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扫码加入对功率密度的追求
近年来，功率密度已成为衡量电源和电力系统创新与性能的重要且日益普遍的指标。实现高功率密度意味着在功率转换中利用最新的拓扑进展，采用最先进的控制方法，并使用设计师可用的最佳半导体技术。
本文概述了设计人员应将高功率密度作为总体目标的原因，以及高功率密度设计所基于的基本原则，包括拓扑和半导体选择。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSVBAT54HT1G | 1 | onsemi | 200 mA, 30 V, Schottky Diode, SOD-323 2 LEAD, 3000-REEL |
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$0.38 | 查看 | |
| HPP845E131R4 | 1 | TE Connectivity | SENSOR HUMID/TEMP 3V I2C 3% SMD |
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$2.57 | 查看 | |
| ATSAMA5D31A-CU | 1 | Atmel Corporation | RISC Microprocessor, 32-Bit, 536MHz, CMOS, PBGA324, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, MO-275KAAE-1, LFBGA-324 |
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$22.61 | 查看 |
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安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。
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