千兆位以太网（GbE）用3.3V大功率低电容集成阵列TVS DL3304P9

DL3304P9 低成本平替3374N

TVS 二极管专为保护连接到高速数据与传输线的敏感元件所设计，以避免静电放电 (ESD)、缆线放电事件 (CDE)，以及电气快速瞬时 (EFT) 造成的过电压损害。 独特的设计纳入突波等级、低电容量控向二极管，以及 TVS 二极管在单一封装中。DL3304P9 在设计上可取代多达两个元件，提供板级 GbE 保护。 每个元件设计为保护两个线路。 这是透过在装置中的布线达成。 以此方式连接时，元件可耐受高等级的突波电流（40 A、8/20 μs，且箝位电压VC低至25V），同时保持低于 5 pf 的低负载电容量。 由于具备此高突波承受能力，因此可用于高威胁环境中的应用，例如 Gigabit 乙太网络、通讯线路，以及 LVDS 界面。  EPD 流程比起硅晶突崩式二极管制程，提供更低的隔绝电压，并且大幅降低漏电流和电容量。 此元件具有 3.3 V 的真正工作电压，能提供优异的保护。DL3304P9  采用 10 引脚 SLP3020N10 封装，尺寸仅 3.0 mm x 2.0 mm x 0.60 mm。 引线采用无铅处理。

产品特点：

• • 多种突波等级二极管，含内部 TVS 二极管
  • 高速数据线路瞬变防护，标准达到
  • o IEC 61000-4-2 (ESD) ±30 kV（空气）、±30 kV（接触）
  • o IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
  • o IEC 61000-4-5（雷击）40 A (8/20 uS)
  • 保护多达八个线路
  • 低电容量，适用于高速 CANbus
  • 电容量和偏压电压之间具有低变化
  • 低箝位电压低于25V 在IPP40A（8/20 uS）时
  • 低工作电压：3.3 V
  • 固态硅突雪崩技术

应用

• • 10/100/1000M乙太网络
  • 汽车电子
  • 中央机房设备
  • LVDS 界面

以太网上的雷击防护芯片DL3304P9

描述：TVS DIODE 3.3VWM 25VC 10SLP

双向通道：8

DL3304P9

• • 电压 - 反向关态（典型值）：3.3V（
  • 电压 - 击穿（最小值）：3.5V (2uA)
  • VSB电压：2.8V  (50mA)
  • 电压 - 箝位（值）@ Ipp40A：VC小于25V
  • 电流 - 峰值脉冲 ：40A（8/20μs）
  • 功率 - 峰值脉冲：1000W （1kW）
  • 不同频率时的电容：5.0pF @ 1MHz
  • 工作温度：-55 ~ 85;C（TA）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：10-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：SLP3020N10