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近期，“行家说三代半”发现，斯达半导体、宇泉半导体、安建半导体三家企业的碳化硅（SiC）功率模块项目相继取得新进展，合计新增年产能达1030万只，标志着国产SiC模块进入规模化放量阶段。
斯达半导体：募集资金不超过15 亿元，聚焦车规级SiC/GaN模块布局；
宇泉半导体：加速推进碳化硅模块二期，年产能高达500万只；
安建半导体：碳化硅模块三期项目建设中，年产250万只车规级碳化硅模块。
斯达半导体：募资投建车规级SiC/GaN模块项目
3月12日，斯达半导体发布公告，其向不特定对象发行可转换公司债券的申请已获中国证监会同意注册批复，募集资金不超过15亿元，拟用于“车规级SiC MOSFET 模块制造项目”、“IPM 模块制造项目”、“车规级 GaN 模块产业化项目”和补充流动资金。
根据早前的问询函回复公告（立信会计师事务所，2025年12月23日），募集资金将用于以下具体项目建设：
车规级SiC MOSFET 模块制造项目：总投资10.02亿元，项目达产后，将新增年产280万个SiC MOSFET模块的产能，预计可实现年收入18亿元；
IPM 模块制造项目：总投资3.01亿元。项目达产后，将新增年产3000万个IPM模块的产能，预计可实现年收入6.6亿元；
车规级GaN 模块产业化项目：总投资3.17亿元。据悉，相关产品已通过客户测试并获项目定点。项目达产后，将新增年产100万个GaN模块的产能，预计可实现年收入4.51亿元。
斯达半导体表示，此次募资精准契合了公司的产品规划方向。据“行家说三代半”此前报道，斯达半导体高管刘志红在采访中透露，2026年公司将重点开发嵌入式SiC模块、车用驱动GaN模块、三电平SiC模块以及面向OBC和AI电源应用的氮化镓顶部散热分立器件等新品，旨在通过技术创新驱动市场拓展与高质量发展。
宇泉半导体：SiC模块二期项目产能达500万只/年
3月18日，据“宇泉半导体”官微消息，其“年产500万只SiC功率模块生产线项目二期交流研讨会”已成功召开。
据消息，该二期项目全面建成后，将具备年产500万只高性能SiC功率模块的能力，可广泛应用于航空航天、轨道交通、新能源汽车、光伏逆变器、储能、智能电网、工业控制等典型领域，有力支撑绿色低碳转型。
该项目于2023年11月在保定国家高新区签约落地，总投资约4.1亿元，规划分两期建设一条SiC功率模块生产线，总建设周期为2.5年。原规划达产后年产能为165万只，全部投产后预计年均产值约7.5亿元。至2024年5月，项目已在保定高新区正式揭牌并进入生产阶段。
此外，据“行家说三代半”此前报道，今年1月13日，公司已与国内某变频器头部企业签订了2026-2028年度长期供货协议，订单总量突破50万只，总金额近7000万元。
安建半导体：SiC模块三期项目产能达250万只/年
3月19日，据“中国宁波网”消息，宁波安建半导体碳化硅模块三期项目正在建设中，项目投产后，预计将形成年产250万只车规级碳化硅模块的生产能力。
据“行家说三代半”了解，安建半导体在功率半导体领域的布局持续深化：
2024年5月，其主建的“功率半导体模块封装项目”签约落户浙江，该项目总投资1亿元，计划打造汽车级IGBT及SiC模块封装产线；
同年4月，公司完成超过2亿元的C1轮融资，募集资金将主要用于汽车级IGBT与SiC MOS产品平台的开发及量产、汽车级IGBT及SiC模块封装产线扩建、销售及人才团队扩充，以及营运现金流储备等。
在产品研发方面，安建半导体持续加大投入力度。2025年，该公司实现营收1.2亿元，年均增幅超60%，研发投入占营收比例达40%以上。安建半导体还先后推出第二代30V极低电阻DFN系列MOSFET、应用于工业伺服及变频的顶部散热TO-263T单管产品。其中，前者与第一代相比，品质因数(Fom)、导通电阻(Son)大幅下降20%、30%，各项技术指标均处于行业先进水平。
官微资料显示，安建半导体成立于2021年7月，至今已实现IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三条产品线量产，得到了国内多家应用客户的认可；此外，他们目前已推出具有完全自主产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET。同时，安建半导体已逐步布局了涵盖工业设计、模块生产、封测的全产业链。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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