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SiC很火爆,但可能不赚钱
SiC宽带隙第三代半导体异常火爆,特别是1200V的SiCMOSFET有望取代目前常用的650V Si IGBT。不过火爆归火爆,但可能赚不到钱。
佐思产研
317
2021/11/29
SiC
SiC-MOSFET
新技术看点多 英飞凌展示多项产品应用
二氧化碳传感器、能源和汽车应用的功率器件、智能门锁的系统级方案......不久前,在2021深圳国际电子展期间,英飞凌展示了该公司多项技术在多元化应用中的亮点。在现场,英飞凌的工作人员向与非网详细介绍了这些技术和产品。 二氧化碳传感器 这是英飞凌XENSIV系列下的气体传感器,采用最新的光声光谱技术。传感器内部给出特定
陆楠
164
2021/10/20
传感器
英飞凌
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