福建龙夏电子

福建龙夏电子科技有限公司
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福建龙夏电子科技有限公司(简称:龙夏电子,英文:Long-Tek)成立于2017年,是国家高新技术企业和福建省“专精特新”中小企业。公司采用IDM(垂直整合制造)模式,专注于中低压SGT MOSFET、TMBS肖特基二极管及IGBT等功率半导体器件的研发、制造与销售,产品广泛应用于BMS电池管理、光伏储能、电机控制和DC/DC转换等领域,致力于为客户提供高可靠性、高性能的功率器件解决方案。 收起 展开全部

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  • 30V超低内阻SGT MOSFET在电动工具中的应用:LR015N03TL3与LR013N03TL2技术解析
    电动工具市场正在经历结构性升级。根据行业调研数据,2026年全球电动工具市场规模预计达到339.4亿美元,无绳化平台已经成为专业用户和消费者的首选运行模式。锂电池技术的进步和电池管理系统电子设计的优化,使得无绳工具在扭矩、续航和可靠性上不断逼近有线工具,无刷直流电机驱动和智能化BMS保护板成为电动工具方案商的核心竞争力。 英飞凌在其电池供电应用技术文章中明确指出,消费类电动工具用户以低价和长电池寿
  • 国产30V SGT MOSFET在BMS锂电池管理中的机会:从LR015N03TL3/LR013N03TL2看低内阻趋势
    锂离子电池在电动工具、电动两轮车、UPS、储能和动力电池组中的渗透率持续提升,BMS锂电池管理系统正在从“保护功能”走向“高效功率管理”。在这个过程中,充放电开关MOSFET的技术路线也在变化:过去关注耐压和开关速度,现在更关注导通电阻、并联一致性、热性能和雪崩耐受能力。尤其是在大电流BMS中,MOSFET长期导通,RDS(on)直接决定系统效率和温升。 英飞凌OptiMOS™ 8和安森美Powe
  • 龙夏电子LR013N10SM10:100V/380A SGT MOSFET
    在电机驱动、电池管理和DC/DC变换等高功率工业应用场景中,功率MOSFET的导通损耗与热管理能力往往决定着系统性能的上限。龙夏电子最新推出的LR013N10SM10,采用先进的SGT(屏蔽栅沟槽)技术,以1.15mΩ的导通电阻和380A的持续电流承载能力,为100V耐压等级的大功率电力电子设计树立了全新标杆。 一、SGT技术:在更高耐压上延续性能传奇 LR013N10SM10基于成熟的SGT工艺
  • 龙夏电子LR014N10XD10:100V SGT MOSFET
    在高性能电机驱动、电池管理和DC/DC变换等应用中,功率MOSFET的设计选型始终是一场关于导通损耗与开关损耗的精密权衡。龙夏电子最新推出的LR014N10XD10,基于先进的SGT(屏蔽栅沟槽)技术,以1.17mΩ的导通电阻、323A的持续电流能力和优化的栅极电荷,在100V耐压等级上实现了效率与动态性能的出色平衡,为高功率密度设计提供了极具价值的解决方案。 一、SGT技术:夯实性能基础 LR0
  • 龙夏电子LR013N04SD8:40V SGT MOSFET
    在电机驱动、电池管理和DC/DC变换等中低压功率应用场景中,MOSFET的导通损耗与开关损耗始终是工程师权衡的核心矛盾。龙夏电子推出的LR013N04SD8,凭借先进的SGT(屏蔽栅沟槽)技术,以1.11mΩ的极致导通电阻和254A的持续电流承载能力,为高性能电力电子设计提供了极具竞争力的解决方案。 一、SGT技术:突破传统沟槽MOSFET的性能天花板 LR013N04SD8采用先进的SGT(Sh
  • 龙夏电子LR010N04SD10:40V/395A SGT MOSFET详解
    福建龙夏电子推出一款适用于高可靠性大电流应用的SGT MOSFET LR010N04SD10,具备40V耐压、395A连续电流和0.85mΩ导通电阻,适用于电机驱动、电池管理系统等场景。SGT技术显著降低导通电阻和提高开关性能,同时提供优秀的体二极管特性。TOLL封装优化散热和电气性能,适合大电流功率转换应用。

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