主要IDM厂商产能扩建计划：AI需求驱动，存储与功率成焦点

2026年开年，全球主要IDM（集成器件制造商）厂商的产能扩建计划密集落地。与过去几年“全面扩产”不同，这一轮扩建呈现出鲜明的结构性特征——AI数据中心、汽车电动化、工业自动化三大需求正在重塑产能投资的方向。

下面按厂商逐一拆解最新的扩建计划。

1. 整体趋势：AI需求成最大驱动力，存储与功率最受益

从各厂商的公告来看，2026年IDM产能扩建的核心逻辑高度一致：AI数据中心带来的功率芯片和存储芯片需求，正在虹吸全球最先进的产能资源。

英飞凌CEO约亨·哈内贝克的表态很有代表性：“在整体市场疲软的背景下，AI需求的强劲增长为英飞凌带来了强劲的增长动力。为了以最佳方式服务客户，我们正调整产能以匹配持续增长的需求。”

与此同时，汽车芯片需求虽然仍在增长，但增速已被AI反超。英飞凌明确表示，汽车业务库存消化仍在进行，而数据中心需求才是本轮扩建的主因。

2. 主要IDM厂商扩建计划详情

英飞凌：加码5亿欧元，AI业务目标翻倍

英飞凌在2026年2月宣布，本财年计划额外投资5亿欧元，将总投资额上调至27亿欧元，资金主要投向数据中心专用芯片领域。

核心目标很明确：

• 2026财年AI业务营收目标15亿欧元
• 2027财年目标攀升至25亿欧元，较当前翻倍

这意味着英飞凌正在将大量产能从传统汽车业务转向AI电源芯片——数据中心服务器的功率管理、电压调节模块，正是本轮扩建的重点。

意法半导体（ST）：300mm晶圆+宽禁带双线推进

意法半导体官网披露的战略规划非常详细：

• 300mm晶圆产能扩张：
  • 法国Crolles工厂：新建数字器件晶圆厂，2026年上半年产能提升20%
  • 意大利Agrate工厂：新建模拟器件晶圆厂，全面建成后周产9000片晶圆
• 宽禁带半导体（SiC/GaN）：
  • 碳化硅产能：2024年至2027-2028年间翻倍
  • 意大利Catania工厂：200mm碳化硅晶圆厂全面建成后周产1.5万片
  • 全球布局：新加坡、瑞典Norrköping、法国Tours同步扩产，并与重庆三安合资提升中国本土产能

ST的规划清晰体现了“先进制程+宽禁带”的双轮驱动策略。

德州仪器（TI）：谢尔曼工厂已投产，300mm产线加速

TI的产能扩张聚焦于300mm模拟芯片，这是其成本优势的核心来源。

• 谢尔曼（Sherman）SM1工厂：已开始300mm晶圆生产，首批芯片已出货，产能将逐步爬坡至每天数千万颗
• 谢尔曼园区共规划4座300mm晶圆厂，总投资超400亿美元，SM1是首座投产的工厂
• 2026年资本开支维持50亿美元，为产能扩张提供资金保障

TI的策略很清晰：将模拟芯片从200mm向300mm迁移，通过单片成本优势巩固市场份额。

英特尔：先进制程推进，部分工厂推迟

英特尔的产能规划出现分化——先进制程加速，传统晶圆厂推迟。

• 制程技术：
  • Intel 18A：产能持续提升，支持第三代酷睿Ultra“Panther Lake”
  • Intel 14A：与客户深度合作，首批订单预计2026下半年至2027上半年落地
• 晶圆厂建设：
  • 德国马格德堡Fab 29.1/29.2：开工延至2025年，投产延至2029-2030年
  • 俄亥俄州工厂：建设延至2026-2027年，投产延至2027-2028年
• 新业务：宣布进军GPU生产，与长芯博创合作锁定2026-2028年30%的1.6T硅光芯片产能

英特尔的策略是在先进制程上死磕，但在地缘政治和市场需求不确定性下，传统晶圆厂建设节奏明显放缓。

onsemi（安森美）+ GlobalFoundries：GaN联盟发力

onsemi与格芯（GlobalFoundries）在2026年2月宣布合作，开发650V横向氮化镓（GaN）功率器件，采用格芯200mm增强型GaN-on-Si工艺。

关键信息：

• 客户样品：2026年上半年开始提供
• 目标市场：数据中心电源、AI加速器机架、电信基础设施、汽车系统

GaN的高开关频率和低损耗特性，使其成为AI服务器电源的理想选择。通过200mm产线，GaN可复用成熟硅基设备，成本大幅下降。

美光（Micron）：DRAM紧缺将持续，新加坡NAND新厂动工

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉明确表示：DRAM供应短缺将持续至2026年以后。

产能扩建计划：

• 爱达荷州：两座晶圆厂，首座预计2027年年中投产
• 纽约州：晶圆厂2026年初动工，2030年前后投产
• 新加坡：新NAND晶圆厂破土动工，投资70亿美元（首阶段），总投入可达240亿美元，预计2028年下半年开始增加NAND晶圆产出

美光的判断很直接：即使完成上述产能扩张，也仅能满足“核心客户”50%-66.7%的需求。客户已纷纷签订多年期供货协议锁定货源。

SK海力士：HBM产能提前，韩国两厂加速

SK海力士正将产能向HBM（高带宽存储器） 极致倾斜。

• 龙仁新园区：首座工厂投产时间提前3个月，预计2027年2月启用。整个集群总投资600万亿韩元，最终建成4座晶圆厂
• 清州M15X工厂：下月起投放硅晶圆，启动HBM量产
• 市场背景：2025年Q4部分内存产品价格同比涨幅超300%，客户从一年期合同转向多年期协议

SK海力士股价过去一年累计上涨280%，足见市场对其HBM产能的认可。

三星电子：HBM4已量产，产能扩张激进

三星电子2026年2月12日宣布：已开始量产HBM4内存，并已向客户交付商用产品。

核心数据：

• 2026年HBM产品销量预计比2025年增长三倍以上
• HBM4E样品预计2026年下半年开始发放

三星的策略很明确：在HBM领域与SK海力士正面竞争，用产能规模抢占英伟达等大客户订单。

国内IDM：奥松半导体8英寸MEMS产线达产在即

国内IDM的扩建同样值得关注。

奥松半导体8英寸MEMS特色芯片IDM产业基地项目已于2025年9月通线投产，总投资35亿元，一期月产能1万片晶圆，预计2026年12月实现全面达产。

产品覆盖车规级汽车电子、工业控制、消费电子等领域，是国内MEMS传感器领域的重要产能补充。

3. 一张表看懂：主要IDM厂商扩建计划（2026年2月）

4. 三大趋势清晰可见

1. AI需求成扩建核心驱动力：英飞凌、SK海力士、三星、美光的扩建计划，核心逻辑都是满足AI数据中心带来的芯片需求。传统汽车业务反而被“挤产能”。
2. 300mm与宽禁带是技术焦点：TI的300mm模拟、ST的300mm数字+SiC/GaN、onsemi的200mm GaN，都在围绕“更大晶圆尺寸”和“更优材料特性”展开竞争。
3. 本土IDM正在补位：奥松半导体的MEMS产线、ST与重庆三安的合资，都显示中国市场正在通过IDM模式填补供应链空白。

对于工程师和采购来说，这一轮扩建意味着：AI相关芯片（HBM、GaN电源、高端功率）的供应紧张短期内不会缓解，而传统汽车芯片的产能分配可能进一步向高毛利产品倾斜。选型和采购策略需要据此调整。

如果想持续跟踪某家厂商的具体扩产进度，或者需要对比不同晶圆厂的工艺能力，与非网的产业图谱栏目和研究报告栏目一直在做动态更新。图谱里把功率半导体、存储芯片、MEMS传感器等产业链拆得很细，各家IDM的产能布局、工艺节点、典型客户都有收录，比自己零散搜资料高效不少。