芯耀
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回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为中瑞宏芯半导体CEO张振中、宇泉半导体技术总工徐文辉。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
SiC/GaN规模化放量产业良性循环逐渐成型
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
中瑞宏芯半导体-张振中：我会用“站稳脚跟”。
为什么这么说？因为2025年，国产碳化硅，尤其是我们的MOSFET，在电源这个行业真正立住了。我们找到了一块非常坚实的立足之地，就是充电桩。我们看到，在新国标的牵引下，国产SiC器件在充电桩电源里的渗透率快速提升，我们在性能和成本上对传统的硅基CoolMOS形成了实质性的替代优势。
这就像在墙上钉下了一颗最关键的钉子。有了这个支点，我们就可以往下延伸，进入白电、小家电这些更广阔的消费类电源市场；往上拓展，去攻克车载OBC、光伏逆变器、储能变流器、数据中心电源这些对可靠性要求更高的领域。这颗钉子让我们整个行业都有了活下去、并且活得更好的信心。
宇泉半导体-徐文辉：如果用一个关键词总结2025 年第三代半导体产业，我会选择“放量”这个词。它精准概括了2025 年产业从“技术验证”到“规模商用”的决定性跨越，标志着行业正式进入商业化放量元年。这并非单一环节的增长，而是形成了“技术突破→成本下降→需求爆发→规模放大”的正循环，具体体现在以下三个维度：
1、供给端：大尺寸与良率双突破，支撑产能放量。
SiC：6英寸产线进入成熟量产，良率提升至85%；8英寸产线规模化提速，12英寸衬底取得里程碑进展，直接推动衬底成本显著下降。
GaN：8英寸Si基GaN外延技术突破，部分厂商4英寸GaN-on-Si外延片量产良率达95%，为器件大规模制造奠定基础。
2、需求端：核心场景规模化落地，拉动出货放量。
新能源汽车：800V 高压平台加速渗透，车规级SiC 模块成为主流车企标配，国内市场SiC 器件需求量突破300 万片，实现真正意义上的“上车放量”。
新兴场景：AI 数据中心（高能效电源）、光伏储能、固态变压器等领域需求集中爆发，同时GaN 在消费电子快充、5G 基站的应用进一步渗透，市场边界大幅拓宽。
3、产业端：成本下行与循环形成，加速放量节奏。
尽管全年SiC 市场仍存在阶段性供大于求、价格下行，但有效需求被持续激活，供需差距逐步缩小。规模化生产带来的成本下降，使得SiC/GaN 在部分应用中具备全生命周期经济性，反过来又推动更多场景采用，形成了产业发展的良性循环。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
中瑞宏芯半导体-张振中：如果只看一个点，那就是国产SiC MOSFET真正“上车”了，虽然量还不大，但这是从0到1的突破。但如果我们把视野放大，2025年最大的成绩其实是我们打通了一条从技术到市场的良性循环路径。
具体来说有三步：
第一，技术上，我们的产品有了对标国际一流的能力，为降本铺平了道路。
第二，市场上，我们抓住了充电桩新国标这个政策窗口，在电源领域实现了规模化应用，证明了自己。
第三，资本上，有了市场应用的支撑，产业资本才敢于继续投入，反哺下一轮的技术迭代。
这条“技术-市场-资本”的循环一旦跑通，产业才能真正地健康发展，而不是停留在PPT上。
宇泉半导体-徐文辉：1、SiC/GaN规模化放量，新能源车、AI 电源、光伏储能成主要驱动力。
2、8 英寸SiC/GaN 晶圆量产突破，成本大幅下降，良率提升。
3、国产替代加速，衬底、外延、器件、设备全线突破，自给率显著提高。
4、车规级SiC 渗透率大幅提升，800V 高压平台全面落地。
5、GaN 在快充、服务器电源大规模应用，能效优势凸显。
6、产能集中释放，中国成为全球最大市场与主要产能基地。
直面IGBT市场挑战SiC需攻坚替代门槛
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
中瑞宏芯半导体-张振中：核心问题其实很直接，就是怎么从IGBT手里抢地盘。
特别是在电机驱动、白色家电的IPM模块这些领域，IGBT根深蒂固。碳化硅要去替代，门槛是很具体的：第一，成本要比它更有竞争力；第二，抗浪涌能力要比它更强；第三，短路能力要能达到它的水平。这些问题解决不了，SiC就永远只能在IGBT做不好的高端市场里打转。
针对以上问题，我认为SiC产业可以在以下几方面进行突破：
1、工艺降本：加速向8英寸晶圆过渡，这是硬道理，同样的一片晶圆，能切出更多的芯片，成本自然就下来了。
2、结构创新：优化器件设计，比如我们自己在做的沟槽栅结构，就是为了在不牺牲可靠性的前提下，把芯片的面积做小，电流密度做大，这也是降本。
3、封装进化：通过更先进的封装，把SiC高频、高温的潜力完全释放出来，让系统级的优势更大，这样客户算总账的时候，用SiC就是更划算的选择。
宇泉半导体-徐文辉：当前第三代半导体行业面临的核心问题主要有以下5点：
1、成本- 良率- 可靠性三角困局：SiC/GaN 大尺寸衬底缺陷多、良率低、价格高；车规/ 工业级可靠性验证周期长、成本高。
2、材料与设备卡脖子：8 英寸SiC 衬底、高端外延/ 离子注入/ 刻蚀设备、特种气体/ 耗材仍高度依赖进口。
3、供需失衡与价格战：产能扩张过快、需求增速放缓，产能利用率低，价格持续下滑，盈利承压。
4、专利与标准壁垒：海外专利垄断，车规/ 测试标准话语权弱，出海与高端认证难。
5、封装与热管理瓶颈：异质集成界面热阻大、散热差，制约器件性能与寿命。
目前来看，未来的技术突破路径可以聚焦以下层面：
1、材料端：大尺寸+ 低缺陷+ 降本
SiC：8 英寸衬底良率提升至70%+；12 英寸衬底研发加速；籽晶优化+ 温梯度生长降低微管/ 位错；薄片化+ 再生衬底提利用率、降本。
GaN：原子层外延（ALE）降缺陷；离子注入诱导成核实现原子级平整界面，热阻降2/3、散热提3 倍。
新兴材料：氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石衬底探索超高压/ 超高频替代。
2、器件与工艺端：专属工艺+ 结构优化
SiC MOSFET：复合栅氧结构（AlN+SiN）提升栅氧可靠性；沟槽自对准降导通电阻。
GaN HEMT：p 型栅/ 增强型工艺成熟，适配车规/ 工业；高温离子注入替代传统掺杂。
制造：国产高温离子注入机、刻蚀机、量测设备突破，降低设备依赖。
3、封装与系统端：3D 集成+ 高效热管理
先进封装：银低温烧结、3D堆叠（INFO-POP），体积缩40%、散热提效。
热管理：金刚石/ 石墨烯散热基板、液冷/ 相变散热，解决高温工况瓶颈。
系统集成：SiC/GaN +数字控制+ 传感器一体化模块，提升可靠性与能效。
4、产业端：标准+ 生态+ 供需优化
一是牵头制定车规/ 测试/ 可靠性标准，突破专利壁垒。二是垂直整合（材料- 器件- 应用），提升产业链协同与成本控制。产能有序扩张，聚焦高端车规/ AI / 电网等高价值场景。
SiC发展进入阶梯式跃迁产业链贯通将助力生态完善
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
中瑞宏芯半导体-张振中：我会用“阶梯式跃迁”这一关键词。因为未来五年，碳化硅的发展不会是平铺直叙的，它会像爬楼梯一样，每一年都有一个明确的、更高层次的爆发点。
2026年，我觉得是消费级的爆发年。我们在快充、在白电、在更广泛的消费电子电源里，会看到碳化硅有一个非常大的增长，这是一个市场的爆发点，也是我们往下延伸的成果。
然后到2027年，这是我们真正期待的主戏。随着8英寸晶圆的成熟量产，碳化硅的成本和可靠性会达到一个平衡点，这时候在汽车主驱上面的机会就真正打开了。2027年会是我们全面导入主驱的一个根基之年。
再然后到2028年，场景会切换到新能源和基建。你会发现，在光伏逆变器、储能变流器、数据中心、国家电网的SST这些领域，碳化硅会成为一个新的增长点。那个市场更大，要求更高，是更大的机会。
到了2029年，我们就要往更高压走了。6500伏甚至更高电压的碳化硅模块，会在我们的高铁上、在轨道交通上，实现全面的应用。这又是一个全新的、更高的增长点。
最后畅想一下2030年，也许我们可以在航空航天上看到碳化硅的身影，甚至辅助马斯克的火星计划。这听起来很远，但产业的魅力就在于此——我们今天在电源上钉下的每一颗钉子，都是在为那天铺路。
宇泉半导体-徐文辉：我会用“贯通”来形容产业的发展。当前行业最大痛点体现为材料、器件、封装、应用各做各的，成本高、适配差、产能乱、标准不统一。未来5 年，所有进步都将围绕打通展开：
1、产业链贯通衬底 — 外延 — 芯片 — 封装 — 模组 — 整车/ 电网/ 服务器从 “分段国产” 变成全链条自主可控、协同降本。
2、技术贯通大尺寸、新工艺、先进封装、热管理不再孤立突破，而是材料 — 器件 — 系统一体化设计，真正把性能打满。
3、供需贯通产能不再盲目扩张，车规、光伏、储能、AI 电源需求端反向定义材料与器件规格。
4、生态贯通专利、标准、认证、测试体系从被海外主导，逐步形成中国主导的第三代半导体生态。
未来5 年，第三代半导体不再是谁做得出来，而是谁能把材料、芯片、应用、生态彻底打通。
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
中瑞宏芯半导体-张振中：2026年，我们的策略很简单，就是 “承上启下，全面开花”。
“承上”，是继续把我们在充电桩电源领域的优势巩固住。新国标刚实施，我们要让我们的第三代MOSFET平台（覆盖750V到1500V的全电压等级）成为客户打造一级能效产品的最佳选择，这个基本盘不能丢。
“启下”，就是我们要往下延伸。我们会把在电源领域打磨好的产品和技术，快速地推向白电、小家电市场。这些市场规模巨大，对成本和可靠性极其敏感，正是考验我们真功夫的地方。我们希望能尽快在这些领域也做出一些成绩，开始去替代传统的IGBT。
同时，我们也会向上布局。与光伏、储能、车载领域的头部企业紧密合作，针对组串式光伏逆变器、储能变流器、车载OBC以及未来的主驱应用，做好技术储备和产品验证。一旦时机成熟，我们就能迅速切入。
总而言之，2026年，我们要做一个“多面手”，既要守住阵地，又要开辟新战场。
宇泉半导体-徐文辉：2026年我们将围绕变频器厂、高端制造、汽车电子、数据中心、人工智能、固态变压器以及车企、军工等市场重点发力。
2026年我们将继续加强人才梯队建设，扩大市场份额，提升产品竞争力，同时优化生产流程，提高运营效率，继续加强技术长信，完善质量管理体系，解决产能瓶颈，加快推进二期项目落地及前期设施建设，并积极扩大海外市场销售。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
