中国台湾晶圆制造商环球晶圆在日前正式推出 150mm 碳化硅晶圆商品，这代表着着这家硅晶圆龙头在最近迅速崛起的碳化硅硅片领域得到了增强，环球晶是全球领先的半导体硅片供应商。

最近，第三代宽禁带半导体的碳化硅 SiC 被提及的比较多，各大厂家（像 Infineon、Cree、Rohm 等）也都在积极进行碳化硅产品的布局。

作为一个朝气蓬勃的年（cai）轻（niao）光伏电站系统方案设计师，你是否会遇到这些烦恼？

动力电池是新能源汽车的核心能量源。为保障电池高效、可靠、安全运行，需要通过电池管理系统（BMS）对动力电池进行实时监控、故障诊断、SOC估算、短路保护等，并通过CAN总线与车辆集成控制器进行信息交互。BMS在业内被称为电动汽车动力电池系统的“大脑”，与动力电池、整车控制系统共同构成了电动汽车的三大核心技术。

上篇我们聊到了SiC外延生长的工艺，文末提到了其外延层仍然存在着缺陷，前面我们在聊晶片形成(抛光晶片的制成过程)时也聊过一些晶体缺陷的内容，今天我们就来聊聊外延层缺陷。

我们知道，SiC体材料的质量以及其表面特性不能够满足直接制造器件的要求，制造SiC的大功率、高压、高频的器件需要较厚的外延层以及较低的掺杂浓度。所以今天我们就来聊聊SiC外延的那些事儿~

上篇我们聊了聊SiC相比于Si来说的主要特点，今天我们来聊聊SiC MOSFTE的导通电阻Ron~

针对GaN、SiC等宽禁带材料，业界经过了多年的研究和探索，2019年随着5G进入商用阶段以及新能源汽车的普及，GaN作为5G基站的关键材料，SiC作为新能源汽车关键技术，终于迎来了爆发时刻，国内外厂商纷纷推出相关产品。在全球半导体市场整体不佳的时间点，GaN和SiC在全年热度不减，市场营收在不断上扬。

功率半导体晶圆制造代工大厂汉磊，公布2019年第三季营收情形，由于2019年前3季市场遭遇去库存及市况不佳等因素影响，第三季营收为1.24亿美元，年减21.2%。

功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。

5G给GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）带来了不少机会。

碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们即可以快速切换，又能同时保持高阻断电压。 但是它们出色的开关特性也存在潜在的缺点。 由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv / dt和di / dt质量，可能产生电压和电流过冲，开关损耗和系统不稳定性问题。 为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MO

与非网11月20日讯，意法半导体近日在一份声明中表示，意法半导体将在未来几年内，将增加一倍从Cree购买的碳化硅（SiC）晶圆的数量。 

科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与意法半导体（STMicroelectronics，美国纽约证券交易所上市代码：STM）宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议至5亿多美元。