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贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET

2022/11/29
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提供超丰富半导体电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值,可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。

贸泽电子供应的英飞凌通用MOSFET包括用于最高250V设计的低压版本,以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件,其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些器件的漏-源电阻额定值为1.1mΩ至30Ω,连续漏电流范围介于100mA至260A。这些低压MOSFET的工作温度范围介于-55°C至+175°C,符合AEC-Q101标准。

高压MOSFET的漏-源击穿电压范围介于500V至900V,漏-源电阻范围介于77mΩ至4.68Ω,持续漏电流范围介于1A至54.9A。这些器件的最低工作温度为-40°C,功耗范围介于5W至500W。

贸泽分销的英飞凌通用MOSFET提供多种封装选项,包括SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252(DPAK)、SOT-223和TO-220。所有这些器件都有配套的英飞凌在线设计工具、仿真模型和全面的产品支持文档。

这些通用MOSFET非常适合各种电源转换和管理应用,可以集成到需要电池反向保护功能、在备用电源之间切换电源或可关闭非必要负载的设计中。其目标应用包括开关电源充电器适配器、照明、电视电源、服务器/电信设备、电池供电应用、电机控制驱动器,以及电池管理系统

英飞凌

英飞凌

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。收起

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