GaN FET_GaN FET资讯

在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下，并联MOSFET并不能节省空间或提升效率，因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注，相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，针对GaN FET驱动进行了优化。借助这些模型，设计工程师可以确定哪种GaN FET最适合特定应用，并尝试不同的组合以获得理想性能

亚德诺半导体

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10/15 10:57

GaN FET LTspice仿真

基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器的设计注意事项

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。图 1 是混合串式逆变器的方框图。常见的稳压直流母线可将各个基本模块互联起来。混合串式逆变器包含以下子块：用于执行最大功率点跟踪的单向 DC/DC 转换器。

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07/11 11:04

IGBT 终端设备

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。

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2023/12/11

Nexperia GaN FET

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，

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2023/06/16

PFC Transphorm

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计

基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。 EPC9186在每个开关

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2023/05/11

GaN 氮化镓

EPC GaN FET配以ADI控制器可实现具有最高功率密度的稳压DC/DC转换器

宜普电源转换公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考设计采用经过全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管，可实现超过96.5%的效率。宜普电源转换公司(EPC)宣布新推EPC9158，这是一款工作在500 kHz开关频率的双输出同步降压转换器参考设计，可将48 V~54 V的输入电压转换为12 V稳压输出，可提供高达每相25 A电流或50 A总连续

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2023/05/11

转换器 ADI

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mo

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2023/05/10

GaN 氮化镓

EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET，实现高效灵活设计

宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积

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2023/02/07

转换器 GaN FET

使用集成 GaN 解决方案提高功率密度

在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。

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2022/09/14

GaN 氮化镓

EPC开拓"GaN Talk支持论坛"平台

宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息和技术支持，从而了解氮化镓技术的应用现状和发展趋势。该论坛专为工程师、工程专业学生和所有氮化镓技术爱好者而设，为用户答疑解难和提供互相交流的平台。