IGBT

• 使用新一代H7系列IGBT单管设计高效新能源系统

  Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品已形成完善的650V、750V、1200V电压等级产品矩阵，涵盖T7、S7、H7三大系列，共6种封装形式，总计56款产品。H7系列单管采用微沟槽技术，性能优异，适用于光伏、充电桩等应用。H7单管在650V和1200V电压下分别有显著的导通损耗和开关损耗降低，适合不同场景需求。

  英飞凌

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  11小时前

  IGBT
• SABIC推出新型LNP THERMOCOMP OFM改性料，适用于高压电源模块

  全球化工行业的领导者SABIC日前宣布推出全新系列的LNP™ THERMOCOMP™改性料，适用于大功率、高电压的电驱和电源模块应用，如绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率开关器件。新型LNP THERMOCOMP OFM76XXP和OFM76EXP改性料基于聚苯硫醚（PPS）树脂，具有良好的抗冲击强度和尺寸稳定性、较高的相比漏电起痕指数（CTI-PLC 0）和抗热震性，可满足日益严苛的应用需求。此外

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  07/14 11:10

  机器人 IGBT

  
• IGBT/IPM驱动光耦：守护电梯平稳运行的隐形安全卫士

  电梯作为现代建筑中不可或缺的垂直交通工具，承载着日常出行的核心需求，其运行的平稳性、安全性与可靠性，直接关系到每一位乘客的人身安全与出行体验。电梯的动力驱动与控制系统极为精密，内部电路复杂，既要应对高低压电路共存的工况，也要抵御运行中产生的电磁干扰，更要保障启停、调速、制动等动作的精准同步，一旦核心控制环节出现故障，极易引发运行卡顿、骤停等安全隐患。IGBT/IPM驱动光耦作为电梯驱动系统的核心器

  腾恩科技

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  07/14 11:04

  光耦 IGBT
• 20家企业集体涨价，又两家国内功率半导体厂商二轮调价

  2026年以来，多家芯片厂商集体启动新一轮涨价，特别是功率半导体领域。士兰微宣布全品类产品涨价15%，主要受成本与供需双重驱动。芯联集成则上调晶圆代工价格15%-25%，反映行业整体成本压力。全球功率半导体行业迎来集体涨价热潮，国内外厂商同步共振。

  化合物半导体市场

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  07/03 15:09

  功率半导体 IGBT
• 5万亿电网风口将至，SiC技术如何抢占新赛道？

  4月，南方电网科研院发布277万元招标公告，拟开展碳化硅换流阀样机定制及原材料采购。这一举措标志着碳化硅切入柔直电网核心部件的步伐再进一程，正加速迈向工程化落地。 据国家发展改革委透露，“十五五”期间，我国新型电网投资预计超5万亿元，其中柔性直流电网作为关键技术方案将规模普及。与此同时，国家电网、南方电网等企业已加速在柔直工程中导入碳化硅技术，目前相关工程数量已突破12个。 基于此，本文深度剖析碳

  行家说三代半

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  07/02 16:17

  SiC IGBT
• 英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER栅极驱动

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了专为纯电动汽车（BEV）牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂（OE

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  06/17 10:16

  英飞凌 IGBT

  
• 脉冲 I‑V 测试在 MOSFET 器件表征中的应用与实现

  在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。 相比连续直流测试，脉冲测试通过在极短时间内施加激励，可显著降低器件自发热（焦耳热）对测量结果的影响，从而更准确地表征器件的本征特性。这一优势使脉冲测量被广泛应用于纳米器件、功率器件及晶圆级测试等场景，尤其

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  04/30 12:26

  MOSFET IGBT

  
• 从系统架构到功率元件：电机驱动核心技术详解

  如今许多常见的电机类型都需要依赖强大的微控制器来处理复杂算法，否则将难以实现高效运行；例如永磁同步电机 (PMSM) 和无刷直流电机 (BLDC) 都需要进行大量的数学计算才能高效运作。微控制器通常更擅长处理复杂的计算任务，而非提供精确的功率输出。尽管部分微控制器集成了能够提供一定驱动力的电路，但在大多数应用中仍需要专用的电源系统来确保稳定供电。 本文将介绍电机驱动的架构，以及其中各主要部件的作用

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  04/22 09:32

  MOSFET IGBT

  
• IGBT/IPM 驱动光耦：新能源发电转换的安全驱动核心

  新能源发电转换领域是全球能源转型核心，光伏电站、风电场、储能系统、电动汽车充电桩等设备，均通过 IGBT/IPM 实现电能高效变换与传输。这些功率器件需在高电压、大电流、强电磁环境下精准启停，IGBT/IPM 驱动光耦作为控制回路与功率回路的关键连接部件，凭借强绝缘隔离、高速驱动响应、抗干扰传输等优势，破解了功率器件驱动的安全与精准难题，既保障人员与设备安全，又提升电能转换效率，以下解析其核心作用

  腾恩科技

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  03/28 09:14

  光耦 IGBT
• 上海贝岭第七代IGBT技术优势解析

  上海贝岭第七代IGBT技术优势解析：针对新能源汽车产业发展需求，介绍BLG80T65FDK7-F产品的特性，包括低导通压降、低栅极电荷、低漏电流等优点，并提供应用场景和配套产品选型建议。

  上海贝岭

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  03/13 10:08

  IGBT
• 奥特IGBT光耦-AT314优秀的隔离器件

  IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心器件，其隔离与控制技术直接关系到系统的安全性和可靠性。隔离设计通过光耦或变压器实现高低压电路间的电气隔离，避免信号干扰和高压击穿风险。而控制策略则依托驱动电路优化，采用PWM调制、软开关等技术，精准调节IGBT的导通与关断时序，降低开关损耗并提升效率。此外，温度监测、过流保护等智能控制模块的引入，进一步增强了系统的稳定性。 AT314光耦作为

  奥特半导体

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  03/10 16:11

  IGBT 光电耦合器
• 高效·稳定·可靠的中高功率IGBT解决方案

  在新能源、高端工业设备与智能制造加速升级的时代，功率器件正成为系统效率与稳定性的核心变量。无论是逆变焊机、电机驱动、UPS电源、光伏储能逆变器，还是高性能电源模块，一颗高效、安全、可靠的IGBT，都决定着系统能否在高压、大电流、复杂工况下稳定运行。 時科 SKIS50N65-T7 正是在这样的行业需求下诞生的一款性能旗舰级 IGBT。基于先进的场截止（Field-stop）与沟槽栅（Trench

  时科

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  01/15 14:36

  IGBT

  
• 上海贝岭IGBT BLG05T65FDL7 助力变频冰箱高效运行

  上海贝岭推出的IGBT BLG05T65FDL7在变频冰箱中表现出色，具有低导通压降、强短路能力和优异的温升表现，显著提升了系统的能效和可靠性。该产品适用于多种家电应用，并提供了完整的全栈式芯片解决方案，包括功率器件、栅极驱动、电源管理和存储隔离等模块，助力家电制造商实现高效、节能和智能化的目标。

  上海贝岭

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  01/15 11:28

  IGBT
• 研洁等离子清洗设备保障电力电子IGBT模块散热稳定性

  摘要 IGBT铜基板氧化层降低导热胶润湿。研洁真空等离子清洗设备温和还原氧化层并活化表面，散热热阻下降，功率循环寿命提升。 行业痛点 新能源逆变器IGBT模块铜基板经高温存储后氧化膜增厚，导热胶润湿不足，界面热阻升高，功率循环时芯片结温波动加大，早期失效风险上升。 技术方案 研洁真空等离子清洗设备在贴芯片前配置氩氢混合等离子体，温和还原氧化层，再切换氩氧等离子植入羟基，使导热胶润湿更充分，固化后形

  研成工业

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  01/14 15:25

  IGBT 清洗机
• IGBT驱动光耦简介

  栅极驱动器是用于提高功率器件栅极驱动电流的功率放大器，尤其在高功率应用中至关重要。随着电力电子器件的需求不断提升，栅极驱动器的设计和性能变得愈发重要。栅极驱动器接收低功耗输入并生成高电流栅极驱动，适用于开关模式电源、通用电源和电机驱动器等场景。栅极驱动器通常采用隔离技术，如磁性隔离（栅极驱动变压器）或光学隔离（光耦合器），以满足安全和功能需求。

  先进光半导体

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  01/08 07:31

  光耦 IGBT

  
• IGBT/SiC MOSFET 工业级并联设计准则：电流均衡四大核心维度实操指南

  IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 并联是提升功率系统输出能力的核心方案，但其核心痛点是静态 / 动态电流不均衡，可能引发器件热失控、寿命缩短甚至烧毁。工业级设计的关键的是通过 “器件参数匹配、电路拓扑对称、驱动同步控制、热管理均衡” 四大维度，将电流不均衡系数控制在 10% 以内，同时适配两者特性差异，确保高功率场景下的可靠性。

  芯次元玩家

  2597

  2025/12/31

  MOSFET IGBT
• IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

  作者：安森美 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理想选择，至今仍适配多种应用场景。 本文将深入解读器件结构、损耗计算、并联

  与非网编辑

  1088

  2025/12/29

  IGBT 半导体器件

  
• IGBT 与 SiC MOSFET 混合并联开关：效率与成本的最优平衡方案

  IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 混合并联开关是大功率电力电子领域的创新方案，通过整合 SiC MOSFET 的高开关频率、低损耗优势与 IGBT 的成本经济性，在专用栅极驱动器支持下，实现 “性能接近全 SiC、成本低于全 SiC” 的目标，广泛适配太阳能逆变器、储能系统、充电桩、电驱逆变器等大功率应用。

  芯次元玩家

  4413

  2025/11/18

  IGBT 开关
• 华芯微国产汽车芯片MOSFET 驱动器系列（篇一）

  一、HRMD2110PMCC 型高低边MOSFET 驱动器 1.1产品介绍 HRMD2110PMCC 高压高速功率MOSFET 与IGBT 驱动器采用独立高低侧参考输出通道设计，搭载专有HVIC 技术及抗闩锁CMOS 工艺，实现模块化单片集成。逻辑输入兼容标准CMOS 或LSTTL 输出（低至3.3V 逻辑电平），输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，有效抑制驱动器交叉导通现象。信号传输延迟经过精密匹配

  与非网编辑

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  2025/11/18

  MOSFET 驱动器

  
• 什么叫IGBT? IGBT的结构、工作原理与应用领域有哪些？

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），全称绝缘栅双极型晶体管，是一种高性能的功率半导体器件，它在电力电子领域扮演着至关重要的角色。以下是对IGBT的详细解析，包括其定义、结构、工作原理、性能优势、应用领域以及市场与技术发展等方面。 一、定义 IGBT是一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）特性的复合全控型-电压驱动式

  SMT工程师之家

  1.6万

  2025/09/12

  IGBT

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