MRF5S9101NR1，MRF5S9101NBR1 EDGE横向N沟道射频功率MOSFET

射频功率场效应晶体管 N沟道增强型横向MOSFET 设计用于频率在869至960 MHz范围内的GSM和GSM EDGE基站应用。适用于多载波放大器应用。

GSM应用

• 典型的GSM性能：VDD = 26伏特，IDQ = 700毫安培，Pout = 100瓦连续波，全频带（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 17.5 dB 漏极效率 - 60% GSM

EDGE应用 典型的GSM

• EDGE性能：VDD = 28伏特，IDQ = 650毫安培，Pout = 50瓦平均功率，全频带（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 18 dB 400 kHz偏移处的谱重构 = -63 dBc 600 kHz偏移处的谱重构 = -78 dBc EVM = 2.3% 均方根误差
• 能够承受10:1的驻波比，@ 26 V直流电压，960 MHz，100瓦连续波输出功率

特点

• 使用等效大信号阻抗参数进行特性化
• 内部匹配，易于使用
• 最大32 VDD操作合格化
• 集成ESD保护
• 200°C耐温塑料封装 。
• N后缀表示无铅引线。符合RoHS标准。
• 带有胶带和卷轴。R1后缀=每个44 mm、13英寸卷轴500个单位。