晶圆级封装

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  • 豪掷78亿!封测巨头落子上海
    长电科技在上海临港投资78亿元建设高端先进封测工厂,加速产能扩展以应对AI算力需求激增。该项目将重点聚焦2.5D/3D晶圆级封装及高密度异构集成,助力临港集成电路产业完善产业链闭环,并增强国内半导体供应链的安全性和自主性。
  • 专注晶圆切割,助力中国“芯”—— 高性能半导体晶圆切割解决方案
    引言:在半导体产业链中,晶圆切割作为芯片制造后道封装的关键工序,其工艺质量直接决定了芯片的良率和可靠性。随着晶圆尺寸不断增大、厚度持续减薄以及新型材料(如碳化硅、氮化镓、Low-k介质层)的广泛应用,切割工艺面临着前所未有的挑战。切割过程中产生的摩擦热、硅粉残留、崩边以及电极短路等问题,成为困扰各大封测厂的技术痛点。 一、优质的晶圆切割液,正是解决这些痛点的关键。 产品核心优势:不止于润滑,更在于
  • 晶圆级封装(WLP):微型化背后的除泡攻坚
    在摩尔定律逐渐逼近物理极限的今天,半导体行业正通过“超越摩尔”(More than Moore)的路径寻求突破。晶圆级封装(WLP)作为此路径上的关键技术,正在重塑芯片的形态与未来。它将封装与测试的环节前置到晶圆切割之前,使得最终的封装体尺寸几乎与芯片裸片等同,从而在智能手机、可穿戴设备、高性能AI计算卡等对空间极度敏感的应用中,成为实现极致微型化与高功能密度的核心引擎。 然而,这场微型化革命并非
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    TCB机台上引入甲酸蒸汽是为了去除Sn焊料表面的SnO氧化层。甲酸蒸汽在100-150℃条件下与SnO反应生成Sn(COOH)₂,并在高温下进一步分解为Sn、CO₂和H₂,从而有效去除氧化层并保持焊点活性。这种方法相比传统助焊剂和氢气还原更为温和且易于操作,适用于Fluxless TCB工艺。
  • 晶圆级封装Bump制作中锡膏和助焊剂的应用解析
    在晶圆级封装(WLCSP)的Bump(凸点)制作中,锡膏与助焊剂并非所有工艺都必需——电镀法通过金属沉积形成凸点主体,仅在回流环节需微量助焊剂辅助;但(中低密度Bump主流工艺)和(大尺寸Bump工艺)中,二者是决定凸点成型质量、可靠性的核心材料。以下针对这两类核心工艺,详细拆解锡膏与助焊剂的应用环节、操作细节及技术要求。 一、焊料印刷法:锡膏为“骨”,助焊剂为“脉”的凸点成型工艺 焊料印刷法通过