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晶圆级封装

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  • TCB工艺为什么引入甲酸蒸汽？
    TCB机台上引入甲酸蒸汽是为了去除Sn焊料表面的SnO氧化层。甲酸蒸汽在100-150℃条件下与SnO反应生成Sn(COOH)₂，并在高温下进一步分解为Sn、CO₂和H₂，从而有效去除氧化层并保持焊点活性。这种方法相比传统助焊剂和氢气还原更为温和且易于操作，适用于Fluxless TCB工艺。
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    在晶圆级封装（WLCSP）的Bump（凸点）制作中，锡膏与助焊剂并非所有工艺都必需——电镀法通过金属沉积形成凸点主体，仅在回流环节需微量助焊剂辅助；但（中低密度Bump主流工艺）和（大尺寸Bump工艺）中，二者是决定凸点成型质量、可靠性的核心材料。以下针对这两类核心工艺，详细拆解锡膏与助焊剂的应用环节、操作细节及技术要求。 一、焊料印刷法：锡膏为“骨”，助焊剂为“脉”的凸点成型工艺 焊料印刷法通过
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    在晶圆级封装（WLP）中，Bump凸点是实现芯片与基板/ PCB互连的“桥梁”，其工艺直接决定封装密度、可靠性与成本。目前主流的Bump凸点工艺主要分为电镀法、焊料印刷法、蒸发/溅射法、球放置法四类，每类工艺因技术路径不同，在步骤、材料、设备及应用场景上差异显著。下面从实际生产视角，拆解各类工艺的核心细节与适配逻辑。 一、电镀法（Electroplating Bump）：高密度封装的“主流选择”
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    锡膏在晶圆级封装中易遇印刷桥连 空洞、回流焊焊点失控、氧化、设备精度不足等问题。解决问题需平衡工艺参数，同时设备也需要做精细调准。
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  • 晶圆级封装的 隐形基石 锡膏如何决定芯片可靠性
    晶圆级封装中，锡膏是实现电气连接与机械固定的核心材料，广泛应用于凸点制作、植球工艺及芯片 - 基板互连等关键环节。主流采用 SAC 系、Sn-Cu 系、Sn-Bi 系等无铅锡膏，需满足高精度印刷、优异润湿性、高可靠性及低残留等严苛要求。
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