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功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。
5G给GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）带来了不少机会。
与非网12月4日讯，作为半导体芯片制造最关键的材料之一，晶圆是必不可少的一种物质。而随着新型材料的发展，以碳化硅为代表的新材料成为企业重点关注的电子材料。
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）于12月2日宣布，完成对瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整体收购。
碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们即可以快速切换，又能同时保持高阻断电压。 但是它们出色的开关特性也存在潜在的缺点。 由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv / dt和di / dt质量，可能产生电压和电流过冲，开关损耗和系统不稳定性问题。 为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MO
与非网11月20日讯，意法半导体近日在一份声明中表示，意法半导体将在未来几年内，将增加一倍从Cree购买的碳化硅（SiC）晶圆的数量。
科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与意法半导体（STMicroelectronics，美国纽约证券交易所上市代码：STM）宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议至5亿多美元。
Tesla的功率模块单元在inverter的组装中，借鉴了功率模块封装工艺。图为功率模块单元侧视图。
特斯拉Model 3作为第一款在电机控制器中使用SiC MOSFET的量产纯电动汽车，是宽禁带半导体在汽车应用的又一新的里程碑。这将很大可能加速宽禁带半导体，尤其是SiC器件在汽车逆变器的推广和应用，进一步促进宽禁带半导体产业的发展。
全球碳化硅（SiC）半导体领先企业科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与德国采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布达成战略合作，开发业界领先的高效率电传动设备。
全球知名半导体制造商罗姆将于2019年11月27日（周三）在深圳举办为期一天的“2019 ROHM科技展”。
传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。
第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为代表，主要应用在数据运算领域，随着科技需求日益增加，硅传输速度慢、功能单一的不足突显，同时摩尔定律演进趋缓，以新材料、新结构以及新工艺为特征的“超越摩尔定律”成为新的发展方向。第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，主要应用于通信领域
进入21世纪以来，摩尔定律的失效大限日益临近，人工智能、5G、自动驾驶等新应用的兴起，对芯片性能提出了更高的要求，同时也推动了半导体制造工艺和新材料不断创新，工艺节点从28nm到10nm只经过了短短的五年，第三代半导体GaN和SiC的应用范围越来越广，据Yole预测，2021年全球SiC市场规模将上涨到5.5亿美元，GaN市场将达到3亿美
在汽车、5G等应用的带动下，中国的半导体市场保持了增长态势。中国半导体行业协会统计，2019年1-6月中国集成电路产业销售额为3048.2亿元，同比增长11.8%。在数量增长的同时，新型应用也对半导体性能提出更高的要求，这给第三代半导体材料带来发展机会，尤其是SiC和GaN，市场需求一路上涨。据Yole预测，2021年全球SiC市场规模将
蔚来第二季度亏损严重，股价狂跌；高通已向华为重启供货；科锐要在美国建全球最大SiC工厂
2019年9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE），于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。
前几日法兰克福车展上，德尔福宣布成为业内首家实现800 V碳化硅（SiC）逆变器量产的公司，这个事情代表着几个有趣的地方。
科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与德尔福科技（Delphi Technologies PLC，美国纽约证券交易所上市代码：DLPH）宣布开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。
近日，由工业和信息化部、上海市人民政府指导，中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的第二届全球IC企业家大会暨第十七届中国国际半导体博览会(IC China2019)在上海开幕。
中国的5G，前途不可限量？
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