Supplyframe Supplyframe XQ Datasheet5 芯耀 Findchips 与非AI
关注我们
设计助手
电子硬件助手 电子硬件助手
元器件查询 元器件查询

加入星计划，您可以享受以下权益：

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

SiC

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。收起

查看更多
类型
新鲜 热门
不限时间
  • 士兰/三安/瀚天天成/科华数据等达成SST战略合作
    最近，固态变压器与碳化硅的“联姻”正成为能源革命中最令人瞩目的技术组合。 据《福建日报》6月12日报道，士兰微、三安半导体、瀚天天成与科华数据、索克曼能源、麦克奥迪、宏发股份等达成了固态变压器（SST）的联合体战略合作。 报道称，6月10日，厦门市举行了固态变压器（SST）创新联合体成立大会，共有10家产业链上下游企业完成合作签约。 据介绍，该SST联合体是由麦克奥迪（厦门）智能电气有限公司牵头，
    239
    2小时前
    半导体 SiC
  • Wolfspeed/英飞凌/中车/安世等披露新SiC合作
    SiC技术在多个领域取得进展，通用电气与Wolfspeed合作推动高压碳化硅方案商用，英飞凌与西门子联合开发固态断路器，广州地铁与株洲中车采用国产碳化硅器件，安世半导体与多家企业达成车规SiC战略合作，紫荆半导体与长晶科技布局车规级SiC功率器件，忱芯科技交付SiC MOSFET测试系统。
    750
    06/15 22:47
    SiC SiC MOSFET
  • 理想汽车：超150万颗SiC MOSFET上车
    近日，理想汽车功率芯片团队在学术会议（ISPSD）上发表两篇论文，透露了在SiC MOSFET芯片领域的最新研究成果。与此同时，理想汽车透露，其自研SiC MOSFET芯片累计搭载量已突破150万颗，广泛应用于纯电主驱系统，质量表现优异。 值得关注的是，理想汽车已打通从芯片设计到整车应用的SiC全链路闭环。本文将简明介绍其最新SiC技术进展，并系统梳理其在SiC芯片、模块及电驱领域的布局演进。 理
    542
    06/11 23:30
    SiC 理想汽车
  • 深度复盘：SiC Fabless的落幕与新生
    文章指出，中小设计公司的落幕并非偶然，而是行业门槛、商业模式、资本规则、政策周期和产业格局多重共振的结果。尽管面临重重挑战，这些努力也为行业积累了技术和经验，推动了产业向前发展。
    554
    06/11 16:31
    SiC fabless
    深度复盘：SiC Fabless的落幕与新生
  • SiC Fabless：死在黎明前
    2022年的江州，最不缺的就是风口神话。第三代半导体的浪潮席卷全城，碳化硅三个字被资本镀上金身，人人都在谈论国产替代、弯道超车、千亿赛道。写字楼的每一盏通宵灯火里，都藏着一夜暴富的野心，和被泡沫吹起来的虚妄希望。
    313
    06/10 12:13
    SiC 第三代半导体
    SiC Fabless：死在黎明前
  • 基本半导体冲刺IPO，披露最新SiC营收及出货量
    基本半导体再次提交上市申请，2025年营收达3.11亿元，同比增长4.1%。主营产品包括碳化硅功率模块、分立器件和栅极驱动，占比分别为39.3%、18.8%和33%。客户主要集中在汽车电子和可再生能源领域，汽车电子客户数量略有下降，但仍保持良好设计-in记录。产销量稳步提升，光明基地产能利用率提高，无锡基地产能扩张。计划新建生产基地，扩大产能。募投主要用于扩产和研发新技术。
    696
    06/09 23:14
    SiC 基本半导体
  • 新技术！SiC MOS双极退化难题有解了？
    名古屋工业大学提出一种新离子注入技术，通过高能离子注入抑制堆垛层错，显著提升SiC MOSFET的长期可靠性。此技术利用氢或氦离子穿透外延层并诱导点缺陷，阻止基面位错扩展，从而防止双极退化。实验结果显示，注入后的二极管在高电应力下仍保持良好性能，堆垛层错扩展被显著抑制。这项技术适用于多种SiC功率器件，并有望降低成本和筛选成本，促进SiC器件广泛应用。
    456
    06/09 23:12
    SiC SiC MOSFET
  • 英飞凌 EasyPACK S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
    无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33
    211
    06/09 10:00
    SiC 英飞凌
    英飞凌 EasyPACK S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
  • 6家SiC企业披露新订单，覆盖SST、地铁等
    SiC产业链企业近期收获多笔订单，加速进入固态变压器、轨道交通等核心应用场景，推动产线产能持续增长。华润微电子在SST架构下取得突破，株洲中车高频SiC变流器在深圳地铁批量应用，格力电子SiC业务同比增长显著，中电科风华向头部企业供应晶圆缺陷检测设备，矽加半导体获得批量复购订单，飞仕得交付两台8英寸SiC晶圆老化测试系统。
    796
    06/08 22:34
    SiC
  • 专访Wolfspeed于代辉：大中华区“新征程”与三年目标
    Wolfspeed作为碳化硅行业的开创者，经过财务重组和管理层调整后，展现出强劲反弹态势。其股价自2025年9月以来大幅上涨，主营业务表现亮眼，特别是8英寸SiC晶圆线营收和SiC器件业务均有显著增长。大中华区成为公司战略重心，目标是成为该地区汽车、工业和能源领域综合排名第一的SiC企业。公司通过技术创新和本地化策略，抓住电动汽车、AI数据中心和电网三大浪潮，致力于成为客户首选的战略合作伙伴。
    1257
    06/05 17:54
    SiC 碳化硅
  • 英飞凌推出首款可在 205°C 运行的碳化硅功率模块，为电动汽车逆变器树立新标杆
    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在电动汽车逆变器功率模块领域达成了全新里程碑：正式推出 HybridPACK™ Drive 系列的一款全新 1300 V 碳化硅（SiC）模块，该模块能够在高达 205°C 的温度下持续运行。市面上现有的同类设计通常最高仅允许在 175°C 下运行。这一温度的提升使汽车制造商（OEM）和一级供应商（Tier 1）能够从现有的逆
    362
    06/05 11:16
    SiC 英飞凌
    英飞凌推出首款可在 205°C 运行的碳化硅功率模块，为电动汽车逆变器树立新标杆
  • 12家储能企业采用SiC，大功率化趋势明显
    近期，储能行业掀起SiC技术大规模应用浪潮，多家国内外企业发布搭载SiC器件的新一代技术方案。头部企业如麦田能源、远景、科陆电子等相继推出430kW SiC储能变流器，实现量产交付与商用落地，显著提升储能系统性能。这些方案不仅提高了转换效率，还增强了系统稳定性和适应性，推动储能行业迈向更高水平。
    853
    06/05 00:50
    SiC 储能
  • 国内厂商出货增长数倍，储能SiC迎来爆发拐点
    《2026碳化硅（SiC）产业调研白皮书》显示，今年一季度头部储能企业密集导入SiC方案，碳化硅器件在储能领域迎来较大幅度增长，部分国产SiC厂商出货量倍数级增长。SiC厂商乐观预测，今年SiC在储能领域的渗透率有望从2024年的约3%大幅提升15%-20%。除器件价格外，工商储、大储集体拉动SiC储能方案从单管走向模块，SiC与IGBT价差大幅缩小，效率优势迎合储能政策变革。随着储能行业从“价格内卷”转向“价值竞争”，碳化硅正成为储能系统降本增效的核心抓手。
    1052
    06/02 18:57
    SiC 储能
  • SiC+SST，是不是吹的太狠了？
    碳化硅在固态变压器（SST）的应用面临诸多挑战，包括效率、体积、成本和可靠性等方面的局限。尽管碳化硅器件能够显著提高工作效率和功率密度，但在实际电网环境中，这些问题并未得到充分解决。此外，高压SiC器件供应不足、驱动和保护技术缺乏等问题也阻碍了碳化硅在SST中的广泛应用。因此，碳化硅在SST领域的商业化进程仍需克服多个技术和经济障碍，预计在未来十年内才能实现大规模渗透。
    1255
    06/02 17:44
    SiC 碳化硅
  • 聚焦电动汽车与数据中心：SiC 与 GaN 的差异化发力之道
    在全球 “双碳” 目标推进与数字经济爆发的双重驱动下，电动汽车(EV)与 AI 数据中心已成为功率半导体的两大核心增长极。作为第三代半导体的核心材料，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)凭借宽禁带、低损耗、高频化的特性，正逐步替代传统硅基器件，重塑功率电子产业链。面对两大主力市场，SiC 与 GaN 需立足材料特性差异，走差异化发力路径，实现优势互补与价值最大化。 一、材料特性定格局：SiC 与 G
    1171
    06/02 15:03
    电动汽车 SiC
  • 这家企业SiC营收超5亿，今年产能将扩大250%
    富士电机发布2026年度《事业部战略说明会》，公布碳化硅营收和产能计划。2025年销售额2374亿日元，营业利润235亿日元。富士电机通过增加对SiC晶圆前道工序的投资，推动销售额增长。预计2026年汽车SiC营收将增长100%，达到259.25亿日元。富士电机计划将汽车业务中的SiC模块销售额占比从11%提升至25%。
    847
    06/01 22:38
    SiC
  • 这家SiC衬底企业达成AI芯片先进封装合作
    5月28日，普渡大学发文，宣布与中国台湾格棋化合物半导体股份有限公司（GCCS）达成战略合作。 根据该公告，普渡大学与格棋半导体将在SiC先进封装领域达成合作，此次合作旨在攻克制约下一代高性能计算基础设施的散热、供电及6G通信三大关键瓶颈，推进微电子技术前沿发展，加速SiC商业化进程。 普渡大学表示，随着人工智能算力密度不断提升，传统硅基材料已逼近物理极限，SiC衬底技术将直接突破三大核心硬件壁垒
    695
    06/01 20:08
    芯片 SiC
  • 穿透式解析高压电网中SiC与硅基功率器件的博弈
    本文介绍了不同功率器件在电网中的应用及其性能特点，详细比较了硅基晶闸管、硅基IGCT、硅基IGBT和碳化硅MOSFET的优劣。针对高压场景，探讨了碳化硅厚外延层的需求和技术挑战，指出超高压器件的科研进展。同时，分析了传统电网、新能源基建与智能电网、数据中心自建微电网对功率器件的特殊需求。最后，阐述了电网架构之争，即华为数字能源与国网系的技术哲学差异，并预测碳化硅器件在未来电网中的商业化趋势。
    1431
    06/01 13:35
    SiC 功率器件
    穿透式解析高压电网中SiC与硅基功率器件的博弈
  • 三菱电机：面向电动交通和智慧能源应用的SiC功率半导体解决方案
    6月3日，上海碳化硅峰会上，三菱电机将发表关于SiC功率半导体解决方案的主题演讲，分享其在电动交通和智慧能源应用中的技术创新和市场布局。此次峰会汇聚了多家头部企业和终端厂商，共同探讨数据中心和电动交通两大高增长场景下的SiC应用前景，并发布行业研判报告。
    775
    05/30 11:50
    SiC 功率半导体
  • Wolfspeed：SiC在HVDC和SST中的应用进展和解决方案
    6月3日，上海碳化硅峰会上，Wolfspeed将发表关于SiC在HVDC和SST中的应用进展和解决方案的主题演讲，分享其实践经验。会议还将汇聚多家半导体领军企业和终端厂商，共同探讨SiC在AI算力基础设施、固态变压器、交通电动化等领域的发展趋势和应用前景。
    2257
    05/28 17:58
    SiC 碳化硅

正在努力加载...

热门作者 换一换
相关标签