国内 GaN 射频元件厂商生存现状分析,5G 时代是否能实现弯道超车?

2019-06-14 16:46:50 来源:EEFOCUS
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5G 对半导体材料提出了不小的挑战。

 

更大的带宽、更高的数据传输速度意味着更大的功率、更高频率的需求,而传统的硅半导体已经无法满足这些需求,在 20 世纪 90 年代诞生的氮化镓技术则以其在高频下更高的功率输出和更小的占位面积,被射频行业大量应用。

 

有研究机构指出,在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下,预计到 2024 年 RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。

 

目前市场上成熟的 GaN 射频应用基本来自美国、日本的厂商,比较出名的有美国的 Cree、Qorvo、Macom、雷神等,日本的住友、三菱等等。

 

 

氮化镓的普及在于其高电流和高电压性能,这使其在微波应用和功率切换上极具价值。 对于电子战、雷达、卫星、有线电视和蜂窝式移动数据通信等高功率应用,氮化镓是首选技术。与固态电子器件中常用的硅和砷化镓等材料相比,氮化镓设备可在更高电压和更高频率下运行。氮化镓器件也非常高效,这使得它们在被用于高功率应用时,还可以节能。由于氮化镓的独特属性,它是电路设计人员工具箱里的有力工具,尤其在设计高功率、高频率应用时。

 

国内发展 GaN 射频技术较晚,做相关器件的厂商也不多,下面笔者就来盘点一下国内几大做射频 GaN 器件的厂商。

 

苏州能讯

苏州能讯成立于 2007 年,是中国比较领先的 GaN 射频功率器件的 IDM 公司。根据苏州能讯半导体总经理任勉所述,苏州能讯从成立到现在已经进行了三轮融资,总共投入约 10 亿人民币,其第一规模工厂(FAB1)位于苏州昆山高新区,工厂占地 55 亩,厂房面积为 18000 平方米,经过第三轮 5 亿元融资后,现有产线改造扩容结束将具备年处理 4 英寸 GaN 晶圆 5 万片/年(约折合 2000 万支器件)的能力。若 GaN 器件在 5G 市场部署时如期爆发,苏州能讯未来将规划建设 FAB2, FAB2 规划为 6 英寸产线,资本投入将会是 FAB1的三倍以上。

 

 

苏州能讯推出了频率高达 6GHz、工作电压 48/28V、输出功率从10W-390W 的射频器件。在移动通信方面,苏州能讯可提供适应 4G及 5G 的高效率和高增益的射频器件,工作频率涵盖 1.8-3.8GHz,工作电压 48V,设计功率从 130W-390W,平均功率为 16W-55W。

 

上个月,苏州能讯高能半导体有限公司 4 英寸氮化镓芯片产线建成,该产线总投资 3 亿元,设计产能为 17000 片 4 英寸氮化镓晶圆,达产后可实现产值 20 亿元,以迎接 5G 无线通信对氮化镓射频芯片的市场需求,打造国产射频芯片新品牌。

 

英诺赛科

英诺赛科由海归创业团队成立,拥有硅基 GaN 外延生长及器件制造能力。一期项目位于珠海市国家级高新区,主要建设 8 英寸增强型硅基氮化镓外延与器件大规模量产生产线,主要产品包括 100V650V 8 英寸硅基氮化镓外延片、100V-650V 氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。2018 年,英诺赛科斥资 60 亿在苏州吴江建立生产线,产品规划覆盖低压至高压半导体功率器件和射频器件。

 

 
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钱玉锋
钱玉锋

与非网编辑,电科专业出身。愿与大家一起分享自己对电子圈的见解,抛砖引玉,还原最真实的电子圈。

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