铌酸锂

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  • 铌酸锂:光学硅的第二次登场
    9月中旬市场监管总局发布量子器件国家标准,点名周期极化铌酸锂。薄膜化提升带宽与集成,推动AI光互联、量子应用需求;国产替代加速,订单集中,但原料、良率与替代路线仍存不确定性。
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    10/08 15:14
    铌酸锂:光学硅的第二次登场
  • 算力极限下的半导体材料战争:谁在决定AI数据中心的生死?
    过去两年半导体聚焦GPU与先进制程,但AI数据中心高密度部署暴露传输衰减、发热与封装变形等材料极限,算力红利正从制程转向材料。围绕内存、功耗、互联和封装四大瓶颈,HBM推动High-K前驱体与GMC需求;SiC/GaN提升电源能效;磷化铟与薄膜铌酸锂支撑1.6T光互联;特种玻璃基板替代有机载板。中国材料市场逆势增长,高端材料国产化与供应链安全将决定算力竞争话语权。
    算力极限下的半导体材料战争:谁在决定AI数据中心的生死?
  • 中科院上海微系统所新成果:铌酸锂 / 金刚石高质量异质集成
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究团队成功采用微转印技术实现了单晶LiNbO₃薄膜与金刚石衬底的异质集成,首次演示了高频剪切水平模式表面声波谐振器。这项技术解决了传统方法中的热失配问题,提高了材料的结晶性和压电性能,为未来超高频通信所需的高性能声学器件奠定了材料基础。
  • 一文了解光通信铌酸锂应用及制造技术
    本文介绍了铌酸锂(LN)及其薄膜光波导在光通信技术中的应用,特别是绝缘体上铌酸锂(LNOI)的制作过程和三种主要类型的薄膜铌酸锂光波导。还详细描述了一个具体的调制器器件制作流程,并提供了相关的参考文献。此外,文章还提到了一个赠书活动,鼓励读者分享对未来科技发展的思考。