加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

功率MOSFET

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

电路方案

查看更多

设计资料

查看更多
  • AMEYA360 | MOSFET器件选型考虑哪些因素?4大法则搞定MOSFET器件选型
    功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了,但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化,下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则,相信看完你会大有收获。
  • 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少?
    功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少?
    选择一个工作点而不是另一个工作点作为数据表“最大”额定值的一些原因包括:选择工作点作为在生产线末端测试时用于筛选器件的相同工作点,或者出于营销或客户目的以指示某些所需的能量水平。将一个器件的UIS能力与另一个器件进行比较时,关键点是比较相同Tj(initial)温度下的Ipk vs tav绘图数据,而不是比较单个UIS额定值。
  • 英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
    英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
    数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。
  • Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
    Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
    日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%,该参数是650 V MOSFET在功率转
  • 英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET
    英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET
    小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外,更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容,此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用,如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源(SMPS)里的同步整流等。此外,新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。