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碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。

碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。收起

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  • 马来西亚再增8英寸GaN/SiC晶圆厂
    爱尔兰半导体企业CHIPX Global计划在马来西亚投资建设一座8英寸GaN/SiC集成电路晶圆制造工厂,聚焦下一代人工智能数据中心需求。同时,英飞凌、意法半导体和奥特斯分别在马来西亚推进SiC晶圆制造、封装测试和封装载板生产,形成完整的产业链闭环。此外,晶盛机电等中国企业也加速布局马来西亚,加强SiC衬底和封测能力,助力当地第三代半导体产业发展。
    马来西亚再增8英寸GaN/SiC晶圆厂
  • 天域半导体新SiC产线通线,年产能冲刺80万片
    随着新能源领域需求增长,全球碳化硅功率半导体市场规模预计将大幅上升至超100亿美元。天域半导体东莞生态园新基地碳化硅外延产线通线,产能升级迈向80万片目标,并与多家上下游企业达成战略合作,加速国产替代进程。
    天域半导体新SiC产线通线,年产能冲刺80万片
  • 新增8吋SiC晶圆线,目标取代数据中心硅光子
    12月17日,CHIPX Global宣布将在马来西亚建设8英寸GaN/SiC晶圆制造工厂,目标是加速提升马来西亚在光子学、高带宽光互连以及先进材料工程方面的能力。该项目有机会在多个环节中导入SiC和GaN,潜在市场规模约200亿元。具体应用包括AI数据中心光互连中的SiC光子集成电路、SiC波导、SiC中介层,以及GPU处理器中的GaN晶圆、SiC中介层。
    新增8吋SiC晶圆线,目标取代数据中心硅光子
  • 国内碳化硅产业获动态,两则SiC项目迎新进展
    近期,碳化硅产业领域传来两项重要进展:弘源碳化硅公司制品车间核心设备技改项目顺利竣工,浙江坚膜科技有限公司高端碳化硅膜扩建项目完成备案,分别从生产环境优化与高端产能升级维度,推动我国碳化硅产业在技术应用与产业化布局上实现新突破。
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  • 2025年SiC衬底相关项目已达14个
    年底临近,多个SiC衬底项目加速推进,累计已达14个,总投资超过98亿元。东海科技推进8英寸SiC衬底项目,投资额50亿元;另一项目一期投资约0.68亿元,年产碳化硅晶锭720个,产值目标1.2亿元。整体来看,国内外头部厂商积极布局碳化硅产能,预期全球供应能力提升,推动成本下降与应用普及。
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  • 直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心
    随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来,碳化硅和氮化镓头部企业正重兵集结,强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场,已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。
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  • 意法半导体获82亿资金支持,8吋SiC是关键投资
    前段时间,安森美8英寸碳化硅工厂获得欧委会约36.81亿补贴(回顾链接),昨天,意法半导体的8英寸碳化硅工厂也获得了资金支持。 12月11日,意法半导体宣布,他们与欧洲投资银行签署了一项价值10亿欧元(约82.88亿人民币)的信贷额度协议,首期5亿欧元(约41.44亿人民币)已到位。 这笔资金将主要用于支持意法半导体在意大利和法国的半导体研发与制造项目,其中60%用于提升大规模制造能力,主要投向卡
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    12/16 17:09
    SiC
  • 2个SiC项目推进,总投资达7.6亿
    韩国东部高科计划投资5.7亿元扩大碳化硅产能,目标在2026年底前完成8英寸碳化硅工艺开发,并在未来五年内投入1.5万亿韩元扩建洁净室设施和提高产能。同时,韩国政府计划投资1.9亿元建立釜山8英寸碳化硅示范晶圆厂,推动韩国半导体产业发展。
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    12/16 09:33
    SiC
  • 英飞凌高功率碳化硅技术升级优化 助力 Electreon 动态无线充电道路系统升级
    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)将为领先的电动汽车(EV)无线充电解决方案提供商 Electreon(TASE代码:ELWS)提供定制碳化硅(SiC)功率模块,以支持其动态道路充电技术。该动态无线充电道路系统(wERS)采用感应式充电技术为电动汽车进行无线充电。在车辆行驶过程中,预埋在路面下的铜线圈可为客车、卡车及其他电动汽车供电。该系统与电网连接,当车辆行
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  • 欧洲投资银行与意法半导体签署10亿欧元协议,助力欧洲提升竞争力与战略自主权
    欧洲投资银行(EIB)与意法半导体(NYSE:STM)已签署5亿欧元融资协议,以提升欧洲竞争力与战略自主权。此举为EIB近期批准的10亿欧元信贷额度首期款项,受益方意法半导体是欧洲排名前列的半导体制造商,在意大利、法国和马耳他设有重要生产基地,服务于汽车、工业、个人电子及通信基础设施市场。 自1994年以来,EIB已支持意法半导体九个项目,累计融资约42亿欧元。本次合作将助力意法半导体在意大利和法
  • SiC产业:从1.0时代向2.0时代跃迁
    12月4日,“2025行家说三代半年会—碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”上,《2025碳化硅(SiC)器件&模块产业调研白皮书》发布。白皮书总结了SiC产业从1.0到2.0的跃迁,指出价格持续下探和产值规模增速放缓两大特征。展望未来,SiC技术将在新能源汽车、数据中心、光伏储能等多个高价值市场迎来发展机遇。
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  • AMEYA360代理:上海永铭第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
    引言: 氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命,但真正的场景落地,离不开与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势,在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时,供电系统中的电容正面临前所未有的挑战:高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统
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    12/05 12:38
  • 中国SiC产业链集群分布图及代表性企业汇总
    碳化硅功率器件因其优越性能广泛应用于多个领域,预计未来十年市场规模将持续增长。中国SiC产业链呈现长三角和珠三角双龙头、多极化的格局,涵盖了衬底、外延、设计、制造和封测各个环节。代表性企业如比亚迪半导体、斯达半导体和华润微等在各自领域取得显著进展。随着市场竞争加剧,未来几年可能会出现小企业倒闭和收购热潮。
    中国SiC产业链集群分布图及代表性企业汇总
  • Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块
    薄型器件适于中高频应用,节省空间,同时降低寄生电感,实现更洁净的开关特性 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120,提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY
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    12/03 10:16
    Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块
  • 节省空间的3U数字式10kW电源,电压可达100kV
    XP Power宣布推出WBQ系列10kW数字式,可调节高压电源,专为需要15kV至100kV可控输出电压的设备设计。这款紧凑型19英寸3U机架安装产品在该功率等级下可提供最小的占地面积,适用于机架空间宝贵的场景(如半导体制造环境),可显著节省空间。其功率可扩展至100kW+,支持高电流工艺,并能驱动离子注入、电子束焊接、增材制造、质子治疗及医用回旋加速器等大型系统运行。 该产品采用全数字化控制回
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  • 突破45亿美元!SiC/GaN正驶向新周期
    行家说三代半年会将于12月3-4日在深圳召开,聚焦SiC与GaN市场发展趋势,涵盖全球市场规模、衬底出货量、GaN市场复盘及车规级市场前景等内容,邀请多家知名企业进行深度分享,助力行业人士把握未来机遇。
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    12/01 09:30
    突破45亿美元!SiC/GaN正驶向新周期
  • Wolfspeed/国联万众等:披露最新SiC合作进展
    多家企业透露SiC合作进展,涉及风电、汽车、充电桩等领域。湖北复锦与国联万众签署车规级SiC功率模块联合研发与产业化战略合作项目;谱析光晶与芯逐半导体围绕特种SiC功率器件展开深度合作;Wolfspeed与禾望电气合作推出风电行业首个全碳化硅功率柜;杰平方半导体与安世博合作,其高性能1400V碳化硅功率器件成功应用于安世博G3单级拓扑系列充电模块。
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    11/27 10:12
    SiC
  • 8英寸!新增5个SiC项目动态
    株洲中车8英寸SiC产线有望年底拉通,并积极开拓国内外客户;中微科芯推进8英寸SiC芯片项目,规划月产3万片;歌尔光学的碳化硅光波导模组项目入选上海市“元宇宙”关键技术立项;积塔半导体推进中试线搬迁SiC技改二次配项目;四川内江高新区签约碳化硅晶圆检测线及划片线项目。
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    11/20 10:30
    SiC
    8英寸!新增5个SiC项目动态
  • 工信部发布新规划,SiC应用空间持续扩大
    《节能与新能源汽车技术路线图3.0》发布,预测新能源汽车将成为主流,BEV车型渗透率将达80%,电耗降低至9.2kWh/100km以下。随着新能源汽车销量增长,SiC车型销量持续增加,预计2040年中国BEV销量可达2340万辆。
    工信部发布新规划,SiC应用空间持续扩大
  • “中国芯”再突破!爱仕特第四代SiC MOSFET斩获国家级大奖
    11月14日,2025年“中国芯”优秀产品征集结果揭晓,爱仕特自主研发的第四代SiC MOSFET芯片(型号:ASC150N1200MT4)从全国303家企业、410款参赛产品中脱颖而出,获评“优秀技术创新产品” 大奖。 这一奖项的含金量在于,“中国芯”评选在工业和信息化部指导下,由中国电子信息产业发展研究院组织举办,已成为国内集成电路领域最具影响力的行业盛会之一。 爱仕特此次获奖,不仅代表企业自
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