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近年来，功率密度已成为衡量电源和电力系统创新与性能的重要且日益普遍的指标。实现高功率密度意味着在功率转换中利用最新的拓扑进展，采用最先进的控制方法，并使用设计师可用的最佳半导体技术。
本文概述了设计人员应将高功率密度作为总体目标的原因，以及高功率密度设计所基于的基本原则，包括拓扑和半导体选择。
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近年来，功率密度已成为衡量电源和电力系统创新与性能的重要且日益普遍的指标。实现高功率密度意味着在功率转换中利用最新的拓扑进展，采用最先进的控制方法，并使用设计师可用的最佳半导体技术。
本文概述了设计人员应将高功率密度作为总体目标的原因，以及高功率密度设计所基于的基本原则，包括拓扑和半导体选择。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 962835-1 | 1 | TE Connectivity | FF 374 REC 1-2.5 MM2 PLAIN CUSN4 |
|
|
$0.16 | 查看 | |
| LTST-C191KRKT | 1 | Lite-On Semiconductor Corporation | Single Color LED, Red, Water Clear, 1.1mm, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
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$0.08 | 查看 | |
| 9HT10-32.768KDZF-T | 1 | TXC 台晶 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, SMD, 2 PIN |
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|
$0.58 | 查看 |
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