上篇我们聊到了SiC外延生长的工艺，文末提到了其外延层仍然存在着缺陷，前面我们在聊晶片形成(抛光晶片的制成过程)时也聊过一些晶体缺陷的内容，今天我们就来聊聊外延层缺陷。

我们知道，SiC体材料的质量以及其表面特性不能够满足直接制造器件的要求，制造SiC的大功率、高压、高频的器件需要较厚的外延层以及较低的掺杂浓度。所以今天我们就来聊聊SiC外延的那些事儿~

上篇我们聊了聊SiC相比于Si来说的主要特点，今天我们来聊聊SiC MOSFTE的导通电阻Ron~

马上就要进入三九天了，天气渐冷，大家多注意保暖！昨天我们聊了聊有关碳化硅作为高压低损耗的功率半导体器件材料的潜力，今天我们来聊聊碳化硅器件的特点~

功率半导体晶圆制造代工大厂汉磊，公布2019年第三季营收情形，由于2019年前3季市场遭遇去库存及市况不佳等因素影响，第三季营收为1.24亿美元，年减21.2%。

功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。

5G给GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）带来了不少机会。

与非网12月4日讯，作为半导体芯片制造最关键的材料之一，晶圆是必不可少的一种物质。而随着新型材料的发展，以碳化硅为代表的新材料成为企业重点关注的电子材料。

碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们即可以快速切换，又能同时保持高阻断电压。 但是它们出色的开关特性也存在潜在的缺点。 由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv / dt和di / dt质量，可能产生电压和电流过冲，开关损耗和系统不稳定性问题。 为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MO

与非网11月20日讯，意法半导体近日在一份声明中表示，意法半导体将在未来几年内，将增加一倍从Cree购买的碳化硅（SiC）晶圆的数量。 

科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与意法半导体（STMicroelectronics，美国纽约证券交易所上市代码：STM）宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议至5亿多美元。

Tesla的功率模块单元在inverter的组装中，借鉴了功率模块封装工艺。图为功率模块单元侧视图。

全球碳化硅（SiC）半导体领先企业科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与德国采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布达成战略合作，开发业界领先的高效率电传动设备。

全球知名半导体制造商罗姆将于2019年11月27日（周三）在深圳举办为期一天的“2019 ROHM科技展”。

传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。