国产IDM上市公司2025上半年市场表现分析

【湾芯展推荐】本文涉及的相关企业：时代电气、闻泰科技、燕东微、斯达半导、派瑞股份、士兰微、华润微、台基股份、捷捷微电、扬杰科技、三安光电、英诺赛科

国产IDM上市企业2025年H1市场表现指数

2025年上半年，在人工智能（AI）与云基础设施等新兴需求的强劲拉动下，全球半导体行业持续延续增长势头，同时区域市场及细分领域的分化特征愈发显著。值得注意的是，在2024年行业实现强劲复苏的基础上，2025年全球半导体市场虽仍将保持两位数增长，但受高基数效应的影响，增速较2024年将出现一定程度的放缓。

从具体市场预测来看，主流行业机构纷纷给出乐观预期：世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2025年全球半导体市场规模将达到7009亿美元，同比增长11.2%；Gartner则预计全球半导体收入将增至7050亿美元，同比增幅达12.6%；国际数据公司（IDC）的预期更为积极，给出了15%的更高增速预测。

按下游应用市场划分，2025年全球半导体行业将呈现鲜明的"结构性复苏"特点：其中，由AI及高性能计算（HPC）驱动的逻辑芯片、存储芯片等细分领域将保持高速增长态势；而汽车、工业等传统应用市场受需求疲软及技术替代效应的双重影响，增速将逐步趋于放缓。

区域市场方面，全球半导体行业呈现"美洲领跑、亚太稳健、中国复苏、欧日温和"的差异化发展格局：美洲市场凭借AI芯片需求爆发与数据中心建设加速的双重利好，预计增长18.0%；亚太地区则依托消费电子与汽车电子的稳定需求支撑，增速预计维持在9.8%。

深芯盟产业研究部根据国内IDM上市公司已经公开的2025年H1财报数据，利用我们专有的量化分析模型，导入营收、净利润和研发人员等数据，再通过不同参数加权而得出每家公司的“市场表现指数”。

半导体上市企业市场表现指数－量化模型简介：

本指数是面向中国半导体上市公司的精细化评估工具，通过量化技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位、产能与潜力这五个公开报告与报表数据中的关键业务维度，力求全面客观地细分各产品线的市场表现：在技术创新维度中，指数使用研发投入强度指标（10%权重），直接反映企业对技术创新的资源倾斜程度；并使用研发人员占比指标（10%权重）聚焦人力资源配置质量；在财务健康维度中，指数同时考虑短期流动性与长期偿债能力，分别以速动比率（5%权重）和“1-资产负债率”（5%权重）综合评估企业的抗风险能力。（注：由于资产负债率是负向指标，故使用此方法转化）；在盈利能力维度中，指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现（20%权重），并采用产品毛利率（10%权重），解释细分市场定价能力与成本控制效率；在市场地位维度中，指数采用分产品的营收规模（30%权重）突显市场份额与业务体量，作为行业话语权的关键锚点；在产能与潜力维度中，指数使用资产负债表无形资产同比增长率（10%权重）衡量长期发展动能，反映产研转化效率。最后，我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数，并直接呈现指数的绝对值。另外提醒您注意，由于各板块公司数量不同，数据标准化的基数也不同，因此三级行业的数据不具有跨板块可比性。

根据量化模型选取了技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位和产能潜力等五个关键指标，系统分析了中国大陆12家IDM上市厂商的市场表现指数：

时代电气与闻泰科技两家企业2025年上半年营收和利润领先于其他厂商，根据半年报数据，时代电气实现营业总收入122.14亿元，同比增长17.95%；归母净利润16.72亿元，同比增长12.93%，其中宜兴产线在2025年6月底芯片线已经达成设计产能。闻泰科技2025年上半年，实现营业收入253.41亿元，实现归母净利润4.74亿元，同比增长237.36%，此外，闻泰科技进一步提升产能弹性，上海临港12英寸晶圆厂已于2024年底导入车规级量产，未来将增强在中国市场的供应链自主可控能力。

1.技术创新

技术创新指标中综合测算企业研发投入和研发人员占比等信息，燕东微取得57.9的高分位居第一，其以突破技术瓶颈、掌握核心技术，形成差异化竞争，抢占市场高地为目标注重研发投入以及全产线工艺平台布局。2025 年上半年研发费用达3.64 亿元，同比增长221.21%。燕东微已建设完成 6 英寸、8 英寸、12 英寸生产线，工艺平台更加完善——6 英寸Si/SiC 基生产线工艺平台涵盖 TVS、Planar MOS、IGBT、FRD、MEMS、VDMOS、SiC 等；8 英寸Si 基生产线工艺平台涵盖 Planar MOS、Trench MOS、FRD、BCD、CMOS、SiN 硅光等；12 英寸Si 基生产线工艺平台涵盖 TMBS、Trench MOS、CMOS、LCD driver、硅光等。截至 2025 年6 月，硅光领域实现里程碑式突破，自主研发的 SiN 硅光工艺平台在量产交付、产能提升、客户拓展等领域均获得市场认可，为后续长期发展奠定了良好基础。

同样英诺赛科2025年上半年研发成本为1.62亿元，较上年同期的1.45亿元增加11.5%，主要由于产品应用领域拓展，相应增加研发投入。英诺赛科强调，其已成为全球唯一覆盖15V–1200V全电压谱系硅基GaN产品矩阵的企业。这不仅展示了产品的宽度，也为其切入不同应用场景提供了基础。

2.财务健康

派瑞股份2025年上半年营业收入为8452万元，同比下降30.1%；归母净利润为3013万元，同比下降35.6%，扣非归母净利润为2155万元，同比下降51.3%；经营现金流净额为1406万元，同比增长135.5%。派瑞股份核心产品包括大功率半导体器件、大功率电源变换装置及测试设备，特别是在高压大功率晶闸管领域，已成为行业龙头，并形成了完善的产品系列。

3.盈利能力

时代电气2025年上半年营业收入为122.1亿元，同比上升18.8%；归母净利润为16.7亿元，同比上升10.9%；扣非归母净利润为15.9亿元，同比上升37.0%；经营现金流净额为18.79亿元，同比增长180.4%，除了在轨道交通领域的市场份额保持稳定外，在新兴装备业务方面也取得了显著进展，特别是在基础器件、新能源汽车电驱系统及新能源发电装备领域。随着“双碳”战略的深入推进，这些业务得到了快速发展。

4.市场地位

2025年上半年，闻泰科技半导体业务营收78.25亿元，同比增长11.23%，业务毛利率37.89%，净利润12.61亿元，同比增长17.05%。从当前在手订单来看，下半年收入有望实现进一步增长。

其中闻泰科技面向AI数据中心及服务器电源的收入快速增长，AI服务器相关出货量同比增长30%—40%。MOSFET、保护器件成功进入全球头部AI服务器厂商供应链；1200 V SiC产品适用于高功率AI服务器等应用；48V热插拔模拟芯片已送样北美核心云及XPU供应商，与MOS、BJT、TVS等器件打造一站式热插拔整体解决方案。

5.产能潜力

产能潜力指标是根据公司无形资产占比、主营业务市场产品市占率等多项指标量化而来，燕东微在制造与服务业务板块实现收入33,303.20 万元，同比增长 18.69%。面对外部激烈的市场竞争，坚持技术与产品创新，持续强化战略客户拓展，加大硅光领域等重点布局领域产品推广，并进一步深化 6、8、12 英寸线协同发展，推动产品交付能力提升。其中，65nm 12 英寸生产线持续推进产品与平台开发，吸引多家头部客户并完成60 余款新品导入；8 英寸生产线持续提升运营效率，产线质量进一步改善，积极推进新品开发与拓展工作；6英寸生产线加快转型步伐，持续推进芯片线产品结构调整，月产能稳定保持6.5 万片。

国产IDM上市公司信息汇总

时代电气

企业简介：作为我国轨道交通行业具有领导地位的牵引变流系统供应商，具备研发、设计、制造、销售及服务的综合能力，致力于成为全球轨道交通装备全面解决方案的首选供应商，布局国内外20多个城市和地区，20多条先进生产线，80%以上产品已实现智能产线生产；拥有国内先进的功率半导体器件产业化基地：国内首条且全球第二条8英寸IGBT芯片产业化基地、6英寸双极器件及6英寸SiC器件产业化基地；拥有传感器、新能源汽车电驱动系统、工程机械等产业化基地

工艺平台：8 英寸IGBT 芯片制造平台、6 英寸碳化硅芯片制造平台

技术亮点：IGBT芯片技术、碳化硅芯片技术、先进封装与组件技术、可靠性技术

闻泰科技

企业简介：集研发设计和生产制造于一体的半导体与产品集成企业，半导体业务采用IDM（Integrated Device Manufacturer）垂直整合制造模式，产品广泛应用于全球各类电子设计，丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管（GaNFET）、碳化硅（SiC）二极管、SiC MOSFET、绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及模拟IC和逻辑IC

工艺平台：高功率分立器件（IGBT、SiC 和GaN）和模块、模拟IC组合、功率管理 IC 和信号调节 IC

技术亮点：持续大力增加研发投入，在现有产品进行迭代升级推出新产品的基础上，持续开发高功率分立器件（IGBT、SiC 和GaN）和模块、模拟IC组合、功率管理 IC 和信号调节 IC 等新产品，持续迭代升级 MOSFET 工艺平台，以满足市场对高性能、高功率产品日益增长的需求，以高 ASP 产品为未来业务增长持续提供驱动力

燕东微

企业简介：国内知名的集成电路及分立器件制造和系统方案提供商，总部位于中国北京，主营业务包括产品与方案和制造与服务两类业务，产品与方案业务聚焦于设计、生产和销售分立器件及模拟集成电路、高稳定集成电路及器件；制造与服务业务聚焦于提供半导体开放式晶圆制造与封装测试服务

工艺平台：已建设完成6 英寸、8 英寸、12 英寸生产线，工艺平台更加完善。6 英寸Si/SiC 基生产线工艺平台涵盖 TVS、Planar MOS、IGBT、FRD、MEMS、VDMOS、SiC 等；8 英寸Si 基生产线工艺平台涵盖 Planar MOS、Trench MOS、FRD、BCD、CMOS、SiN 硅光等；12 英寸Si 基生产线工艺平台涵盖 TMBS、Trench MOS、CMOS、LCD driver、硅光等。截至 2025 年6 月，硅光领域实现里程碑式突破，自主研发的 SiN 硅光工艺平台在量产交付、产能提升、客户拓展等领域均获得市场认可，为后续长期发展奠定了良好基础

技术亮点：功率器件工艺技术、BCD工艺技术、MEMS工艺技术、硅光工艺技术

斯达半导

企业简介：斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，专业从事以IGBT为主的半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务，总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲德国及瑞士设有研发中心

工艺平台：SiC MOSFET芯片、高压特色工艺功率芯片

技术亮点：自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本，并以开发新产品、新技术为公司的主要工作，持续大幅度地增加研发投入，培养、组建了一支高素质的国际型研发队伍，涵盖了IGBT 芯片、快恢复二极管芯片、SiC 芯片和 IGBT 和 SiC 模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等，在半导体技术、电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累

派瑞股份

企业简介：专注于电力半导体器件及电力电子装置的研发、生产、试验验证、销售与服务，核心产品涵盖三大类：大功率半导体器件、大功率电源变换装置以及测试及非标设备

工艺平台：电力半导体器件（高压、大功率晶闸管）

技术亮点：掌握了具有自主知识产权的大功率晶闸管核心技术并形成了特大功率电力半导体器件领域的核心竞争力，拥有 51 项专利，并参与了 8 项国家标准的制定

士兰微

企业简介：国内主要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一，专注于硅半导体、化合物半导体产品的设计与制造，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件（LED 芯片和成品，SiC、GaN 功率器件）产品

工艺平台：依托于已稳定运行的 5、6、8、12 英寸硅芯片生产线和正在加快建设的 4、6、8 英寸先进化合物芯片生产线，建立了新产品和新工艺技术研发团队，陆续完成了国内领先的高压 BCD、多个车规级模拟电路工艺平台、超薄片槽栅 IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快恢复二极管、MEMS 传感器、SiC-MOSFET 器件、GaN 功率器件等工艺的研发，形成了比较完整的特色工艺制造平台

技术亮点：先进的车规和工业级电源管理产品（芯片设计、芯片工艺制造）、车规和工业级功率半导体器件与模块技术（含化合物SiC 和GaN 的芯片设计、制造、封装）、MEMS 传感器产品与工艺技术（芯片设计、芯片工艺制造和封装）、车规和工业级的信号链（接口、逻辑与开关、运放、模数/数模转换等）、混合信号处理电路（含芯片设计和芯片制造）、光电系列产品（发光二极管及其他光电器件的芯片制造及封装技术）

华润微

企业简介：国内领先的拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制等领域，为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在功率半导体领域已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线

技术亮点：在主要的业务领域均掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术，大部分核心技术均为国内领先，其中BCD工艺技术、MEMS 工艺技术以及 GaN 器件设计及工艺技术为国际领先

工艺平台：致力于模拟/混合信号制程和功率器件/电路制程的开发，如今已经形成了自己独特的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD，功率器件和MEMS 工艺平台以及一系列客制化工艺平台；封测工艺平台覆盖了半导体晶圆测试，传统IC封装，功率器件封装，大功率模块封装，先进面板封装，硅麦&光耦sensor封装，以及成品测试后道全产业链

台基股份

企业简介：拥有先进的研发试验中心，是中国大功率半导体器件领域少数完整掌握晶圆制程技术、芯片制程技术、悬浮压接封装技术、IGBT自动封装技术、大功率半导体器件检测和试验技术的专业制造商

工艺平台：IGBT

技术亮点：通过技术创新，积累了完整的具有自有知识产权的半导体产品设计和制造技术，掌握完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术；拥有54项专利技术（其中9项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草国家或行业标准21项；建有3个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪SiC、GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用；大功率IGBT已经量产，具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用

扬杰科技

企业简介：国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线涵盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案

工艺平台：功率器件、SiC 芯片

技术亮点：通过与行业内多所知名院校及科研院所合作，整合各个事业部的研发团队，形成了组织层次分明、分工协作清晰的研发体系。总部设有研究院，负责开展前沿技术、基础研发及实验室建设运营，并对公司研发项目进行统筹管理。各事业部和产品线设有产品研发部门（包括SiC 研发团队、IGBT研发团队、MOSFET 研发团队等），负责对标客户需求及市场趋势对具体产品进行研究开发和量产导入，形成“开发一代、储备一代、研究一代”的产品开发管理体系

三安光电

企业简介：三安光电创立于2000 年 11月，总部位于福建省厦门市，是一家全球知名的化合物半导体研发、制造与服务企业。湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电的全资子公司，是一家专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务的制造商

工艺平台：SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延、车规级SiC功率模块代工

技术亮点：拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，能提供长晶、衬底、外延、芯片、封测全流程制造服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控；且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力，可有力保障供应，满足市场需求

英诺赛科

企业简介：致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力

工艺平台：8英寸GaN-on-Si工艺技术

技术亮点：作为全球氮化镓技术领导者，率先突破ASML光刻机先进制程壁垒，成为目前唯一掌握该技术的氮化镓企业。凭借独创的晶圆级封装工艺，我们同时实现高低压器件规模化量产，技术指标领跑行业。基于完整的技术矩阵，可为客户提供从芯片设计到系统集成的充电产品一站式解决方案