM支持字节和字读取。它能够响应连续的IMB访问，提供对齐长字的两个总线周期（四个系统时钟）访问。它还可以编程插入最多三个等待状态，以适应从较慢的外部开发存储器迁移到板载闪存EEPROM而无需重新定时系统的需要。 16 K字节闪存EEPROM阵列可以从任何16 K字节边界开始，而48 K字节阵列可以从任何64 K字节边界开始。这两个阵列可以配置为单个连续内存块，其中16 K字节阵列紧接在48 K字节阵列之前或之后。它们可以分别配置为驻留在监管者或无限制的地址空间中。它们也可以被编程为驻留在程序空间或数据空间。 在复位期间将数据总线引脚DATA15和DATA14拉低会禁用16 K字节和48 K字节闪存EEPROM模块，并将它们置于停止模式。 闪存EEPROM及其控制位可通过软件控制进行擦除和编程。编程/擦除电压必须通过外部VFPE引脚提供。数据按字节或字对齐方式编程。不支持多字编程。闪存EEPROM模块仅支持批量擦除，并具有最小的编程擦除寿命为100次循环。 闪存EEPROM模块具有硬件互锁，可防止意外使闪存EEPROM阵列的编程/擦除电压启用导致存储数据损坏。通过硬件互锁，无意编程或擦除的可能性极低。