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上海普冉半导体（以下简称普冉半导体）成立于2016年，总部位于上海张江高科，并在苏州、深圳、韩国等地设有办事处，日本、德国、英国等地也有合作伙伴。普冉半导体于2021年8月在上海科创板上市，成为业界领先的存储器供应商。专注于低功耗Flash存储器及其芯片开发，普冉半导体拥有两大核心产品线：超低功耗的NOR Flash及高可靠性的EEPROM，均在市场上取得了显著成就，2022年其市场排名达到世界第六。此外，普冉半导体还扩展到基于存储器的芯片开发（Momory+），包括ARM Cortex内核设计的低功耗32位MCU产品线，市场反响良好，销售量持续攀升。
普冉半导体（上海）股份有限公司设计中心高级总监冯国友
在5月12日的松山湖IC设计高峰论坛上，普冉半导体（上海）股份有限公司设计中心高级总监冯国友介绍了普冉半导体的的存储芯片——P25Q325N。该产品是业界首款支持1.1V的Flash芯片，采用业界领先的40纳米SONOS工艺制造，表现出超低功耗、超低电压、高速度等显著优势，进一步推动了元宇宙及AIoT领域的技术进步。
随着制程技术的进步，电压标准正在持续降低，从1.8V逐渐过渡到1.2V，再到如今的1.1V。普冉半导体的这款Flash芯片也紧跟时代步伐，与主控SOC芯片同步降低电压，实现了更高效的电源系统和更低的功耗。这种技术创新不仅简化了电源系统设计，实现了单电源供电，还大幅降低了功耗，可为音频、图像等多模块SOC智能芯片进行辅助，使得智能音箱、智能穿戴、耳机等智能终端产品能更省电、更环保。
P25Q325N芯片在元宇宙领域的应用前景广阔，主要应用于外围设备，如开机启动、蓝牙和WIFI连接、显示、触屏、指纹识别、位置追踪、传感器等方面。在这些领域，低功耗的芯片能极大地提升产品性能和用户体验，比如加速开机启动、提升无线连接速度和稳定性、优化显示效果、提升指纹识别准确率和速度等。
P25Q325N芯片有五大特色。首先，它是业界首款支持1.1V的Flash芯片，具备超低电压特性，同时支持从1.05V到2V的宽电压范围，涵盖了1.2V、1.8V等电压系统。其次，它的功耗是业界最低的，相比1.8V的Flash产品，功耗降低了60%，相比1.2V的现有产品，也有50%的优化。此外，它在读取方面采用DTR三元读取方式，提供了高效的数据读取性能。最后，它采用了业界创新的和领先的40纳米SONOS工艺制造，保证了产品的稳定性和长寿命。
相比之前主推的SONOS 1.8V和现有1.2V Flash产品，P25Q325N在多个方面都展现出显著优势。在电压范围上，该芯片支持的电压更低，范围更广。在功耗方面，相比1.8V产品有显著改善，对比1.2V现有产品，优势更是巨大。在灵活应用方面，P25Q325N支持最大1024BT，而现有1.2V的芯片只能支持到256兆，为各种应用带来更大的灵活性。在速度方面，该芯片达到了640兆比特/每秒，有极大的改善。在吞吐率方面，结合1024BRB，可以有每秒5兆的数据，显著提升了性能。并且其响应时间只有16毫秒，远小于现有1.2V Flash产品的300毫秒。
普冉半导体在P25Q325N产品上实现了一些技术上的突破和改善。首先是在工艺优化方面，普冉半导体团队与华为长期深入合作，提升了器件的性能，改善了SONOS的性能，还提升了良率。在设计方面，采用低电压的Differential SA设计，结合高精度的校器，实现了低电压下的高性能读取。模拟模块的设计也使用了高效率的PM设计。在低功耗设计方面，采用了高效率的读电路，结合功率优化的读方面，成功降低了读功耗。逻辑部分采用了手搭设计，实现了极致的低功耗和高速度。在系统建造性方面，采用了全长分段SA，提升了读性能和抗干扰能力，还有一些可灵活调节的LE驱动，线性的高压系统，以及智能的ERZ和PRB流程。
普冉半导体在发布会上还展示了一款基于2颗32兆，通过少数改版快速推出的64兆的产品。这款产品体现了普冉半导体在快速响应市场需求，提供高性能产品方面的能力。
最后，普冉半导体公司在发布会上公布了其产品的Roadmap。基于市场需求和紧迫性，他们首先推出了16兆、32兆和64兆三个容量的产品。在今年第三季度，公司计划推出128兆和256兆两款新产品，目前已经进入设计阶段，即将推出。到第四季度，将推出4兆和16兆的产品，实现全容量的覆盖。这将为普冉半导体的客户提供更为丰富和灵活的选择。
普冉半导体的这一系列产品，无疑将在极低功耗、高性能的AIOT市场中引领新的技术趋势。他们的产品不仅能够简化电源系统，而且能实现低功耗，有助于推动元宇宙、智能音箱、智能穿戴设备、耳机等智能终端的发展。更重要的是，普冉半导体的产品在降低功耗的同时，还具有优异的性能，能够满足各类高性能应用的需求。
