IGBT

• 从板级防护到器件级防护：上海贝岭推出内置ESD保护IGBT

  上海贝岭推出BLG06T65FDL7E 650V/6A内置ESD家电专用IGBT，面向≤1kW、≤20kHz白电变频，适配冰箱、洗衣机、油烟机等。芯片级ESD防护降低CDM/HBM静电失效，第7代Trench-FS、低导通损耗、强短路耐受，适配潮湿谐波工况；HBM/CDM±2kV通过，400V 7μs短路，骚扰测试符合EN 55014-1，降低外围防护器件成本。

  上海贝岭

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  11/11 08:45

  IGBT ESD保护

  
• 安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，以高可靠性赋能高压大功率应用

  安世中国首款 IGBT 功率模块支持 175℃ 结温持续运行，兼具低损耗、高功率密度与面向恶劣工况的超高鲁棒性 行业领先的基础半导体器件与解决方案供应商安世中国推出面向 1200V 的 ND3 半桥 IGBT 模块系列，进一步扩充其高压功率器件产品组合。作为安世中国首款 IGBT 功率模块，该系列采用公司最新的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）沟槽栅先进场截止（FS）技术，提供 1200V 电压等级及

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  11/05 14:35

  IGBT 功率器件

  
• 2026湾芯展观察：算力越猛，散热越要命，先进封装的真正瓶颈藏在这块陶瓷里

  湾芯展今年很热闹。1000余家企业、近8万平方米展区、超3000件新品首发，AI芯片、Chiplet、3D堆叠、算力集群轮番登场。 但热闹背后有个问题很少被摆上台面：芯片算力一路狂飙，堆叠密度越来越高，到底靠什么才能稳定跑满性能？ 答案不在晶圆上，而在一块藏在芯片底部、几乎没人拍的陶瓷基板里。 一、算力越强，散热越致命 先进封装的逻辑已经变了。 过去拼单芯性能，现在靠Chiplet和3D堆叠，把多

  福建华清电子材料科技有限公司

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  10/15 10:49

  与非观察 先进封装
• DBC 烧结工艺全解析：氧化铝与铜，一场18°C 窗口里的"共晶之约"

  功率半导体（IGBT、SiC MOSFET）模块里，有一类基板几乎绕不开——DBC（Direct Bonded Copper，直接覆铜）。它把厚铜箔直接"长"在氧化铝陶瓷上，导热、载流、绝缘三者兼顾。 但它的烧结工艺极其"挑剔"：温度窗口只有约18°C——低于 1065°C 不键合，高于 1083°C 铜就熔了。本文讲透 DBC 的烧结机理、化学式与工艺流程。 一句话原理：在铜箔与氧化铝之间引入氧

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  09/26 15:51

  功率半导体 IGBT
• 专访三菱电机半导体事业部总经理：SiC与IGBT如何双轨并行？

  三菱电机在PCIM Asia 2026展示功率半导体70年成果与全场景方案，重点包括OBC用SiC模块、SLIMDIP智能功率模块、第8代IGBT及高压SiC/HVIGBT。公司推进8英寸SiC产能、沟槽栅第五代、Si/SiC双轨、中国市场差异化与AI数据中心电源布局。

  芯师爷

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  09/23 16:24

  SiC 功率半导体

  
• 意法半导体发布更小巧的智能功率模块，适用于工业电机驱动、空调、热泵和家电

  意法半导体发布全新系列的小型低损耗塑封智能功率模块 (SLLIMM)。该模块采用直接覆铜基板（DBC），拥有一个新的紧凑的封装外廓，适用于工业驱动装置、空调、热泵和家电。这款省空间的模块在18.8mm × 32.8mm封装内集成一个完整的 600V 三相 IGBT 逆变桥，比现有 DBC封装IGBT智能功率模块缩减面积超 30%。 20A的STGI15C60S是新推出的SLLIMM Compact

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  09/23 16:20

  意法半导体 IGBT

  
• 晶能股改+6.3亿C轮：从"吉利的孩子"到"市场的考生"

  2026年9月，浙江晶能微电子完成股份制改造并更名股份公司，随后完成6.3亿元C轮，四年五轮累计融资近20亿元。其车规SiC/IGBT模块增长快、SiC份额国内第四，但吉利系客户集中。公司转向AI级SST-SiC模块与泛AI业务，股改推动治理公开化，仍需突破客户解绑、芯片自给与SST商业化挑战。

  碳化硅内参

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  09/21 19:51

  SiC IGBT
• SiC JFET的四大核心优势：重新定义电路保护

  固态断路器（SSCB）正成为高压电路保护的主流选择。然而，要实现其系统级优势，功率半导体的选择至关重要——它直接决定了断路器的导通损耗、散热能力、封装尺寸与长期可靠性。本文将聚焦安森美SiC JFET及Combo JFET，从运行温度、封装尺寸、智能感测与易用性四个维度，深度解析其为何成为固态断路器设计的核心技术选择。 断路器制造商首要关注的是发热问题。所有半导体在电流流过其中时都会产生热量。这种

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  09/16 12:30

  电路 MOSFET

  
• 从电网到算力：东芝的功率半导体新版图

  东芝在PCIM Asia Shenzhen展中展示了其在电网与新能源、算力与工业领域的解决方案，重点推广压接式IEGT和碳化硅（SiC）器件。IEGT在高压大功率领域占据主导地位，尤其是在海上风电和特高压柔性直流输电中的应用广泛。东芝通过不断升级器件性能，满足电网对更高电压和更大电流的需求。与此同时，东芝也在AI数据中心领域积极布局，推出多种服务器电源参考方案，特别是针对800V高压直流架构的趋势，加强SiC产品的研发和布局。此外，东芝与中国本土合作伙伴如基本半导体的合作，体现了其本土化战略，旨在为中国客户提供可靠的解决方案和技术支持。

  芯师爷

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  09/07 10:27

  MOSFET 功率半导体

  
• 2026年上半年电气化供应商装机量排行榜：弗迪动力凭“八合一”为主的电驱独占鳌头丨盖世汽车研究院

  2026年上半年，国内新能源乘用车电气化供应链呈现出本土主导强化、技术路线分化、头部集聚加速的态势。三合一主驱特斯拉以14.1%居首，高集成主驱弗迪动力独占35.4%。功率模块方面，比亚迪半导体总榜及IGBT榜稳居榜首，国产供应商占IGBT前十强八席；SiC市场英飞凌暂领先。整体来看，竞争已从单一部件供应转向高集成方案、碳化硅迭代与整车深度协同的综合实力比拼，行业技术换挡与格局重塑同步提速。

  盖世汽车

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  08/14 10:57

  新能源汽车 SiC

  
• 意法半导体推出新型电隔离栅极驱动器，借助先进隔离技术简化电源设计

  内置主动米勒钳位的全新 3A 驱动器，可提升充电站、储能系统、感应加热、驱动和自动化应用的效率 意法半导体（STMicroelectronics）扩展了 STGAP3S 栅极驱动器系列，该系列采用增强型电隔离设计，提升可靠性；此次推出的是一款高效且经济的 3A 驱动能力产品，适用于需要较低驱动电流的电路。新产品 STGAP3S3S 针对碳化硅（SiC）MOSFET 进行了优化，而 STGAP3S3

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  08/07 12:56

  MOSFET 意法半导体

  
• 国产20kV SiC IGBT：中国电网的“换心”尝试

  平湖实验室成功研发全球首款基于8英寸晶圆的20kV SiC IGBT及其配套FRD二极管，标志着中国在超高压碳化硅器件领域取得重大突破。这项技术不仅能显著降低特高压换流站的成本和复杂度，还能大幅提升电网效率和可靠性。此外，该技术对于推动AI算力基础设施的发展具有重要意义，预计在未来十年内彻底改变能源利用方式。

  碳化硅内参

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  08/05 23:45

  IGBT
• 基于 2SP0215F2Q0C 的车规级 IGBT 驱动落地实施方案

  本方案基于2SP0215F2Q0C门极驱动器和英飞凌FF900R12ME7W_B11 IGBT模块，构建了车规级半桥驱动单元，适用于三相牵引逆变器。方案为即插即用型设计，驱动参数已预优化，客户无需调试即可使用。系统由驱动板、控制器PCB和IGBT功率模块组成，提供全面的隔离、驱动、保护和诊断功能。供电系统需独立5V电源，并进行逻辑电平匹配和布线设计。核心安全功能包括主动短路(ASC)和主动放电(AD)，前者用于故障时的安全响应，后者用于高压下电后的电容放电。诊断系统分为两级输出机制，确保及时发现并处理故障。该方案具有高效开发、高可靠性和低成本的功能安全认证优势，适合多种高压应用场景。

  芯次元玩家

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  07/30 15:00

  IGBT IGBT模块
• 为什么电机控制器输出不接任何东西的情况下IGBT温度仍然很高？

  电机控制器空载时IGBT发热并非“坏”，而是由于开关损耗、寄生参数、米勒效应和体二极管续流等多个物理机制共同作用所致。开关频率过高、死区设置不当、Layout寄生参数等问题可能导致空载发热。判断空载发热是否正常的标准是IGBT壳温不超过环境温度+30°C。解决方法包括降低PWM频率、优化死区时间和检查PCB Layout。

  工控论坛

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  07/23 12:58

  IGBT 电机控制器
• 在高速列车启动的一瞬，电流从零到上千安培的跃迁只需几毫秒

  在高速列车启动的一瞬，电流从零到上千安培的跃迁只需几毫秒。整个过程看似流畅，其背后却依赖一个默默调节的角色——IGBT驱动芯片。作为功率器件与控制系统之间的桥梁，IGBT驱动芯片不仅决定了导通与关断的时机，更关系到系统效率、温升控制与长期可靠性。 与传统小信号驱动不同，IGBT驱动芯片面对的是上千伏的高压和大电流。在开关过程中，米勒电容效应像一把隐形的双刃剑。若设计不当，导通瞬间的高 dv/dt

  深圳市扎陵半导体有限公司

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  07/18 10:52

  IGBT 功率器件
• 使用新一代H7系列IGBT单管设计高效新能源系统

  Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品已形成完善的650V、750V、1200V电压等级产品矩阵，涵盖T7、S7、H7三大系列，共6种封装形式，总计56款产品。H7系列单管采用微沟槽技术，性能优异，适用于光伏、充电桩等应用。H7单管在650V和1200V电压下分别有显著的导通损耗和开关损耗降低，适合不同场景需求。

  英飞凌

  499

  07/17 08:53

  IGBT
• SABIC推出新型LNP THERMOCOMP OFM改性料，适用于高压电源模块

  全球化工行业的领导者SABIC日前宣布推出全新系列的LNP™ THERMOCOMP™改性料，适用于大功率、高电压的电驱和电源模块应用，如绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率开关器件。新型LNP THERMOCOMP OFM76XXP和OFM76EXP改性料基于聚苯硫醚（PPS）树脂，具有良好的抗冲击强度和尺寸稳定性、较高的相比漏电起痕指数（CTI-PLC 0）和抗热震性，可满足日益严苛的应用需求。此外

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  07/14 11:10

  机器人 IGBT

  
• IGBT/IPM驱动光耦：守护电梯平稳运行的隐形安全卫士

  电梯作为现代建筑中不可或缺的垂直交通工具，承载着日常出行的核心需求，其运行的平稳性、安全性与可靠性，直接关系到每一位乘客的人身安全与出行体验。电梯的动力驱动与控制系统极为精密，内部电路复杂，既要应对高低压电路共存的工况，也要抵御运行中产生的电磁干扰，更要保障启停、调速、制动等动作的精准同步，一旦核心控制环节出现故障，极易引发运行卡顿、骤停等安全隐患。IGBT/IPM驱动光耦作为电梯驱动系统的核心器

  腾恩科技

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  07/14 11:04

  光耦 IGBT
• 20家企业集体涨价，又两家国内功率半导体厂商二轮调价

  2026年以来，多家芯片厂商集体启动新一轮涨价，特别是功率半导体领域。士兰微宣布全品类产品涨价15%，主要受成本与供需双重驱动。芯联集成则上调晶圆代工价格15%-25%，反映行业整体成本压力。全球功率半导体行业迎来集体涨价热潮，国内外厂商同步共振。

  化合物半导体市场

  2544

  07/03 15:09

  功率半导体 IGBT
• 5万亿电网风口将至，SiC技术如何抢占新赛道？

  4月，南方电网科研院发布277万元招标公告，拟开展碳化硅换流阀样机定制及原材料采购。这一举措标志着碳化硅切入柔直电网核心部件的步伐再进一程，正加速迈向工程化落地。 据国家发展改革委透露，“十五五”期间，我国新型电网投资预计超5万亿元，其中柔性直流电网作为关键技术方案将规模普及。与此同时，国家电网、南方电网等企业已加速在柔直工程中导入碳化硅技术，目前相关工程数量已突破12个。 基于此，本文深度剖析碳

  行家说三代半

  1959

  07/02 16:17

  SiC IGBT

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