SemiPowerEx SiC 电源模块

采用 UnitedSiC 器件，让电源模块系统更稳定、更经济

SemiPowerEx 总部位于韩国，是一家采用 Si、IGBT 以及宽带隙 SiC 和 GaN 解决方案设计和制造半导体电源模块的技术创新企业。SemiPowerEx 模块使用了热导率较高的 AIN 基板，可提高热效率、缩小系统整体尺寸，帮助客户降低散热器成本。

为使 SiC 电源模块拥有更高性能，SemiPowerEx 需要探索各种先进方法实现 SiC FET 器件的最佳性能，包括改进与 di/dt 和 dv/dt 斜率控制和栅极噪音控制相关的信号管理，同时确保目标性能基准超过 Si MOSFET/IGBT 模块的性能基准。

解决方案

对现有模块进行了升级，并添加了 UnitedSiC 推荐的 RC 缓冲器电路，从而实现了稳定的信号控制（缓冲器位于螺栓固定式端子模块的内部）。

图 1. SemiPowerEx SiC FET 电源模块

优势

使用推荐的 RC 缓冲器控制方法以及 UnitedSiC FET 后，SemiPowerEx 即使在高频率下也能够缩小系统尺寸，提高系统效率，确保系统稳定运行。

系统更小巧，成本更低

根据 SemiPowerEx 估计，使用 UnitedSiC FET 和 RC 缓冲器电路，可帮助最终客户将系统尺寸缩小约 20%，成本降低约 10%。

效率和开关速度都更高

与使用 IGBT 相比，使用 1200V 9mohm SiC FET 时，开关频率最高可增加 3 倍。与使用 Si FET 电路和 IGBT 电路相比，使用 650V SiC FET 时的开关频率分别增加了 2 倍和 3 倍。

D.K. Jang，首席执行官SemiPowerEx

“在 UnitedSiC FET 的帮助下，我们得以开发功率转换系统优化的 SiC 电源模块。UnitedSiC FET 具有更高的栅极-源极阈值电压、更低的 RDS(ON) 和更高的跨导性能。同时，非常感谢 UnitedSiC 工程团队提供的出色技术支持，他们在实验室对我们的电源模块样品进行了性能测试，并为我们提供了 RC 缓冲器最佳值方面的建议，这有助于我们生产出高性能 SiC 电源模块。”

本文转载自Qorvo半导体微信公众号

SemiPowerEx SiC 电源模块

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