ASR9N1200ME3碳化硅模块1200V9mΩ（SiC：封装62mm）

9小时前作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASR9N1200ME3碳化硅模块1200V9mΩ（SiC：封装62mm）

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ASR9N1200ME3碳化硅模块1200V9mΩ碳化硅（SiC：封装62mm）

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数范围： VDS：1200V ID：235A RDS(on) ：9mΩ

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