开拓篇
(1949-1978)

根据国外发展半导体产业的进程,


国务院制订了“十二年科学技术发展远景规划”


明确了中国发展半导体的决心。
 
“向科学进军”吹响了中国发展半导体的号角!
 
中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下,


在海外回国的一批半导体学者带领下,


凭藉知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂,


从零开始建立起自己的半导体行业。
 
1949 年 10 月 1 日,中华人民共和国成立。建国初期,在经济基础极为薄弱的情况下,一穷二白,百废待兴,面临重重困难。同年 11 月,巴黎统筹委员会(Coordinating Committee for Export to Communist Countries,输出管制统筹委员会)成立,主要是限制成员国向社会主义国家出口战略物资和高技术,列入禁运清单的有军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资等三大类上万种产品。1994 年 4 月 1 日正式宣告解散。
 
1950 年后,大批半导体学者从海外学成回国,加入新中国科技建设浪潮。1950 年王守武从普渡大学回国到中国科学院应用物理所工作;1951 年黄昆从利物浦大学回国到北京大学物理系工作;1952 年,谢希德从麻省理工学院回国到上海复旦大学物理系工作;1955 年成众志从 RCA 回国到中科院应用物理所工作;1955 年高鼎三从 IR 公司回国到东北人民大学(现吉林大学)工作;1956 年吴锡九回国到中科院工作;1957 年林兰英从 Sylvania 公司回国到中国科学院物理研究所工作;1959 年黄敞从 Sylvania 公司回国到北京大学物理系工作。
 
1956 年在中国现代科学技术发展史上是具有里程碑意义的一年。党中央发出了“向科学进军”的伟大号召。根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。在“重点发展、迎头赶上”和“以任务带学科”的方针指引下,我国半导体事业从无到有,有了长足的进展。
 
1956 年,为了落实发展半导体规划,中国科学院物理研究所首先举办了半导体器件短期培训班,请回国的半导体专家讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。
 
1956 年,在北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学五所大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。1957 年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元、中国工程院院士许居衍和原电子工业部总工程师俞忠钰等。
 
1956 年 11 月,第一支具有完整的 pn 结特性、具有 pnp 结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在中国科学院物理研究所半导体器件实验室诞生,开创了中国划时代的科技进步。
 
1957 年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。同年,仙童半导体成立。仙童半导体为整个芯片及 IT 产业贡献了大量人才,全美有超过 200 家公司和仙童有着或多或少的关系。乔布斯曾经说过,仙童半导体就像是成熟了的蒲公英,你一吹他,这种创新精神的种子就随风四处飘扬了。
 
1957 年 11 月,中国科学院物理研究所半导体研究室和二机部第 11 研究所第 4 研究室(中国电科 13 所前身)开发成功锗合金扩散晶体管。
 
1958 年 8 月,为研制高技术专用 109 计算机,第一个半导体器件生产厂成立,命名为“109 厂”,作为高技术半导体器件和集成电路研制生产中试厂。同年,德州仪器和仙童半导体各自研制发明集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从 SSI(小规模集成电路)起步,经过 MSI(中规模集成电路),发展到 LSI(大规模集成电路),然后发展到 VLSI(超大规模集成电路)和 ULSI(特大规模集成电路),进而到 GSI(甚大规模集成电路),集成电路集成度已经超过 10 亿个晶体管。 
 
1959 年 9 月 15 日,天津市“601 试验所”(中国电科 46 所前身)成功拉出中国首颗硅单晶,使中国成为继美国、苏联后,第三个可以自己拉制硅单晶的国家。
 
1959 年,清华大学首次用四氯化硅氢还原法获得了纯度高达“九个九”的高纯多晶硅,拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
 
1960 年 9 月 6 日,中国科学院半导体研究所成立,开启了中国半导体科学技术的发展之路。
 
1962 年,天津拉制出砷化镓(GaAs)单晶,为研究制备化合物半导体打下了基础。
 
1962 年,我国研究制成硅外延工艺,并开始采用照相制版、光刻工艺。
 
1963 年,中国科学院半导体研究所试制出第一个硅平面型扩散晶体管样品。
 
1963 年,中国科学院半导体研究所激光器研究室研制成功了第一只半导体激光器(比美国晚 1 年)。
 
1964 年,河北省半导体研究所(中国电科 13 所)研制出硅外延平面型晶体管样品。
 
1965 年,河北省半导体研究所第五研究室研制成功第一个硅基集成电路样品 GT31(相比美国晚 7 年)。
 
1965 年 12 月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了 DTL(Diode-Transistor Logic,二极管 - 晶体管逻辑电路)型逻辑电路;1966 年上海组件五厂在工厂范围内鉴定了 TTL(Transistor-Transistor-Logic 晶体管 - 晶体管逻辑电路)型电路产品。DTL 型和 TTL 型属于小规模双极型数字集成电路,标志着中国已经有了自己的小规模集成电路。
 
1966 年,109 厂与上海光学仪器厂协作,研制成功第一台 65 型接触式光刻机,由上海无线电专用设备厂进行生产并向全国推广。
 
1966 年,中国科学院半导体研究所制作出第一个硅 MOS 场效应晶体管样品。同年,IBM 公司托马斯·沃森研究中心(Thomas Watson Research Center)的研究人员时年 34 岁的罗伯特·登纳德(Robert Dennard)博士提出了用金属氧化物半导体(MOS)晶体管,来制作存储器芯片的设想,同年研发成功 1T/1C 结构(一个晶体管加一个电容)的 DRAM,并在 1968 年获得专利。1968 年仙童半导体(Fairchild)推出首个 256bit DRAM;1969 年先进内存系统公司(Advanced Memory System Inc.)正式推出首款 1K DRAM。
 
1966 年,南通晶体管厂成立,经过 50 多年的发展,成长为国际封测巨头,就是通富微电。


1968 年,上海无线电十四厂研制成功首个 PMOS 电路(MOS IC),拉开了我国发展 MOS 电路的序幕。
 
1968 年,国防科委在四川永川县成立永川半导体研究所(解放军一四二四研究所,现中国电科 24 所)。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年,罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔创建了英特尔,并且随着个人电脑普及,英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘,如今经过 50 年的发展,英特尔在芯片创新、技术开发、产品与平台等领域奠定了全球领先的地位,并始终引领着相关行业的技术产品创新及产业与市场的发展,开创了 CPU 一个又一个新的时代。
 
1969 年,109 厂与丹东精密仪器厂协作,研制成功全自动步进重复照相机,套刻精度达 3 微米,后由北京 700 厂批量生产并向全国推广。
 
1969 年,国营永红器材厂(749 厂)成立,1995 年整体调迁至天水,经过 50 年的发展,成长为国际封测巨头,就是华天科技。


1970 年,我国我国集成电路产业超过 100 万块(比美国晚 6 年),5 年的时间肉 0 到 100 万块。同年,英特尔推出首款可大规模生产的 1K DRAM 芯片 C1103,使得 1bit 只要 1 美分,从此开创了 DRAM 时代。
 
1972 年,解放军一四二四研究所研制成功第一颗 PMOS 型大规模集成电路(LSI),实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越(相比美国晚 6 年)。
 
1972 年,江阴晶体管厂成立,后来成长为国际封测巨头,就是长电科技。同年 7 月,美国总统尼克松访华后,中美开始出现蜜月期,中国开始从美国引入技术。

1974 年,我国为子发展大规模集成电路(LSI),在北京召开了第一次全国性会议,研讨发展思路;随后 1975 年在上海、1977 年在贵州连续召开全国性会议。同年三星电子正式进军半导体行业。
 
1975 年,北京大学物理系半导体研究小组完成硅栅 NMOS、硅栅 PMOS、铝栅 NMOS 三种技术方案,在 109 厂采用硅栅 NMOS 技术,试制成功第一块 1K DRAM(相比美国英特尔研制的 C1103 要晚五年)。同年中国台湾地区“工研院”向美国购买 3 英寸晶圆生产线,1977 年即建成投产。
 
1976 年 11 月,中国科学院计算技术研究所研制成功 1000 万次大型电子计算机,所使用的电路为中国科学院 109 厂(现中国科学院微电子研究所)研制的 ECL 型(Emitter Coupled Logic,发射极耦合逻辑)电路。同年,日本由通产省牵头,联合五大骨干公司组建“VLSI 联合研发体”,投资 720 亿日元(其中日本政府出资 320 亿日元),攻坚超大规模集成电路 DRAM 的技术难关。
 
1976 年,我国我国集成电路产业超过 1000 万块(比美国晚 10 年)。
 
1977 年,我国集成电路年产量接近 3000 万块。
 
此一时期,我国掀起第一波建厂热潮,共建设了四十多家集成电路工厂,由于当时“巴统”的禁运政策,大多都是拼盘引进的生产线,效率低下。

 

调整发展期
(1978-1999)

改革开放,迎来了集成电路发展的春风!
 
南北两大微电子基地建设启动!
 
“908”、“909”两大工程建设展开!
 

1978 年,中国科学院半导体研究所成功研制 4K DRAM,1979 年 9 月 28 日在 109 厂成功试制,平均成品率达 28%。同年韩国电子技术研究所(KIET)从美国购买 3 英寸晶圆生产线,次年投产。
 
1979 年 8 月,我国第一个 CCD 器件在河北半导体研究所研制成功。同年《中美建交公报》正式生效,中美正式建交,开启中美关系新阶段。
 
1981 年 8 月 2 日,第一条拼盘 3 英寸生产线在国营东光电工厂(878 厂)通线运行,主要生产 NMOS 4K DRAM、CMOS 手表和电子钟电路。
 
1981 年,中国科学院半导体研究所成功研制 16K DRAM。
 
1982 年 10 月 4 日,为了振兴我国计算机和集成电路事业,为推动电子计算机的广泛应用,国务院成立了电子计算机与大规模集成电路领导小组,制定了我国集成电路发展规划,提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。同年,河北半导体研究所推出第一块砷化镓集成电路。同年 11 月全球第一家 Fabless 公司 Cypress 成立。
 
1983 年 5 月 15 日,计算机与大规模集成电路领导小组在北京召开全国计算机与大规模集成电路规划会议。针对当时多头引进、重复布点的情况,提出“治散治乱”,集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略,南方基地主要指上海、江苏和浙江,北方基地主要指北京、天津和沈阳,一个点指西安,主要为航天配套。
 
1983 年,无锡 742 厂从东芝引进的 3 英寸 5 微米电视机集成电路生产线通线投产,这是第一次从国外成建制引进集成电路生产线(1978 年开始引进,历时 5 年投产),我国首次实现了集成电路工业化生产。同年三星电子正式进军存储器行业。
 
1985 年,我国集成电路年产量约为 5400 万块,同年进口集成电路约 2 亿块。同年英特尔宣布退出 DRAM 市场,专注于 CPU 领域。
 
1986 年 5 月,无锡 742 厂试制成功第一片 64K DRAM,集成度为 15 万个元件,加工工艺为 3 微米(相比日本 NEC 晚 6 年)。同年 10 月韩国政府执行“VLSI 共同开发技术计划”,韩国政府出资,由韩国电子通信研究所牵头,联合三星、LG、现代三大集团以及韩国六所大学,联合攻关 DRAM 的核心技术。随后三年内,该计划共投入 1.1 亿美元,政府承担 57%的研发经费。
 
1986 年 8 月,第一家设计公司北京集成电路设计中心(现归属华大半导体)成立,这标志着中国集成电路设计业发展的开端。
 
1986 年,电子部在厦门召开“七五”集成电路发展战略研讨会,提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略,即普及推广 5 微米技术,重点企业形成 3 微米技术生产能力,进行 1-1.5 微米技术科技攻关。
 
受进口集成电路的冲击,1986 年我国集成电路年产量下滑 20%,只有 4500 万块,形势非常严峻。

1987 年,台积电成立,开创全球 Foundry 模式时代。在张忠谋的带领下,台积电在 Foundry 界左冲右突,尤其是最近十年,在先进制程上一直领跑业界,奠定了 Foundry 龙头地位,2018 年其延揽了全球 56%市场。
 
1988 年 9 月 10 日,上海市仪表局与贝尔公司合资设立上海贝岭微电子制造有限公司,这是集成电路产业史上第一家中外合资企业,建成第一条 4 英寸芯片生产线;
 
1988 年 10 月 4 日,在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上,组建成中外合资公司上海飞利浦半导体公司(现积塔 / 上海先进)。
 
1989 年 2 月,机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会,提出了“加快基地建设,形成规模生产,注重发展专用电路,加强科研和支持条件,振兴集成电路产业”的发展战略。
 
1989 年 8 月 8 日,在由 742 厂和永川研究所无锡分所组建的“无锡微电子联合公司”的基础上成立了“中国华晶电子集团公司”。
 
1990 年 11 月,清华大学研制成功具有独立自主版权,在性能指标上达到世界先进水平的 1 兆位(1M)汉字只读存储器(ROM)芯片,突破国外对先进科技的禁运,满足国家的战略需求。1 兆位汉字只读存储器芯片就是用点阵技术描述一个汉字,再由两个芯片形成一级汉字库,这样会加快运算速度,这个成果后来推广到了无锡华晶。同年,ARM 成立,开创全新的 IP 授权商业模式。
 
1990 年 12 月 15 日,中央政治局听取机械电子工业部关于集成电路 908 工程建设汇报,同意实施 908 工程。908 工程意为中国发展集成电路的第八个五年计划,其主体承担企业是无锡华晶。1990 年始,国家集中投资 20 多亿元,目标是在无锡华晶建成一条月产 1.2 万片、6 英寸、0.8-1.2 微米的芯片生产线。工程从开始立项到真正投产历时 7 年之久。
 
1984 年至 1990 年,我国掀起第二波建厂热潮,先后共引进 33 条集成电路生产线。限于当时“巴统”的禁运政策,引进设备基本上都是国外已淘汰的。
 
1991 年,我国的集成电路年产量首次超过 1 亿块,标志着我国进入集成电路工业化大生产阶段(比美国晚 25 年,比日本晚 23 年)。
 
1992 年,第一条 5 英寸集成电路生产线在上海飞利浦半导体公司(现积塔 / 上海先进)建成投产。
 
1993 年,熊猫 CAD 系统软件正式发布。熊猫 CAD 是当时的中国为了突破“巴统”的禁运而实施的项目。1989 年国家倾尽全力,集合了全国科研院所、企业的 117 名研究人员和 1 名华人科学家汇集于北京集成电路设计中心,从零开始 CAD 软件的攻坚工作。熊猫 CAD 系统软件是我国第一套自主知识产权的 CAD 系统,打破了国外对我国 CAD 技术的长期封锁。
 
1993 年,无锡华晶采用 2.5 微米工艺成功制造第一块 256K DRAM(相比韩国晚 7 年)。
 
1994 年,我国的集成电路年进口量超过 50 亿块,当年我国的集成电路年产量突破 2 亿块。
 
1995 年,电子部提出“九五”集成电路发展战略:以市场为导向,以 CAD 为突破口,产学研用相结合,以我为主,开展国际合作,强化投资,加强重点工程和技术创新能力的建设,促进集成电路产业进入良性循环。
 
1995 年 1 月,首钢 NEC 建成首条 6 英寸 1.2 微米生产线,初期生产 4M DRAM。
 
1995 年 12 月 13 日,国务院召开总理办公会议,决定启动“909”工程,投资 100 亿元,建设一条 8 英寸、0.5 微米工艺的生产线。1995 年 7 月,原电子部提出了“设立“九五”集成电路专项的报告”,报告提出“九五”期间应继续实施集成电路专项工程,建议简称 909 工程。1995 年 11 月 23,电子部向国务院提交了《关于报请国务院召开会议研究设立“九五”集成电路专项的请示》。909 工程是我国电子工业有史以来投资规模最大的项目,表现了当时党和国家的领导人迫切希望提高我国集成电路水平。
 
1996 年 3 月 29 日,国家计委正式批复“909 工程”立项,4 月 9 日,“909”工程的主体承担单位上海华虹微电子有限公司正式成立。同年 11 月,《Wassenaar Arrangement 瓦森纳协定》开始实施,“瓦协”包含两份控制清单:一份是军民两用商品和技术清单,涵盖了先进材料、材料处理、电子器件、计算机、电信与信息安全、传感与激光、导航与航空电子仪器、船舶与海事设备、推进系统等 9 大类;另一份是军品清单,涵盖了各类武器弹药、设备及作战平台等共 22 类。中国同样在被禁运国家之列。
 
1997 年 7 月 31 日,第一条 8 英寸生产线在上海开工建设。
 
1997 年,我国的集成电路年产量首次超过 10 亿块,从 1 亿块到 10 亿块,我国用了 6 年时间。
 
1998 年 1 月,华晶与上华合作生产 MOS 圆片合约签定,有效期四年,华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务,从此开始了我国的 Foundry 时代。
 
1998 年 4 月,集成电路“908”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌,分别是信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业 771 研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。
 
1998 年 9 月 24 日,上海贝岭在上海证券交易所成功上市,成为第一家登陆主板的集成电路公司。
 
1998 年,我国的集成电路年进口量超过 100 亿块,当年我国的集成电路年产量不足 20 亿块。
 
1999 年 2 月 23 日,第一条 8 英寸 0.35 微米生产线在华虹 NEC 建成投产;9 月 28 日正式投产。
 
1999 年 12 月,北京大学微处理器研究开发中心研制成功了国内第一套支持微处理器正向设计的开发平台,并研制成功了 16 位微处理器原型系统,“中国芯”的名字也因为这项成果广为流传。
 
全面发展期
(2000-2014)

“18 号文”发布,加大了对集成电路的扶持力度,


集成电路产业获得快速发展!
 
集成电路产业链布局日益完善,


产业规模、创新能力、产业水平显著提高!
 
2000 年 6 月 24 日,国家发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(简称 18 号文),加大了对集成电路的扶持力度。
 
2000 年 2 月至 2001 年 12 月,科技部依次批准在上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳等地区批准建立了七个“国家集成电路设计产业化基地”,以优化产业环境,为各地新兴的 IC 设计公司提供全方位的孵化服务。2008 年 5 月批准建立济南成立设计基地。
 
2000 年 8 月 24 日,中芯国际在上海浦东新区张江高科技园区开始正式打桩,中国集成电路产业写下新的篇章。中芯国际于 2000 年 4 月成立。

2000 年 10 月 30 日,上海华虹 NEC 生产线项目通过国家验收,转入正式运营。
 
2000 年,我国集成电路产业规模首次突破 200 亿元。
 
2001 年 2 月 27 日,我国第一条可满足 0.25 微米线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线在北京有色金属研究总院建成投产,标志着我国深亚微米超大规模集成电路用硅单晶抛光片的生产达到世界先进水平。设计能力为年产8英寸硅单晶抛光片 6000 平方英寸。
 
2001 年 3 月 28 日,国务院第 36 次常务会议通过了《集成电路布图设计保护条例》,4 月 2 日颁布,自 10 月 1 日起施行。
 
2001 年 7 月 29 日,北京有色金属研究总院宣布,成功拉制出国内第一根直径 4 英寸 VCZ(蒸气压控制直拉法)半绝缘砷化镓单晶,使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家,这标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。
 
2001 年 9 月 25 日,中芯国际上海 FAB1 举行了投产庆典,第一片 8 英寸、0.25 微米芯片上线生产。
 
2001 年,互联网经济泡沫破裂,全球半导体产业规模近乎腰斩,从 2000 亿美元下滑到 1400 亿美元。
 
2002 年 3 月,华虹 NEC 开始组建代工部,转型进入晶圆代工领域,到 2004 年彻底退出 DRAM 制造领域。
 
2002 年 9 月 28 日,32 位处理器龙芯 1 号(Godson-1)正式上市,内频 266 MHz,采用 0.18um CMOS 工艺制造。基于龙芯 CPU 的网络安全设备可以满足国家政府部门,企业机关对于网络与信息系统安全的需求。
 
2003 年 3 月 11 日,士兰微在上海交易所上市,成为第一家登陆主板的集成电路设计公司。
 
2003 年 6 月 3 日,长电科技在上海交易所上市,成为第一家登陆主板的集成电路封装公司。
 
2003 年 10 月,教育部、科技部批准了清华大学、北京大学、复旦大学、浙江大学、西安电子科技大学、上海交通大学、东南大学、华中科技大学 、电子科技大学等九所高校为首批国家集成电路人才培养基地的建设单位;2004 年 8 月,教育部批准了北京航空航天大学、西安交通大学、哈尔滨工业大学、同济大学、华南理工大学和西北工业大学等六所高校为国家集成电路人才培养基地的建设单位;2009 年 6 月教育部批准了北京工业大学、大连理工大学、天津大学、中山大学、福州大学等五所高校国家集成电路人才培养基地的建设单位。至此,国家集成电路人才培养基地的布局初步形成。
 
2003 年 12 月 8 日,北大众志 863 CPU 系统芯片发布,分别采用 0.25 微米和 0.18 微米工艺流片,内部集成了 32 位定点微处理器、64 位浮点协处理器,内有 8 百万晶体管,体系结构、指令系统、系统软件、支撑软件等均为自行开发,拥有完全自主知识产权。
 
2003 年,我国的集成电路年产量首次超过 100 亿块,从 10 亿块到 100 亿块,我国用了 6 年时间。
 
2004 年 7 月 14 日:中美关于中国集成电路增值税问题的谅解备忘录于在日内瓦签署。至此,中美在世贸组织争端解决机制下的集成电路增值税争端得到解决
 
2004 年 7 月,第一条 12 英寸生产线在中芯国际北京厂试投产,2005 年 3 月正式投产,初期使用 0.11 微米及 0.10 微米生产工艺制造 512Mb DDR2 SDRAM。
 
2004 年 9 月,首颗通信 SoC 芯片 COMIP 研发成功,采用台积电 0.18mm CMOS 工艺、BGA 方式封装,芯片外观尺寸仅为 19mm×19mm,结束了中国在通信技术领域没有中国“芯”的历史。
 
2004 年 10 月 18 日,华为旗下的海思半导体宣告成立,前身是创建于 1991 年的华为集成电路设计中心。
 
2004 年,中国电科 13 所推出第一只宽禁带氮化镓功率器件。
 
2004 年,我国集成电路产业规模首次突破 500 亿元。
 
2005 年 3 月 23 日,财政部、信息产业部、国家发改委为鼓励集成电路企业加强研究与开发,设立了集成电路产业研究与开发专项资金,制定了《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂行办法》(简称“132 号文”),132 号文件成为 18 号文修改后的重要补充部分。
 
2005 年 11 月 15 日,中星微正式在美国纳斯达克上市,成为第一家登陆纳斯达克的中国集成电路设计公司;11 月 30 日珠海炬力在美国纳斯达克挂牌上市。这无疑是中国半导体产业的一个重大事件,风险投资在其后的一年多时间里对中国半导体行业空前关注和看好。
 
2006 年 2 月 9 日,《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020 年)》发布。规划纲要确定了“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件(01 专项)”和“极大规模集成电路制造技术及成套工艺(02 专项)”等 16 个重大专项;2009 年开始实施。
 
2006 年 4 月 21 日,武汉新芯成立,2008 年开始为客户提供专业的 300mm 晶圆代工服务,在 NOR Flash 和 CIS 领域积累了超过 10 年的制造经验,成为世界领先的 NOR Flash 提供商之一。2017 年武汉新芯开始聚焦 IDM 战略,发布了集产品设计、晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌,致力于开发高性价比的 SPI NOR Flash 产品。
 
2006 年 6 月 15 日,中国半导体行业协会与世界半导体理事会(WSC)签署《中国半导体行业协会加入世界半导体理事会备忘录》,成为 WSC 第六个成员单位。
 
2006 年第三季,中芯国际 90 纳米 CMOS 工艺开始量产,当年营收占比 5%。
 
2006 年,我国集成电路产业规模首次突破 1000 亿元,从 500 亿到 1000 亿用时 2 年。
 
2007 年,我国的集成电路年进口量超过 1000 亿块,当年我国的集成电路年产量突破 400 亿块。
 
2008 年 1 月,《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园。
 
2008 年,中芯国际北京厂退出 DRAM 生产,转型为逻辑代工。
 
2009 年第 4 季度,中芯国际 65 纳米 CMOS 开始量产,当季营收占比 2.5%。
 
2010 年 1 月 19 日,“909”工程升级改造 12 英寸集成电路生产线项目正式启动。项目建设目标是建成第一条国资控股、主要面向国内市场、月产 3.5 万片的 12 英寸(90-65-45 纳米)集成电路生产线,2011 年 4 月 29 日开始 55 纳米产品试流片,2015 年 3 月 19 日通过验收。
 
2010 年,我国的集成电路年进口量超过 2000 亿块,当年我国的集成电路年产量约 650 亿块。
 
2011 年 1 月 28 日,《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(简称“4 号文”)发布。
 
2011 年第 4 季度,中芯国际 45 纳米 CMOS 工艺开始风险生产;2012 年第 4 季度开始量产,当季营收占比 2.6%。
 
2012 年 5 月,财政部、国税总局发布《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》[财税〔2012〕27 号]。
 
2012 年,我国集成电路产业规模首次突破 2000 亿元,从 1000 亿到 2000 亿用时 6 年。
 
2013 年 4 月,昂瑞微电子推出国内首款单芯片 CMOS GSM 射频前端芯片,并实现销售。
 
2013 年第 4 季度,中芯国际 28 纳米制程开发完成,推出首个包含 28 纳米 HKMG 和 PolySiON 的多项目晶圆流片服务,供客户进行芯片验证。
 
2013 年,我国集成电路封装产业规模率先突破 1000 亿元。
 
2013 年,我国集成电路进口额突破 2000 亿美元。
 
快速发展期
(2014-)

《推进纲要》的发布和大基金的成立,驱动集成电路发展进入快车道!
 
在存储器领域,3D NAND 和 DRAM 的相继取得突破,打破海外垄断局面!
 
关键装备和材料取得重大突破,整体水平达到 28 纳米,


部分产品进入 14 纳米至 5 纳米,被国内外生产线采用。


封装测试领域,长电、华天、通富三巨头进入全球前十!
 
晶圆制造领域,28 纳米和 14 纳米相继投产,特色工艺竞争力得到加强!
 

2014 年 6 月 24 日,《国家集成电路产业发展推进纲要》正式公布,将集成电路产业发展上升为国家战略,明确了“十三五”期间国内集成电路产业发展的重点及目标,拉开了我国集成电路产业发展的新阶段。纲要设定:到 2020 年,集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小,全行业销售收入年均增速超过 20%,企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平,产业生态体系初步形成。16/14nm 制造工艺实现规模量产,封装测试技术达到国际领先水平,关键装备和材料进入国际采购体系,基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。到 2030 年,集成电路产业链主要环节达到国际先进水平,一批企业进入国际第一梯队,实现跨越发展。


2014 年 9 月 26 日,国家集成电路产业投资基金(大基金)正式成立,重点投资集成电路芯片制造业,兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业,实施市场化运作、专业化管理。
 
2014 年 10 月 15 日,华虹半导体以红筹方式在香港交易所主板上市。
 
2014 年,我国的集成电路年产量首次超过 1000 亿块,从 100 亿块到 1000 亿块,我国用了 11 年时间。
 
2014 年,我国集成电路设计产业规模突破 1000 亿元。我国集成电路产业规模首次突破 3000 亿元,从 2000 亿到 3000 亿用时 2 年。
 
2015 年 6 月 10 日,教育部、国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部、国家外专局等六部委共同批复 26 家全国示范性微电子学院建设,支持北京大学、清华大学、中国科学院大学、复旦大学、上海交通大学、东南大学、浙江大学、电子科技大学、西安电子科技大学建设示范性微电子学院,支持北京航空航天大学、北京理工大学、北京工业大学、天津大学、大连理工大学、同济大学、南京大学、中国科技大学、合肥工业大学、福州大学、山东大学、华中科技大学、国防科学技术大学、中山大学、华南理工大学、西安交通大学、西北工业大学等 17 所高校筹建示范性微电子学院;2017 年批复支持厦门大学、2018 年批复支持南方科技大学筹建示范性微电子学院。至此我国共有 28 所示范性微电子学院。

 
2015 年第三季度,中芯国际 28nm 工艺制程正式量产,进一步拉近了和国际领先晶圆代工厂商的距离。


2015 年 10 月 15 日,长电科技完成收购星科金鹏,排名进入全球前三,稳居全球第一梯队。


2015 年,我国的集成电路年进口量超过 3000 亿块,当年我国的集成电路年产量接近 1200 亿块。

 

2016 年,晋华集成、合肥长鑫和长江存储三大本土存储公司成立;长江存储获得大基金注资。


2016 年 11 月 9 日,“909”工程启动二次升级,总投资 387 亿元,建设华力二期 12 英寸集成电路新生产线,达国际主流规格和水平。12 月 30 日开工建设,2018 年 10 月 18 日开始投片。
 
2016 年,我国晶圆制造产业规模突破 1000 亿元。我国集成电路产业规模首次突破 4000 亿元,从 3000 亿到 4000 亿用时 2 年。
 
2017 年 2 月,昂瑞微电子发布全球首款商用量产的支持 GSM/EDGE/TD-SCDMA/TD-LTE 的多模多频 CMOS 工艺 PA。


2017 年 9 月,华为海思发面布全球首款人工智能 AI 移动计算平台麒麟 970,基于台积电 10nm 工艺。
 
2017 年 12 月 28 日,华润微电子正式整合中航重庆,打造中国功率器件龙头企业。


2017 年,我国集成电路产业规模首次突破 5000 亿元,从 4000 亿到 5000 亿用时 1 年。同年全球集成电路产业规模首次突破 3000 亿美元。

 
2018 年 7 月 16 日,合肥长鑫建成第一座 12 英寸 DRAM 工厂,宣布投片试生产,开创了中国存储产业的新时代。
 
2018 年 4 月 11 日,长江存储开始设备搬入安装调试,年底投产 32 层 3D NAND 闪存。

 
2018 年,我国的集成电路年进口量超过 4000 亿块,当年我国的集成电路年产量接近 1800 亿块。当年进口金额首次突破 20000 亿,也是首次突破 3000 亿美元。

 
2018 年,我国集成电路产业规模首次突破 6000 亿元,从 5000 亿到 6000 亿用时 1 年。


2019 年 9 月 2 日,长江存储官宣 64 层 3D NAND FLASH 投产。早在 8 月 26 日,64 层 3D NAND 已在重庆智博会正式量相。

 
2019 年 9 月 17 日,华虹无锡基地建成中国最先进的 12 英寸特色工艺生产线。
 


2019 年 9 月 20 日,合肥长鑫正式宣布在 DRAM 取得新突破,正式量产 8Gb DDR4。