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本文旨在消除围绕ESD保护架构的困惑，以便您可以自信地迈出下一步，设计更可靠的系统，而无需权衡。
主要内容包括ESD保护器件的发展趋势，传统ESD保护架构的缺点，以及选择具有良好信号完整性的ESD保护器件的重要考虑因素。最后，本文介绍了由安森美半导体创建的一种创新的、突破性的ESD保护架构，该架构消除了信号完整性和ESD保护之间的权衡。
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本文旨在消除围绕ESD保护架构的困惑，以便您可以自信地迈出下一步，设计更可靠的系统，而无需权衡。
主要内容包括ESD保护器件的发展趋势，传统ESD保护架构的缺点，以及选择具有良好信号完整性的ESD保护器件的重要考虑因素。最后，本文介绍了由安森美半导体创建的一种创新的、突破性的ESD保护架构，该架构消除了信号完整性和ESD保护之间的权衡。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLE4998P4 | 1 | Infineon Technologies AG | Hall Effect Sensor, 50mT Min, 200mT Max, 0.30-0.60V, BICMOS, Plastic/Epoxy, Rectangular, 4 Pin, Through Hole Mount, GREEN PACKAGE-4 |
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暂无数据 | 查看 | |
| MLX90316KDC-BDG-100-RE | 1 | Melexis Microelectronic Integrated Systems | Hall Effect Sensor, 0deg Min, 360deg Max, -8-8mA, Rectangular, Surface Mount, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 |
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$52.69 | 查看 | |
| MPXV5100DP | 1 | NXP Semiconductors | DIFFERENTIAL, PEIZORESISTIVE PRESSURE SENSOR, 0-14.5Psi, 2.5%, 0.20-4.70V, SQUARE, SURFACE MOUNT |
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$23.78 | 查看 |
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